Fenomeni capacitivi nelle giunzioni PN (diodi)

Cosa accade se aumento la polarizzazione inversa in un diodo a livello capacitivo? E' corretta questa formula C = dQ/dV=Area * sqrt(2*q*Es) * sqrt(Na//Nd) *(-1/2Vo) * [ (1-(Va/Vo))^(-3/2) ] [Per A.M. questa me la son dovuta calcolare] Vo = tensione a riposo del diodo Va = tensione impressa tra anodo e catodo ( negativa se inversa ) Es = costante dielettrica relativa al silicio q = 1.6 * 10^(-19)

Se si, la capiacità dovrebbe diminuire giusto, in quanto aumentare la polarizzazione inversa significa rendere Va + negativo ovvero rendere

1-(Va/Vo) più grande ed il suo reciproco piu piccolo. Corretto? ( soprattutto la formula .. )

Grazie.

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InuY4sha
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In data Mon, 30 Aug 2004 15:02:30 GMT, InuY4sha ha scritto:

La capacità diminuisce con l'aumentare della tensione, perché separi sempre più "le armature del condensatore". L'esponente del gruppo (1-Va/Vo) dipende dal profilo di drogaggio, per quel che mi ricordo....

M

PS, ma A.M. sono io?

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Michele Ancis

"Michele Ancis" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@40tude.net...

sempre

Si allora ci siamo... l'esponente l'ho letteralmente cannato... (devi averlo fiutato con quest'ultimo commento) non è -3/2 ma -1/2 in quanto si ottiene derivando il termine correttivo per la carica nella giunzione sqrt(1-Va/Vo) in funzione del voltaggio applicato Va..

Grazie!

Pensavo di si.. nell'ultima reply al post "Tensione di soglia" c'è la firma M.A. (poi ho invertito .. inavvertitamente) cmq ho pensato fossi te..

Ciao

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InuY4sha

In data Tue, 31 Aug 2004 07:37:03 GMT, InuY4sha ha scritto:

Non ho fiutato niente di particolare, anche se ricordavo 1/2 come esponente. E' che comunque l'esponente può assumere valori diversi, anche "empirici". Ah, e non scriviere MAI *voltaggio* per tensione :)

Si si, è Ciusto :) Dall'ufficio ho il nome per esteso, da casa solo le iniziali.

M
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Michele Ancis

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