ho letto e riletto svariate volte documenti sui transistor, ma non sono mai riuscito ad afferrare il concetto in maniera definitiva, forse anche perch=E9 non riesco ad immaginare le interazioni a livello atomico che avvengono nelle giunzioni. Ecco allora una domanda (anche se da sola non riuscira a spiegare tutti i miei dubbi): da quel che ho capito il transistor (sia npn che pnp) pu=F2 essere pensato come una doppia giunzione; in particolare nel transistor npn la giunzione base-emettitore comporta un movimento di elettroni dall'emettitore alla base. Tuttavia, dato lo spessore volutamente modesto della base non tutti gli elettroni che erano riusciti a scavalcare la giunzione riescono a combinarsi con le lacune, sicch=E9 gi=E0 che sono l=EC sono attratti dal potenziale positivo del collettore per cui passando nel collettore stesso danno luogo ad una corrente di entit=E0 maggiore rispetto a quella della base. Ma perch=E9 partono cos=EC tanti elettroni dall'emettitore se tanto poi non riescono a ricombinarsi? In teoria secondo le leggi della natura tutti i movimenti energetici non possono essere superiori alla causa che li generano, per cui se ho 10 lacune in base, da dove viene fornita l'energia perch=E9 si muovano 100 elettroni, invece di 10 come dovrebbe essere?
dubbio sulla corrente collettore dei transistor?
Aug 15, 2005
4 Replies
In base hai 100 lacune (nel tuo esempio), semplicemente non si ricombinano. In bjt (come anche il mos) e` controllato in *carica*, non in corrente.
Franco
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Il /15 ago 2005/, *zooeb* ignaro delle conseguenze ha scritto:
Ti sei mai chi chiesto perchè mettiamo quella cosa chiamata Vcc? :)
www.switchercove.too.it
xoomer.virgilio.it/fysalvat/switchercove.html
LOL!
Ma perché partono così tanti elettroni dall'emettitore se tanto poi non riescono a ricombinarsi?
Perchè il dispositivo è asimmetrico. In un BJT npn l'emettitore è molto drogato (n-type) proprio perchè deve emettere in prevalenza elettroni e li emette per diffusione in quanto la VBE causa un abbassamento della barriera di potenziale che essi vedono verso la base. A fronte di questo abbassamento anche le lacune della base diffondono verso l'emettitore ma essendo in concentrazione minore (la base è meno drogata dell'emettitore) la corrispondente (densità di) corrente di base è molto minore.
Il fenomeno chiamato in causa è la diffusione e l'energia che muove i portatori a causa di questo fenomeno è legata alla loro concentrazione e alla temperatura secondo fenomeni fisici che trovi illustrati in qualunque buon testo di fisica dei semiconduttori. A grandi linee la cosa puo' essere vista come un gas in cui la particelle in agitazione termica tendono ad allontanarsi verso le zone a minor concentrazione. In particolare cerca modello "drift-diffusion". Il potenziale del collettore agisce solo in seguito quando gli elettroni giunti in base vengono accelerati per "drift" dal campo elettrico ma soltanto quelli che sono giunti in base per diffusione possono essere accelerati: per questo abbiamo l'effetto transistor, cioè la possibilità di regolare la corrente di collettore. Ciao, Zio!
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