Chi mi spiega cosa c'è che non va in questo circuito ? Cosa manca ? Quando il transistor dovrebbe condurre, mi trovo invece 2/3 V sul collettore e naturalmente i mosfet non chiudono bene. Ho provato a ridurre le resistenza ma senza risultati.
Marco
"Marcick" ha scritto nel messaggio news:46ce8ac2$0$4793$ snipped-for-privacy@reader4.news.tin.it...
il discorso comunque è questo: il circuito all'inizio funziona, ma i mosfet poi mi si fottono in continuazione e mi trovo nella condizione descritta sopra. Il transistor rimane buono, se lo isolo dal mosfet chiude bene. Il mosfet risulta invece danneggiato. Notare che se cortocircuito il gate a massa conduce. E' come se fosse diventato terribilmente "duro".
Il server di imageshack qui non risponde... prova ad usare p.es. tinypic... oppure FidoCad!
Saluti, LaCar.
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sfet
ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@i13g2000prf.googlegroups.com...
Anche a me non va più, ok, prova qui:
Marcick ha scritto:
sia che usi i chN o i chP i 2 source sono sempre in mezzo e la res verso i 2 gate parte da qui. (per ognuno dei 2 rami antiserie).
tutto il resto te lo hanno gia' detto: 4v potrebbero essere pochi, sarebbe meglio (costo e prestazioni) usare chN,... durante le commutazioni non hai problemi se si sovrappongono i rami? (picco di corrente se le 2 alim sono diverse) e se invece ci fosse un tempo morto con caduta di tensione non avresti problemi ?
salut
"lowcost" ha scritto nel messaggio news:fan48c$obh$ snipped-for-privacy@aioe.org...
ora li giro, però i dua gate vanno con lo stesso comando, come faccio a usare due resistenze distinte ?
Ma i canale N li posso usare sempre per interrompere il ramo positivo (cioè stessa configurazione) o devo usarli per chiudere verso massa ?
verso il carico problemi non ne ho, l'importante è che non faccia male ai mos ...
Il condensatore di uscita dovrebbe un po' compensare, ora mi interessa far efunzionare il circuito perchè non ci sto capendo più niente. Continuo a cambiarli e non so se li sto fottendo solo a guardarli o se il circuito è sbagliato quando lo vedo funzionare è per forze dello Spirito Santo. Grazie Marco
Marcick ha scritto:
non credo che c'entri lo Spirito Santo: sono solo dei mosfet. lo schema dell' interruttore bidirezionale mosfet P channel e' questo [FIDOCAD] MC 80 75 3 0 420 MC 110 75 3 1 420 MC 75 55 0 0 200 MC 115 55 2 0 200 TY 120 50 5 3 0 0 0 * D TY 65 50 5 3 0 0 0 * D TY 90 50 5 3 0 0 0 * S TY 100 50 5 3 0 0 0 * S TY 75 70 5 3 0 0 0 * G TY 105 70 5 3 0 0 0 * G LI 90 55 90 60 LI 90 60 100 60 LI 100 60 100 55 LI 95 60 95 65 LI 115 55 120 55 LI 120 55 120 60 LI 120 60 130 60 LI 75 55 70 55 LI 70 55 70 60 LI 70 60 60 60 LI 80 75 110 75 LI 95 75 95 85 SA 95 60 SA 95 75 MC 95 65 1 0 080 TY 130 60 5 3 0 0 0 * VB TY 55 60 5 3 0 0 0 * VA TY 95 80 5 3 0 0 0 * Vcontr TY 80 40 5 3 0 0 0 * Pchannel
La res di gate serve per tenere off i mosfet in assenza di pilotaggio ma potrebbe essere non necessaria. Quando i mos sono aperti, 1 dei 2 diodi (intrinseco) e' polarizz direttamente, l' altro inversamente. Non vi e' conduzione tra VA e VB, in entrambe le direzioni.
Grazie ai diodi, in S hai sempre la V +alta tra VA e VB (trascurando 0,7v). Tirando giu Vcontr si applica vgson ed entrambi mos diventano conduttivi, se vgs e' sufficiente.
utilizzando 2 di questi interruttori puoi costruire un deviatore, che FORSE MA FORSE e' quello che ti serve. pero' se si tratta solo di commutare tra 2 alim 4Vdc 1A potrebbero essere sufficienti 2 soli mosfet. o un rele' bistabile con contatto in scambio. salut
"lowcost" ha scritto nel messaggio news:faq5o4$k41$ snipped-for-privacy@aioe.org...
si, ti eri spiegato bene, ti ringrazio. Funziona uguale alla mia configurazione con D e S invertiti. il problema è che ho già sul banco 6 o 7 cadaveri e vorrei capirne il motivo. Ora monto sul circuito vero la tua configurazione e vedo che succede. Ma sono particolarmente permalodi i mos ? cariche elettrostatiche ad esempio ? Sono anni che non brucio un transistor, un micro, ora prendo in mano dei mos e mi saltano come pallini .... Marco
Marcick, ricomiciamo dall'inizio...
