Apro il datasheet e prendo circa il valore della RDSon Polarizzo il Gate con una tensione VGS tale da ottenere una corrente IDS vo luta
Calcolo il valore della tensione VRDS=IDS/RDSon Calcolo la tensione di inizio conduzione V0gs=VGS-VRDS
AD esempio avessi un IRF630 polarizzato con 5V sul Gate, nel quale passano IDS=2.4A con una RDSon=0.5 Ohm troverei una tensione di inizio conduzione V0gs=5-(2.4*0.5)=5-1.2=3.8V
mettitore i 3.8V invece degli 0.6/0.7 consueti con una Resistenza fissa sull' emettit ore di 0.5 Ohm
..Con una potenzialmente infinita impedenza di base se non fosse
elevata
Insomma secondo me sia i FET che i MOSFET che gli altri, comprese le Valvol e, li possiamo calcolare velocemente come fossero un transistor
"rondine" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@googlegroups.com... Apro il datasheet e prendo circa il valore della RDSon
Polarizzo il Gate con una tensione VGS tale da ottenere una corrente IDS voluta Senza resistenza di source?Basandosi solo sulla transconduttanza?
cui lavori potresti sbagliare di molte centinaia di mA rispetto a quanto calcolato.
Calcolo il valore della tensione VRDS=IDS/RDSon
Calcolo la tensione di inizio conduzione V0gs=VGS-VRDS
AD esempio avessi un IRF630 polarizzato con 5V sul Gate, nel quale passano IDS=2.4A con una RDSon=0.5 Ohm troverei una tensione di inizio conduzione V0gs=5-(2.4*0.5)=5-1.2=3.8V
emettitore i 3.8V invece degli 0.6/0.7 consueti con una Resistenza fissa sull' emettitore di 0.5 Ohm
..Con una potenzialmente infinita impedenza di base se non fosse
elevata
Insomma secondo me sia i FET che i MOSFET che gli altri, comprese le Valvole, li possiamo calcolare velocemente come fossero un transistor
sia una resistenza di source o un partitore tra srain massa e gate.
Nel caso di un piccolo transistor qualora mettessi una batteria da 5V tra b ase e massa sulla resistenza (totale) di emettitore mi ritroverei una tensione di VRe=5-0.6=4.4V
tale che se la resistenza di emettitore valesse 44O Ohm nel transistor ci passerebbe una corrente di circa Ic=4.4/440=0.01A
non avrebbero alcun senso ..e fin qui penso siamo circa d' accordo
Per il MOSFET i calcoli verranno ancora meno precisi ma con un po di pratica funzionano abbastanza e potete provare a mettervi al simulatore per verificarne i limiti
..Se il MOSFET inizia a condurre con 3.8V quella tensione li di la non ce l a ritrovi! ma, se ci hai messo 5V sul Gate sulla resistenza di Source ci ritrovi 5-3.8 =1.2V!
..Come in alternata sulla resistenza di Source ci ritrovi la stessa tensione che hai sul Gate guadagnando semmai solo in corrente!
..poi per fare questi calcoli con solo la Vth e la RDSon
Ciao, non ha molto senso quello che dici (o forse non capisco io).
Se parli di *polarizzazione* vuoi fare funzionare il MOS in saturazione: il canale e' interrotto e il MOS si conporta (finche' e' in saturazione) come un generatore di corrente quasi costante (ci sarebbe l'effetto di modulazione di canale, ma lasciamo stare...) per una Vgs fissa (in realta' ho barato: piu' che un generatore di corrente e' una transconduttanza, ma se la Vgs e' fissa...). La tensione Vds puo' variare (anzi: varia) secondo il carico che ci metti. Quindi la Rds in quel caso *non e' definita* (piu' correttamente: e' definita solo per piccoli segnali e in genere si indica con ro; dipende da quell'effetto di modulazione di canale che ti dicevo e ha valori molto grandi, sulla decina o centinaia di kohm per un MOS di segnale). L'unico accorgimento che devi tenere in conto in quel caso e' fare in modo che la Vds non diventi troppo piccola altrimenti il canale si riforma e il MOS esce dalla saturazione. Se lo polarizzi in continua in genere il carico DC e' fisso (e i piccoli segnali non influiscono molto, sono "piccole" variazioni intorno a questo valore di Vds scelta). Allora, salvo esigenze contrarie, conviene che scegli una corrente di polarizzazione tale che la Vds sia circa a meta' dell'alimentazione, per avere il massimo della dinamica.
