problema su mosfet come interruttori

Marcick ha scritto:

Il diodo all'interno del MOS P va dal drain al source, e quindi non conduce quando il MOS è interdetto.

Giuliano

"JUL" ha scritto nel messaggio news:fa6i2n$iao$ snipped-for-privacy@news.newsland.it...

appunto, leggi meglio quanto ho scritto

Questo potrebbe esserti utile:

"Tittopower" ha scritto nel messaggio news:46c6ccca$0$4785$ snipped-for-privacy@reader4.news.tin.it...

tutto è utile a fare venire idee, ti ringrazio, ma questo è un ponte H per pilotare un motore nei due sensi e ha poco a che fare con la mia applicazione. Marco

Ti ho messo questo esempio perchè credo che tu debba necessariamente interrompere sia il ramo positivo che negativo delle tue tensioni... con

"Tittopower" ha scritto nel messaggio news:46c6d8e2$0$10628$ snipped-for-privacy@reader2.news.tin.it...

ci rifletto un po' ma credo non mi sarebbe fattibile separare le due masse. Grazie Marco

Al posto di un solo Pmos per ramo, mettine due, collegati in "antiserie". Uno con il source sull'alimentazione, l'altro con il source sul carico. Drain e gate collegati insieme e vivi felice :)

Mi sun turna collegou perche' "Marcick" m'ha rotto u belin

Dipende da quanto complicato vuoi fare il pilotaggio... [Per curiosita', a che tensione vai, che corrente vuoi, quanto deve essere veloce la commutazione etc]

Pero' con 4 mos te la cavi, anche se devi farti due trasformatori di imulsi con due uscite separat. Se metti 4 N collegati cosi': sd-ds-sd-ds i diodi saranno

Metti un 555 o qualunque cosa che genera una quadra a qualche khz (toh, 100) Poi con due fet piccoli selezioni quale canna di un driver (tipo 4427) usare la canna selezionata , tramite il t.i. pilota a coppie i fet...

Hmmm, vedi un po qui : se ci capisci qualcosa...

Frequenza di oscillatore e RC sui gate dipendono da quanto svelto vuoi commutare.... (sul trasformatore i cond sono da 1U, non da 1n e quelli sui fet da 10n e non 10u, come puo' sembrare nella mia scrittura terribile)

lo switch di scelta e' simbolico.... vuol dire "uno o l' altro". Il gate del 2007 non pilotato deve stare attaccato a massa.

buona fortuna...

Franco wrote: Drain e gate collegati insieme e vivi felice :)

non tutti e 4 insieme: due drain insieme e i due gate insieme (ma separati dai drai), e comandi dal drain come se fosse un solo Pmos senza diodo di substrato.

Marcick ha scritto:

se non ai problemi di freq. di commutazione dei 2 carichi e vuoi una bassa caduta di V, usa dei rele. se invece devi usare una freq. di comm. puoi usare i driver della IR o della ST per mosfet tipo N. al limite potresti usare dei mos tipo N, con il D in comune e l'out sul S, naturalmente per mandarli in cond. devi dare almeno 5V tra G e S se sono dei LL mosfet. emilio

Franco wrote: e comandi dal drain come se fosse un solo Pmos senza

Ovviamente dal gate :(. Il rincoglionimento avanza :)

"Franco" ha scritto nel messaggio news:kHHxi.1004$ snipped-for-privacy@nlpi068.nbdc.sbc.com...

fa-vo-lo-so. Ero sicuro che c'era il modo. Ti ringrazio molto, tra l'altro mi ero procurato proprio dei dual p-mos in SO8 per quest prove. La chiusura mentale che avevo era che il secondo mosfet riuscisse a condurre anche con D e S invertiti. Tencsalot Marco

"Belldandy" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...

si, questo avrei dovuto specificarlo, in realtà la commutazione non è continua ma avviene una volta quendo si verifica una condizione (in pratica faccio intervenire una sorgente di backup quando manca l'alimentazione principale). Tensione 4V e corrente 1A.

Ho provato semplicemente il suggerimento di Franco (2 pmos in antiserie) e funziona come desidero. Con due transistor in cascata poi ho il comando + comando invertito per tenere a massa i gate di un ramo oppure l'altro.

