Sui datasheets specifica quante volte è possibile scrivere una cella di eeprom. Ma quante volte è possibile leggerla prima che si danneggi?
Grazie!
Sui datasheets specifica quante volte è possibile scrivere una cella di eeprom. Ma quante volte è possibile leggerla prima che si danneggi?
Grazie!
"ice" ha scritto
Bella domanda, e si puo' riferire anche alla flash... se faccio:
LABEL GOTO LABEL
continuo a leggere sempre la stessa cella della flash clock/8 volte al secondo, cioe' 500mila nel caso di clock a 4MHz... mi sono chiesto anch'io se nel lungo periodo esiste una forma di "consumo" della cella a livello atomico... se non altro per quanto riguarda la quantita' di carica intrappolata che ne determina lo stato logico.
Claudio F
Non c'e' nessun limite per quanto riguarda la lettura di tutti i tipi di memorie basate su cariche elettriche intrappolate nel SiO2, cioe' eprom, flash, eeprom, earom, ecc. Le cariche si disperdono in ogni caso, in un tempo di solito dell'ordine dei decenni e in funzione di varie condizioni, per esempio della temperatura, ma le letture non hanno nessuna conseguenza.
Grazie ad entrambi per essere intervenuti Ciao!
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