Se invece parli di RdsON vuoi fare funzionare il MOS fuori saturazione (in zona lineare). Li' il canale e' bello formato e Source e Drain sono collegati da una Rds di valore molto basso. Tieni conto che il valore della RdsON, in lineare, dipende dalla Vgs. Quindi quando dici "prendo circa il valore della RdsON" e poi aggiungi che polarizzi il gate con una tensione Vgs (ad arbitrio) non funziona, perche' la RdsON che scegli vale per un dato valore della Vgs (che dovrebbe essere specificato sul datasheet). Se vuoi fare funzionare il MOS in queste condizioni (come interrutore ad esempio o come pull-down se parliamo di NMOS) allora hai interesse a prendere la Vgs piu' alta possibile perche' RdsON varia con la Vgs (diminuisce all'aumentare di Vgs). In questo caso il problema non si pone: a manetta.
Quindi la domanda (che ti e' stata gia' fatta) prima di tutto e': come lo vuoi far funzionare questo MOS? Se lo vuoi fare funzionare come amplificatore la rdsON non c'entra nulla perche' lo fai lavorare in una zona di funzionamento completamente diversa.
Hai presente le curve del MOS? Quelle che paiono un casco di banane? (Ids vs. Vds per different Vgs). Ecco, in un caso (lineare) lavori vicino ai piccioli, dove si raccordano (lineare), nell'altro caso (saturazione) lavori lungo la banana. Ogni banana e' una Vgs differente.
Oppure non ho capito niente io quello che hai scritto.
Io! Perche' FET e MOSFET *sono* transistor (la T alla fine...) :-) Sul "velocemente" un po' meno. Sempre meglio perdere qualche minuto a buttare giu' due conti piuttosto che smadonnare le ore dopo, quando il tutto non funziona o (peggio) comincia a fumare.
Metti il IRF630 del mio caso con una RDSon=0.5 Ohm che inizia a condurre con 3.8V sul Gate e aggiungi una resistenza da 2 Ohm esterna al Source ed una da 10 Ohm sul Drain
avrai uno stadio amplificatore da circa 10/(2+0.5)=4 volte in tensione
ione minima di 3.8+[(2+0.5)*1]=6.3V
ottenendo quindi ai capi della resistenza sul Drain una tensione di 10*1=
10V
20V per ottenere il massimo della dinamica
..per un dilettante mi sembra sia un calcolo sufficiente e che con un po di pratica
..valendo concettualmente per qualunque semiconduttore o valvola termoionic a che sia, prima di verificare al simulatore e quindi tarare il montaggio se no di meglio dimmelo te
Sono curioso di sapere come hai calcolato questo guadagno.
Non capisco. Hai scelto una RdsON di 0.5 Ohm, quindi con una corrente di 1A hai 0.5V ai capi del MOS. Con 20V di alimentazione, 2V sulla resistenza di source (2 ohm), 10V sulla resistenza di drain (10 ohm), ai capi del MOS dovresti avere 8V.
0.5V o 8V? Delle due l'una.
Quasi a occhio mi sa che il tuo calcolo e' sbagliato.
la RDSon (presa per la massima conduzione) io la considero come fosse spost ata tutta dalla parte del source ossia come se fosse una resistenza esterna
latore
quindi ho usato Kirchhoff per la somma delle tensioni nella maglia tra Gate e Source prova a fare i miei conti al simulatore e dimmi se ti funzionano
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