ho letto e riletto svariate volte documenti sui transistor, ma non sono mai riuscito ad afferrare il concetto in maniera definitiva, forse anche perch=E9 non riesco ad immaginare le interazioni a livello atomico che avvengono nelle giunzioni. Ecco allora una domanda (anche se da sola non riuscira a spiegare tutti i miei dubbi): da quel che ho capito il transistor (sia npn che pnp) pu=F2 essere pensato come una doppia giunzione; in particolare nel transistor npn la giunzione base-emettitore comporta un movimento di elettroni dall'emettitore alla base. Tuttavia, dato lo spessore volutamente modesto della base non tutti gli elettroni che erano riusciti a scavalcare la giunzione riescono a combinarsi con le lacune, sicch=E9 gi=E0 che sono l=EC sono attratti dal potenziale positivo del collettore per cui passando nel collettore stesso danno luogo ad una corrente di entit=E0 maggiore rispetto a quella della base. Ma perch=E9 partono cos=EC tanti elettroni dall'emettitore se tanto poi non riescono a ricombinarsi? In teoria secondo le leggi della natura tutti i movimenti energetici non possono essere superiori alla causa che li generano, per cui se ho 10 lacune in base, da dove viene fornita l'energia perch=E9 si muovano 100 elettroni, invece di 10 come dovrebbe essere?
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18 anni fa