Ringrazio Giorgio e Maestrale per le riposte ma ho ancora qualche difficoltà. Praticamente nel mio caso dovrei riuscire a calcolare l'impendenza di ingresso e quella di uscita di un transistor "BFG35" che ha i seguenti dati : S11 = .548 -124 S22 = .511 -70.2 Esattamente cosa dovrei fare per convertire i dati di scattering in impedenze ?
Caro NPN, purtroppo l'argomento non e' dei piu' semplici... Il testo che piu' mi e' piaciuto che lo tratta e' "Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design" di Guillermo Gonzalez, 2nd ed, in inglese. Ho pero' trovato stasera un testo in italiano che non mi pare male:
- pag 105 e seguenti per una spiegazione (poco intuitiva) del significato dei parametri S
- la formula 2.16 a pag. 109 per passare da Z a S per un bipolo. Ovviamente l'inversa e' Z=Z0*(1+S)/(1-S). Notare che i parametri S sono sempre riferiti ad un'impedenza caratteristica Z0, che e' praticamente sempre 50 ohm. Si trova un valore piu' basso in qualche raro caso nei data-sheet dei transistor di potenza
- tab. 2.1 e 2.2 alle pagg. 212-213 per le conversioni da S a Y,Z,H e viceversa per i doppi bipoli
- pag. 132-140 per le definizioni di guadagno
- pag. 140 e seguenti per la stabilita'
Sfortunatamente e' tutt'altro che sufficiente usare s11 e s22: come illustrato al par. 2.3 di pag. 127, i termini s12 e s21 fanno si' che le impedenze ad una porta siano influenzate da quelle alla porta opposta. Ad esempio come impedenza di ingresso non vedi Z0*(1+s11)/(1-s11), ma Z0*(1+gamma_in)/(1-gamma_in), con gamma_in definito all'equazione 2.62. gamma_in=s11 solo se gamma_L=0, cioe' se il carico consiste in una impedenza pari a Z0. Lo stesso ragionamento si puo' fare per l'impedenza di carico al variare di quella di ingresso. Le formule delle pagine 132-140 aiutano a capire il guadagno che si ottiene con vari valori di impedenza. Sono complicate da alcune convenzioni difficili da digerire sul modo di definire il guadagno di potenza: vedi definizioni iniziali. Ma non basta: s12 e s21 realizzano un anello di feedback, ed in funzione delle impedenze applicate all'ingresso e uscita si puo' realizzare un amplificatore, ma anche un oscillatore... anzi ci sono un sacco di schemi di oscillatori in cui non e' evidente un feedback esterno al transistor, ma questo oscilla semplicemente in virtu' delle impedenze di carico applicate e dei suoi parametri. Questo fenomeno tende a sparire alle basse frequenze, dove s12 tende ad azzerarsi, riducendo il feedback ai minimi termini.
Comunque, per rispondere alla tua domanda: supponendo che l'impedenza di riferimento sia Z0=50 ohm e che il carico sia anch'esso 50 ohm per cui gamma_in=s11, l'impedenza di ingresso risulta: gamma_in=s11=0.548*(cos(-124)+j*sin(-124)) = -0.306 -0.454j Zin = Z0*(1+gamma_in)/(1-gamma_in) = 50*(1-0.306 - 0.454j)/(1+0.306 +
0.454j) = 18.286 -23.766j ohmCiao,
-- RoV - IW3IPD http://digilander.libero.it/rvise/
Ho visto che c'e' anche la parte II di quel libro:
Ciao,
-- RoV - IW3IPD http://digilander.libero.it/rvise/
A questo ti hanno gia' risposto, e la cosa importante da sottolineare e' che le impedenze che ottieni non sono le impedenze di ingresso ed uscita su cui calcolare l'adattamento, ma sono le impedenze viste da una porta *quando l'altra e' chiusa sull'impedenza di normalizzazione* (di solito 50 ohm). Se calcoli le reti di adattamento con questi valori, ottieni un risultato approssimato.
Le relazioni importanti da tenere a mente sono queste:
gamma_IN = S11 + (S12*S21*gamma_L/(1-S22*gamma_L)) gamma_OUT = S22 + (S12*S21*gamma_S/(1-S11*gamma_S))
dove gamma_IN e gamma_OUT sono i coefficienti di riflessione in ingresso e in uscita, mentre gamma_L e gamma_S sono i coefficienti di riflessione del carico e della sorgente.
Il massimo guadagno in potenza si ottiene quando realizzi l'adattamento simultaneo (simultaneous conjugate match), cioe' devi avere:
gamma_IN = conj (gamma_S) gamma_OUT = conj (gamma_L)
dove conj e' l'operatore di coniugazione.
Prova a risolvere in gamma_S e gamma_L ..
-- M.
male:
Ricordo di avere scaricato tanto tempo fa questo documento.. Se non e' stato corretto ultimamente, c'erano parecchi errori (non di stampa, ma concettuali) specialmente nel capitolo riguardante la stabilita' .. Eventualmente possiamo approfondire il discorso.. E qualche problema simile l'ho notato sui Gonzalez (tutti e due: quello sugli amplificatori e quello sugli oscillatori), ma ora non ricordo con precisione .. I testi del Gonzalez hanno dalla loro parte il taglio pratico, con numerosi esempi ed applicazioni, ma sinceramente il lato teorico non mi e' piaciuto tantissimo ..
-- M.
Come scrivevo, l'ho trovato ieri cercando in rete un testo che potesse aiutare NPN, non l'ho controllato. Speriamo che gli errori fossero in una edizione precedente, sembra interessante.
Qualche errorino c'e' dappertutto... comunque non ricordo, è passato troppo tempo. Quello che ricordo bene e' che il libro sugli amplificatori mi e' piaciuto molto, mentre quello sugli oscillatori non mi ha per niente soddisfatto: troppo superficiale, tutt'altro che esaustivo come casi trattati, troppo orientato all'ADS.
Ciao,
-- RoV - IW3IPD http://digilander.libero.it/rvise/
Grazie Rov e grazie Maestrale1971 ! Mi metto subito al lavoro! e vi faccio sapere tramite newsgroup i miei risultati. Grazie ancora per i vostri preziosi consigli Per Rov un saluto tra colleghi...73!
RadioS sono sempre io NPN perche ho scritto da un pc diverso che ha un altro NIC.Ciao!
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