- quanta corrente assorbe il carico? uA, ma, A, kA?
- a che frequenza commuti? "quasi statico", 1 kHz, 1MHz ?
- che tipo di carico e'? Induttivo, capacitivo, resistivo?
- qual'e' la sorgente? Alimentatore, batteria con 100 m di cavi?
Cosa volevi dire qui sotto, quando "trovi 2/3 V sul collettore"; li trovi quando i MOS sono "andati" e cerchi di chiudere il BJT (che forse ha un po'poca corrente in base, dipende) ? Ovvero hai diverse decine di mA che passano nel BJT??
'sti MOS non dovrebbero essere poi cosi' "permalosi", le capacita' interne non sono piccolissime e, secondo me, dovresti essere "bello carico" per generare una tensione sufficiente a bruciarli... certo che se li usi per pettinarti in una giornata di vento secco... 8-)
Saluti, LaCar.
snipped-for-privacy@reader4.news.tin.it...
sfet
ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@50g2000hsm.googlegroups.com...
Lo so, è difficile aiutare se non si ha davanti tutto il quadro, ma un po' anche per non esagerare nelle richieste si cerca di accontentarsi di qualche dritta, qualche idea su cui ragionare. Posto uno schema più completo:
un ramo di alimentazione proviene da uno switching e con un diodo in serie alimenta il mio carico. Al catodo del diodo è connessa l'uscita del circuito sotto esame, che è alimentato a batteria. L'assenza dell'alimentazione principale mi fa intervenire l'alimentazione secondaria a batteria chiudendo i mos. La commutazione è quindi quasi statica. Il circuito a mos ha anche la funzione di isolare competamente la batteria dal carico durante la sua ricarica (altrimenti il chip che regola la carica vede continuamente un assorbimento e non funziona bene). Il condensatore sulla base del transistor da il tempo allo switching di entrare a regime (quando torna l'alimentazione principale) prima di staccare la batteria.
- quanta corrente assorbe il carico? uA, ma, A, kA?
500mA- che tipo di carico e'? Induttivo, capacitivo, resistivo?
direi resistivo
si, è così, inizialmente pensavo a un errore nel circuito, che invece funziona bene. Quella situazione si presenta quando si fottono i mos. Ora mi è capitato di nuovo. Altro cadavere, siamo a 9 ...
Avviene qualcosa di deletereo nella commutazione tra i due rami ma non riesco a capire. Forse il transitorio iniziale quando entra in funzione lo switching. Se avete ancora pazienza per fare qualche osservazione .... Marco
po'
che
Grazie. Ma questo circuito e'diverso da quello di prima,
=E8
ca
are
mi
Ma questi valori si riferiscono al primo circuito che hai postato, no? Hai lo stesso problema con questa variante?
Uhm... ma i MOS si rompono sempre p.es. quando stacchi la batteria e non quando la attacchi? O viceversa? O non importa? Un oscilloscopio per vedere i transitori di commutazione? Non saprei cosa pensare, non dovresti avere interazioni tra i due MOS, che, se ho ben capito internamente sono su die separati... ma se usi due MOS separati hai ancora lo stesso problema?
Saluti, LaCar.
ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@d55g2000hsg.googlegroups.com...
Si, ho provato ultimamente a girare D e S come suggerito da Lowcost ma il risultato è lo stesso. La variante PNP è recente, per non mettere due NPN in cascata, ma sempre con gli stessi risultati.
Perchè dici ciò ? Quando i MOS devono stare spenti c'è il contributo del +12 che tiene alto il gate. Ora non ho più il circuito funzionante per confermare i valori ma sicuro di più di quei 2,5 che dici.
Si, i MOS non conducono più bene e scaldano e il transistor non ce la fa più a tenere basso il gate.
Non sono in grado di dirlo. Ora ne ho montato uno nuovo (l'ultimo ...) ed è partito all'istante, non ho fatto nemmeno in tempo ad arrivare con la sonda.
mentre il circuito funzionava ho visto i transitori ma non ho notato nulla di preoccupante
singoli con quelle caratteristiche non ne ho, devo andare a fare spesa, però non vedrei il nesso ... sono affranto ... Marco
On Aug 27, 9:12 am, "Marcick" wrote: [snip]
o del +12
Sulla base del transistore PNP hai circa 2 V per via del partitore, per cui l'emettitore non andra piu'di 0.7 volt (circa) sopra 2V, dal primo MOS arriva un po'di corrente dal diodo interno o dal MOS stesso, se non ce la fa a spegnersi.
a pi=F9
Molto perplesso... per assorbire una corrente statica rilevante dal gate, devi bucare l'ossido di isolamento ed i tuoi MOS sono specificati per +/-20V di Vgs max (e di solito tengono ben di piu'). Oppure il MOS e'gia morto ed hai un corto all'interno...
er=F2
Neanch'io 8-), ma era giusto per togliermi una curiosita'. Se i MOS condividessero lo stesso substrato ci potrebbero essere delle interazioni, ma, come detto, mi sembra ben che siano due MOS distinti, in due die separati.
