ciao!
sul datasheet del 2n3904 leggo che la Vce-sat è 0,3V quando Ic=50mA e Ib=5mA
quando guardo le curve (Vce-sat vs Ic) non arrivo invece a 0,1V per una Ic=50mA; le curve sono fornite per Beta=10 e i 3 step classici di temperatura
deduco quindi che per questo bjt all'aumentare della Ib aumenta anche la Vce-sat; come mai nel datasheet hanno scelto di fornire le curve calcolate con una certa Ib mentre nelle on-characteristics hanno fissato Ib=5mA? solo una questione di worst-case?
-ice-
Il 07/03/2010 10.55, ice ha scritto:
...al massimo...
Yep.
Quindi per Ic/Ib=10
IMO, e' la stessa condizione di prima, solo che questo e' il valore tipico, quello e' il valore massimo garantito.
Cmq, il grafico Vcesat vs. Ic(Bcostante) sale sia dopo i 6-7mA che prima.
Un bel giorno ice digitò:
A me sembra un puro e semplice errore. Fra l'altro 0.3V è riportato solo sul datasheet Fairchild, mentre negli altri (ST, ON, NXP) riportano 0.2V. Il datasheet migliore mi sembra quello della ON, che riporta anche un grafico più aderente ai valori tabellari:
-- emboliaschizoide.splinder.com
dalai lamah ha scritto:
grazie per la segnalazione; ho in mano proprio componenti fairchild...
nell'immediato mi interessa sapere la massima corrente di base che posso far circolare: devo considerare 5mA?
-ice-
Un bel giorno ice digitò:
Direi molto di più, considerando che (sempre guardando il datasheet della ON) con Ic=200 mA ti servono almeno 20 mA sulla base per saturarlo, probabilmente anche di più.
Per i piccoli transistor di solito si assume una Ibmax pari a un terzo della Icmax. Per i transistor di potenza invece la Ibmax è indicata esplicitamente.
-- emboliaschizoide.splinder.com
dalai lamah ha scritto:
quindi potrei tranquillamente mettere un led in serie alla base, limitando la Ib ai circa 15mA che mi servono per il led
grazie
-ice-
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