Però mi interessa molto: dove sta il vero vantaggio della tua configurazione rispetto alla "mia" elementare ? Marco

"emilio" ha scritto nel messaggio news:fa7ohe$buj$ snipped-for-privacy@tdi.cu.mi.it...

non devo commutare continuamente, avrei dovuto specificarlo, comunque sto provando con 2 pmos in antiserie per ramo come suggerito da Franco e mi pare funzioni egregiamente. Grazie anche a te Marco

Ciao! Potresti postare per favore uno schemino fidocad della soluzione suggerita da Franco? Non usando spesso i mos non credo di aver capito correttamente come collegarli!

Grazie e buona domenica! Marco / iw2nzm

Mi sono nuovamente collegato perche' "Marcick" mi ha chiamato in causa...

Si, basta e avanza. Oltretutto hai poca tensione, quindi non devi inventare cose strane per non bucare i gate. Occhio a chiuderli bene, pero'... Con soli 4V di ingresso, anche supponendo che il transistorino saturi a 0V [e non e' vero] sei sotto alla treshold di mosfet comuni. Potrebbero servirti dei sub-logic level, quelli da 2.7V per capirci. Controlla comunque le curve dei mos che usi, anche per sapere dove andra' la caduta (con la temperatura e se la tensione di gate scende)

Naturalmente, questa considerazione ha senso se e' un circuito che devi riprodurre su ampia scala senza sorprese... Se te ne serve uno, lo hai provato e "funziona quanto basta".... .... Lascia stare che si guasta... (saggezza popolare :D)

Mah, messa cosi' direi che non c'e' un "vantaggio", visto che anche quella di Franco funziona ed e' un tot piu' semplice...

Pero', a volermi fare da avvocato, ti direi che:

• e' isolata, nel senso che non hai alcuna connessione tra l' "interruttore" e il circuito che lo comanda, quindi te ne puoi abbastanza sbattere della tensione a cui il tutto lavora (e del verso delle correnti...)
• dovrebbe essere piuttosto veloce anche con fet di potenza (piuttosto legnosi da pilotare per via della capacita' di gate e di miller abbastanza importanti). Se tu dovessi commutare molto velocemente (decine di khz), con un driver ed un trasformatore hai modo di buttare su parecchia corrente. Il collo di bottiglia sta nell' RC di apertura, ma mettendo componenti "giusti" (e non tirati li' come il sale nell'acqua della pasta come li ho messi io) credo si possa andare abbastanza svelti.

Come altra cosa (ecco perche' gli N), il costo industriale degli N e' minore a partita' di prestazioni. e' abbastanza evidente se sali di corrente / tenzione... (ma quello che risparmi sui fet te lo fumi comunque nel pilotaggio complicato)

Nel tuo caso direi che non ha vantaggi, ma magari piu' in generale puo' essere piu' versatile.

ciaociao.

"Belldandy" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...

devo ammettere che con i MOS sono abbastanza una capra, però se non leggo male l'IRF7316 ha una gate threshold voltage di -1V quindi dovrei essere più che tranquillo anche in temperatura, o sto guardando male ? ... Marco

Mi sono nuovamente collegato perche' "Marcick" mi ha chiamato in causa...

Beh, quella e' la minima.... ti dicono che "se sei fortunato" (o sfortunato, dipende come lo stai usando) puoi trovare dei mos che iniziano a svegliarsi a 1V di gate...

In realta', ora che so che mos usi, penso che tu sia un po tanto al pelo con le cadute... L' altro giorno , se non ricordo male, dicevi che non puoi permetterti

A 140 gradi la rds e' 1.5volte quella a 25 (fig 5), quindi hai fino a

E' semrpe questione di "adeguatezza allo scopo"...

Ne devi fare uno? lo terrai sempre sulla scrivania? Funziona? allora ok. Ne devi fare centomila? Andranno su un forno? carca un mos piu' adatto...

(IMHO, eh...)

Spero di non aver scritto vaccate e di non averti tediato...

ciaociao.

"Belldandy" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...

perdonami ma non afferro: quando il transistor chiude mi trovo una vgs superiore a 3,5V. Non sto tranquillo, visto che già con 1V il mos dovrebbe condurre ?

si, era per dire che non posso semplificare togliendo tutto e mettendo semplicemente due dei migliori schottky sui due rami con i catodi in comune. A 140 gradi non ci arrivo, si, sono un po' al pelo ma me lo faccio andare bene.

figurati, è anzi un piacere trovare tanta disponibilità. Se mi fughi quel dubbio sulla vgs di cui sopra sono a posto. Ciao Marco