Comunque puoi anche usare due meta'di due doppi MOS distinti (non so se mi sono spiegato), mica sei obbligato ad usare tutti e due nello stesso package.
Comunque mi sembra che nel tuo schema originario di Q7B usi praticamente solo il diodo interno, per cui puoi magari sostituirlo con uno schottky e vedere cosa succede. Altra cosa (quasi da arrampicamento sui vetri), se la tua batteria ha una bassa resistenza interna ed il condensatore da 330 uF e'magari al tantalio di quelli seri, anche lui con bassa resistenza interna, forse alla commutazione il picco di corrente per caricarlo non e'ben sopportato dal MOS/diodo interno, ergo prova un 100 mohm in serie ai MOS e vedi...
Saluti, LaCar
ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@57g2000hsv.googlegroups.com...
no, ho sbagliato il disegno, è da 10K anche R6, nessun problema per lo spegnimento del mos
ora sto provando con i singoli su un circuito separato, chiaramente funziona, cerco di stressarlo per vedere se mi capita di nuovo.
eh, no, aspetta, perchè allora finisce che non ho capito niente di questi mos ... tutti e due i mos vanno in conduzione, non è che di uno si sfrutta solo il diodo interno, vero ? Dalle basse cadute di tensione che ottengo direi proprio di si..... Perchè se così non fosse allora butto tutto e metto due semplici shottcky sui due rami con il catodo in comune e buonanotte (a parte il problema della ricarica della batteria)
sono vere tutte e due le cose, ho avuto questo pensiero ma sto provando a fare commutazioni con l'uscita in corto e non succede niente (ora con i due mos separati) Continuo le indagini ... (grazie del supporto) Marco
Ok.
?? Ah, beh, sono comunque piuttosto perplesso, in teoria i due MOS sono "completamente" indipendenti; pero e' strano che sul datasheet non ci sia nessuna info riguardo alle limitazioni d'uso dei due MOS, intendo, potro mettere una d.d.p. di 5 kV tra i due e stare tranquillo, se rispetto i limiti individuali di ogni MOS ?!?
ti
il
tcky
lla
Ooops! Si', hai ragione tu, mi si sono ingarbugliati i neuroni (e/o le sinapsi)... E'che stavo pensando alla utilita del secondo MOS, della quale non ero convinto, ed in qualche modo volevo toglierlo di mezzo... viste come stanno le tensioni nel tuo circuito e'proprio necessario? non basta solo il primo mos in serie alla batteria?
ue
Ah, ma allora ci hai preso gusto a cercare di far saltare i MOS 8-) !
Saluti, LaCar.
se ne metto uno solo la corrente del primo ramo di alimentazione mi rientra attraverso il diodo di substrato e mi finisce nella batteria (no buono). Se anche lo giro, quando voglio isolare la batteria dal resto del circuito per caricarla non riesco perchè ho sempre il diodo di substrato che conduce.
Ne sto facendo di cotte e di crude e non saltano (e sono della stessa famiglia ma singoli, IRF7220). Ora vado a risaldarli nel circuito reale (le prove le sto riproducendo esternamente al banco) e vediamo. Marco
ra
Se
er
Si', continuo a dimenticare che la batteria e'da 4 V *nominali* e che puo'scendere ben sotto in fase di ricarica...
Questi pero'sono un pochino piu'robusti, ero curioso di vedere i risultati utilizzando sempre lo stesso tipo.
Saluti, LaCar.
ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@y42g2000hsy.googlegroups.com...
già che c'ero li ho preferiti per la Rdson più bassa. Non è che la maggior robustezza di corrente max sia un valido motivo però. I 7316 hanno pur sempre 30A impulsivi, azz, ad averli ... dal mio circuito certo non escono ... Per ora funziona tutto, vediamo un po'. Marco
Tutti e due i mos in conduzione, caduta diretta molto minore di quella di un diodo.
Non e` che per caso i tuoi mos oscillano? Fili lunghi e cose del genere? Provare a mettere 1 nF fra gate e drain di ciascuno dei due e vedere cosa capita (potrebbe anche peggiorare). Se al posto del pilotaggio a transistor metti una tensione estenrna con un alim, 0V o 4V, muoiono?
"Franco" ha scritto nel messaggio news:JpMAi.47867$ snipped-for-privacy@newssvr12.news.prodigy.net...
fili lunghi no, ma se avessero oscillato e fosse stata la causa non avrei fatto in tempo a vederli. Diciamo che un ramo dell'alimentazione proviene da uno switching che ha un ripple a 150KHz, non so se può dare fastidio. Diciamo anche che i mos si trovano molto vicini a una antenna gsm. Mah ..
Ora non ho più di quelli doppi per fare esperimenti. Mi sono procurato i singoli 7220 e sta funzionando bene. Certo è che la causa non l'ho capita e non è che mi faccia stare tranquillo.
potrei mettere in piedi un accrocchio e fare l'esperimento con questi singoli. Ma cosa dovrebbe rappresentare ? Cioè se ti dicessi che muoiono cosa vorrebbe dire ? Marco
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