Ho un mosfet discreto. Sul datasheet, in riferimento al diodo interno ho questo dato Reverse recovery charge typ = 4.9uC. Ipotizziamo per un attimo che il transistor sia ideale e si apra in un tempo nullo. Posso dire che avrò un transitorio all'apertura governato dalla capacità di giunzione del diodo calcolata come C=4.9u / Vds ?
Grazie Ste
-- Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata [cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
No, perche' stai usando la carica accumulata in conduzione diretta (che non c'e`) con la tensione inversa.
La carica accumulata potrebbe essere collegata alla capacita` di diffusione, mentre in polarizzazione inversa (che e` quella che hai quando apri) hai la capacita` di transizione, che per fortuna e` molto piu` bassa.
-- Franco Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
Franco wrote: [...]
ok, il discorso fila. Ritieni si possa ricavare solo dal datasheet, almeno come ordine di grandezza...forse dal tempo di recovery del diodo. Il mos in questione è il seguente
Grazie Ste
-- Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata [cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
Perche' non ti va bene la figura 14 e i parametri di capacita` Coss et similia? Fai condurre il diodo di substrato?
-- Franco Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
mmh...non ho conoscenze così approfondite del dispositivo, direi di no, ma solo a sentimento...potrei essere in errore.
si, ma non del transistor che devo interdire...insomma...meglio passare ad uno schema.
[FIDOCAD ] MC 90 50 0 0 410 MC 90 80 2 1 410 LI 105 60 105 70 LI 105 90 105 105 LI 105 40 105 20 LI 105 20 30 20 MC 105 115 0 0 115 LI 105 105 105 115 LI 105 125 105 135 LI 105 135 30 135 LI 30 135 30 35 LI 30 35 20 35 LI 30 20 20 20 TY 15 25 5 3 0 0 0 * Vac LI 90 80 90 50 LI 90 50 80 50 LI 45 50 50 50 LI 50 50 50 45 LI 50 45 55 45 LI 55 45 55 50 LI 55 50 60 50 LI 60 50 60 45 LI 60 45 65 45 LI 65 45 65 50 LI 65 50 70 50 SA 90 50 è di principio, ma credo si capisca. Sto ragionando su un dimmer a mosfet commerciale. Il principio di funzionamento è chiaro (già utilizzato in una scheda in passato). Quello che non riesco a capire è come possa essere marcato CE senza avere uno straccio di induttanza in serie al carico.Ipotesi:
1) non è CE --> possibile 2) accendere il MOS allo zero-cross e spegnerlo a 90° crea meno disturbi condotti che accendere un TRIAC a 90° e lasciarlo spegnere a 180° --> non vedo che differenza ci sia a meno che il punto qui sotto abbia senso 3) il MOS si spegne non troppo di colpo --> per questo ho tirato in ballo la capacità di giunzione del diodo: anche ipotizzando di interdire all'istante il MOS ci sarebbe da "svuotare" la giunzione prima di aver la corrente a zero...perciò ipotizzavo una commutazione più dolce. O forse il TRIAC è mooolto veloce a chiudersi, non trovo un dato tipo "Turn on time"Spero di aver dato qualche info in più sul dilemma.
Ste
-- Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata [cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
"PeSte" ha scritto nel messaggio news:2pFxh.10260$ snipped-for-privacy@tornado.fastwebnet.it...
A me risulta che sia esattamente così che funzionano i dimmer reverse phase. Paghi con una certa dissipazione sul mos (o sull'IGBT) lo spegnimento più lento, ma puoi fare a meno dei (grossi) induttori che sono invece indispensabili con un triac. Forse viene limitato lo slew rate del segnale di pilotaggio del tuo circuito ?
saluti, simone.bern
Visto che commuti a frequenza di rete, puoi dissipare parecchia energia per ogni spegnimento e accensione. La velocita` di accensione e spegnimento e` controllata dalla resistenza di gate (quanto e`?), dalla capacita` drain gate, ed eventualmente da un paio di condensatori che si possono mettere attorno al mos.
Hai valutato se ti costano di meno due mos oppure un mos e un ponte di diodi?
-- Franco Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
Franco wrote: [...]
27k
non ho ancora avuto tempo di tirar giù lo schema...appena lo faccio lo posto
non ancora, ma ho già visto il circuito con mosfet e ponte su un elektor di un paio di anni fa...
Intanto grazie
Ste
-- Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata [cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
alla luce di ciò mi spiego la resistenza da 27k sul gate...appena tiro giù lo schema lo mando
Grazie Ste
-- Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata [cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.