ULN2803 in parallelo cross-chip

Salve! Utilizzo da anni con soddisfazione gli ULN2803 e non ho mai avuto problemi nel mettere le uscite in parallelo, cos=EC come consigliato sul data-sheet, quando occorre pi=F9 corrente.

Ora chiedo: oltre alla parallelizzazione inter-chip, =E8 possibile anche quella tra pi=F9 chip, vale a dire uno stadio su un chip con uno su un altro chip, oppure ci sono problemi di bilanciamento e i differenti chip non si dividono pi=F9 tra di loro equamente la corrente perch=E9 montano die provenienti da zone diverse del wafer di silicio?

Qualcuno ha mai provato? Come dovrei effettuare le misure per verificare che la corrente si divida in parti uguali?

Volevo semplicemente montare un ULN2803 in testa a quello gi=E0 presente sulla scheda, saldato pin-a-pin, per raddoppiare - o quasi la corrente erogabile.

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sancono
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ha scritto ...

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Non vorrei dire un 'cazz...' ma facendo una ricerca con google proprio sugli uln 2xxx mi sembra di aver visto un progetto con 2 o 3 chip saldati uno sopra l'altro .

prova a cercare

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Pippo Baldo

Sul fatto che molti lo facciano "pensando che funzioni" non ho dubbi: anch'io penso che funzioni, incoraggiato ancor di pi=F9 dal data-sheet che recita "output may be paralleled".

Sul fatto che i chip si dividano la corrente, ho dubbi, e volevo sapere se qualcuno ha provato e misurato, oppure mi sa dire come misurare. L'altro dubbio =E8 che se uno dei componenti comincia a condurre di pi=F9, scalda di pi=F9, conduce meglio perch=E9 =E8 diventato pi=F9 caldo, e l'altro conduce sempre meno, finch=E9 il primo si fonde. Chi mi sa dire qualcosa in proposito? Consigli su quanto margine lasciare in modo da garantire che anche con uno squilibrio non si fonda uno dei 2 o 3?

Grazie per la segnalazione, comunque.

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sancono

ha scritto Sul fatto che i chip si dividano la corrente, ho dubbi, e volevo sapere se qualcuno ha provato e misurato, oppure mi sa dire come misurare. L'altro dubbio è che se uno dei componenti comincia a condurre di più, scalda di più, conduce meglio perché è diventato più caldo, e l'altro conduce sempre meno, finché il primo si fonde.

Perche' dici che piu' scalda piu' conduce? a me sembra il contrario piu' un componente scalda piu' aumenta la resistenza quindi conduce meno e di conseguenza si autoregolano. Comunque prova con un tester a vedere quanto assorbe ogni uscita

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Pippo Baldo

Il giorno Fri, 24 Feb 2006 09:40:28 +0100, "Pippo Baldo" ha scritto:

No, la resistenza non c'entra.

Ricorda che il coefficiente termico di una giunzione PN è negativo, cioè scaldandosi la tensione ai suoi capi diminusce di circa 2mV/C°.

Se i transistors sono sullo stesso chip, come nel caso degli ULN si può metterli in parallelo perchè comunque la deriva termica è la stessa, con drivers su chip diversi il parallelo mi sembra un operazione rischiosa perchè la deriva termica è diversa..

-- ciao Stefano

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SB

"Pippo Baldo" ha scritto nel messaggio news:43fec6ef$0$29110$ snipped-for-privacy@news.tiscali.it...

..questo vale per i conduttori..i semiconduttori si comportano "giusto un po'" diversamente!!!..e in particoloare (ora nn conosco questo componente) se vi sono dei transistor in uscita e questi scaldano, la loro Vbe diminuisce all'aumentare della temperatura innescando l'effetto descritto sopra...

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Stefano

Come potrei effettuare le misure: un amperometro in serie sull'uscita di ciascun componente? C'=E8 altro da fare / sapere?

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sancono

ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@e56g2000cwe.googlegroups.com... Come potrei effettuare le misure: un amperometro in serie sull'uscita di ciascun componente? C'è altro da fare / sapere?

..se gli amperometri sono tutti uguali, diversamente ricorda che quando colleghi l'amperometro introduci una resistenza serie..che anche se bassa..ti falsa il funziomanento... ..resta comunque una configurazione "pericolosa" (quella del multichip)..!!!perchè non opti per finali discreti..mi sembra una soluzione più robusta!!!

cià Steno

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Stefano

E poi lo sbroglio monofaccia di transistor discreti in array richiede tanti ponticelli, e io non me la sento di fare doppia faccia. (Ho provato una volta, ho fallito, e ora attendo prima di riprovarci).

Mi piacerebbe sapere se ci sono parametri da usare in fase di progetto per valutare l'asimmetria nella distribuzione delle correnti data la differenza di temperatura tra i due chip (quello che sta sotto dovrebbe scaldare di pi=F9) o le differenze per le tolleranze costruttive tra i due chip. Volendo cercare questo tipo di dati di progetto sul data sheet, come si chiamano? Volendoli misurare, come posso fare?

Mi piacerebbe pure sapere se c'=E8 una misura da fare sui chip in un circuito di test che consenta di determinare quali sono pi=F9 simili, in modo da poter lavorare in coppia: che grandezza dovrei misurare?

Mi piacerebbe pure - per puro sfizio intellettuale - sapere se si pu=F2 compensare la temperatura maggiore del componente che sta sotto scegliendone uno sopra che tira pi=F9 corrente alla stessa temperatura.

Ma come faccio a misurare queste cose? O come si chiamano i parametri teorici che le modellizzano?

Forse devo andare su it.discussioni.folli anzich=E9 su it.hobby.elettronica Qualcuno =E8 interessato a queste questioni?

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sancono

Si, certo, magari a Moset per un'efficienza migliore.

E' che ho gi=E0 realizzato una bella basetta fotoincisa con gli ULN2803 e montarcene altri a cavallo, saldando pin a pin =E8 una modifica pi=F9 facile che ridisegnare il circuito a componenti discreti.

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sancono

Pensavo: esiste un pin-to-pin compatibile che eroga pi=F9 corrente?

(Da alettare, ovviamente, poich=E9 il package plastico non dissipa pi=F9 di 2W senza alette)

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sancono

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