Domanda di teoria:
ho un mosfet con un carico (resistenza) tra alimentazione e drain mentre il source è collegato a massa.
Cosa succede se porto il gate a un potenziale negativo rispetto a massa?
Immagino che il mosfet resti in cut-off, ma gli fa bene? Probabilmente a un certo punto lo strato di isolante si sfracella. Nei data-sheets però non ho trovato nulla a proposito.
Ciao Boiler
Il 13 Ott 2005, 12:31, Boiler ha scritto:
suppongo tu ti riferisca a un mosfet a canale N
se stai all'interno della massima tensione tollerata dal gate che varia da
+/- 20 a +/- 30V dipende dal componente, non hai alcun effetto negativo. Anzi tenere il gate del mosfet al negativo ,quando chiaramente lo devi tenere spento, in alcune applicazioni è quasi obligatorio, vedi convertitore ponte ad H.ciao stefano delfiore
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Certo.
E qui mi parte lo spunto per un'altra domanda. Prima ci dicono che la costruzione del Mosfet è simmetrica, quindi drain e source sono interscambiabili. Poi saltano fuori il tipo N e il tipo P. Per finire vai a prendere in mano il catalogo della Farnell o della Distrelec e vedi denominazioni assurde (HEXFET, OMNIFET, SIPMOS, TOPMOS,...).
Mi stanno prendendo per il c**o o cosa? ;-)
Grazie per la risposta all'altro quesito. Boiler
"Boiler" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...
Tra MOSFET a canale n e a canale p cambia il tipo di drogaggio di substrato: negli nMOS il substrato è di tipo p e quindi in seguito all'inversione superficiale si induce un canale di elettroni, nei pMOS avviene il contrario substrato di tipo n e canale indotto di tipo p. La differenza fondamentale sta nel segno delle tensioni di soglia e nel tipo di portatori
Per finire vai a prendere in mano il catalogo della Farnell o
L' HEXFET è un dispositivo di potenza che per poter portare correnti elevate e sopportare alte tensioni drain-source viene realizzato con una struttura piuttosto diversa da quella dei transistori di segnale. Si tratta innanzitutto di dispositivi verticali (mentre i MOSFET tradizionali sono laterali) e realizzati a celle messe "in parallelo" per incrementare la capacità di corrente complessiva.
Le altre denominazioni non le conosco ma suppongo che si tratti di nomi commerciali differenti per dispositivi funzionanti essenzialmente sugli stessi principi :-)
OK, dopo aver fatto fisica dei semiconduttori rileggerò questo post ;-)
Grazie Boiler
Dimenticavo: la simmetria del dispositivo sta nel fatto che a seconda di come li colleghi il terminale di source può funzionare da drain e viceversa. Mi pare tra l'altro che questo non sia vero per i dispositivi di potenza e che questi siano solo a canale n...
Prendi cmq le ultime due affermazioni con le giuste precauzioni perchè non ne sono affatto sicuro ;-)
"Boiler" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...
In sintesi: nei bipolari la conduzione è affidata a due tipi di portatori (si parla infatti di maggioritari e minoritari). I mosfet al contrario sono _unipolari_ ovvero la conduzione avviene solo tramite elettroni oppure solo tramite lacune. Nel primo caso hai i mos di tipo n, nel secondo quelli di tipo p :-)
OK, leggermente piú "luminoso" ;-)
Boiler
"marco©" ha scritto nel messaggio news:e4r3f.30030$ snipped-for-privacy@tornado.fastwebnet.it...
viceversa.
Dipende, solitamente il substrato è connesso al source e quindi questa cosa non è possibile. Esistono mosfet con 4 poli dove il 4° è il substrato, questi vengono utilizzati in applicazioni critiche di alta frequenza dove è necessario ridurre effetti collaterali come l'effetto body.
Ciao, Igor.
Parlando di mosfet discreti hai perfettamente ragione. Negli integrati source e substrato sono ben sepratati e anche se solitamente li si mettono tutti e due a massa (o a Vdd per i pmos), la connessione va sempre fatta a mano. Per non parlare poi in analogico dove si hanno spesso casi di mos con substrato e source a potenziali ben differenti.
Scola
"marco©" ha scritto nel messaggio news:e4r3f.30030$ snipped-for-privacy@tornado.fastwebnet.it...
inoltre hanno un diodo di protezione interno tra S e D.
spero di non dire una cavolata ma questo impedisce di inveritre la polarita'
"explorer" ha scritto nel messaggio news:3Qr3f.5739$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
Anche io mi ricordavo di questo diodo. Credo però che si tratti di un parassitismo di layout (poi sfruttabile utilmente) piuttosto che di un dispositivo di protezione appositamente inserito
"explorer" ha scritto nel messaggio news:3Qr3f.5739$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
Anche io mi ricordavo di questo diodo. Credo però che si tratti di un parassitismo di layout (poi sfruttabile utilmente) piuttosto che di un dispositivo di protezione appositamente inserito
"explorer" ha scritto nel messaggio news:3Qr3f.5739$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
Anche io mi ricordavo di questo diodo. Credo però che si tratti di un parassitismo di layout (poi sfruttabile utilmente) piuttosto che di un dispositivo di protezione appositamente inserito
"explorer" ha scritto nel messaggio news:3Qr3f.5739$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
Anche io mi ricordavo di questo diodo. Credo però che si tratti di un parassitismo di layout (poi sfruttabile utilmente) piuttosto che di un dispositivo di protezione appositamente inserito
"explorer" ha scritto nel messaggio news:3Qr3f.5739$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
Anche io mi ricordavo di questo diodo. Credo però che si tratti di un parassitismo di layout (poi sfruttabile utilmente) piuttosto che di un dispositivo di protezione appositamente inserito
"explorer" ha scritto nel messaggio news:3Qr3f.5739$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
Anche io mi ricordavo di questo diodo. Credo però che si tratti di un parassitismo di layout (poi sfruttabile utilmente) piuttosto che di un dispositivo di protezione appositamente inserito
"explorer" ha scritto nel messaggio news:3Qr3f.5739$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
Anche io mi ricordavo di questo diodo. Credo però che si tratti di un parassitismo di layout (poi sfruttabile utilmente) piuttosto che di un dispositivo di protezione appositamente inserito
"explorer" ha scritto nel messaggio news:3Qr3f.5739$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
Anche io mi ricordavo di questo diodo. Credo però che si tratti di un parassitismo di layout (poi sfruttabile utilmente) piuttosto che di un dispositivo di protezione appositamente inserito
"nicola scolari" ha scritto nel messaggio news:434e47ee$ snipped-for-privacy@epflnews.epfl.ch...
Si, il mio intervento era riferito ai mosfet discreti, non integrati.
Che sono quelli che intendevo..
Ciao, Igor.
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