Degenerazione del source

E' l'effetto in piccolo segnale della tensione di source non nulla rispetto al substrato (sovente chiamato bulk o body, da cui la b nel simbolo gmb). Un transistor MOS ha quattro terminali e non solo tre, e quando il source non viene collegato al substrato si ha un effetto in pi=F9 da considerare nel calcolo della corrente di drain e quindi un generatore di corrente in pi=F9 nel modello di piccolo segnale. Immagino che la convenzione adottata nello schema di sinistra sia di considerare implicitamente il substrato collegato alla massa, cosa che si fa spesso e volentieri con i dispositivi integrati, ma meno con quelli discreti dove molte volte il source ed il substrato sono collegati internamente. Quando la convenzione non =E8 chiaramente specificata, sarebbe buona creanza utilizzare un simbolo circuitale in cui la connessione del substrato =E8 esplicita:

Ho capito. C'è un motivo per cui si preferisce questa visualizzazione con due generatori, invece di considerare lo spostamento del threshold quando si calcola gm (inserendo così la correzione nel generatore già presente)?

Sì, scusa, ho dimenticato di specificare che si tratta circuiti integrati.

Grazie e ciao Boiler

Perch=E9 dato che sul source c'=E8 un segnale rispetto al substrato, questo segnale ha un effetto sulla corrente anche in regime dinamico. Puoi pensare che dato che la tensione di soglia si sposta dinamicamente, c'=E8 un effetto in pi=F9 da considerare e quindi un generatore in pi=F9. Naturalmente, ci sono diverse maniere per considerare l'effetto del substrato ed alcuni modelli utili anche per fare calcoli a mano (come l'EKV) non lo trattano come una variazione della tensione di soglia, ma sempre hanno il generatore nel modello equivalente di piccolo segnale.

Avevo capito :-)