Ho questo circuitino, che dovrebbe funzionare da generatore di corrente, ovviamente a patto di tenere il jfet in zona di saturazione, ma c'e' una cosa che non mi torna: dal data sheet ho letto che la Idss dovrebbe andare da 1 a 5mA, ma a me simulando il circuito non risulta!
Dove sbaglio?
VCC +20V + | | | | | .-. | | RL 1K | | '-' | | | | |-+ |----->| 2N5484 | |-+ | | | | ---------| | | | === GND
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Francesco wrote in news:HfLVc.51629$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it:
Ti viene questo?
--- Operating Point ---
V(vds): 13.0659 voltage V(vdd): 20 voltage Id(J1): 0.00693414 device_current Ig(J1): -7.59e-009 device_current Is(J1): -0.00693413 device_current I(R1): 0.00693414 device_current I(V1): -0.00693414 device_current
Questo è il modello spice del 2N5484 che c'è di default su SwCad III:
.model 2N5484 NJF(Is=.25p Alpha=1e-4 Vk= 80 Vto=-1.5 Vtotc=-3m Beta=3.0m Lambda=10m Betatce=-.5 Rd=10 Rs=10 Cgs=4p Cgd=4p Kf=3e-17 mfg=Siliconix)
La stessa simulazione, fatta con un modello diverso (2N5484 della Philips) porta invece a questo risultato:
--- Operating Point ---
V(vds): 16.3982 voltage V(vdd): 20 voltage Id(J1): 0.00360184 device_current Ig(J1): -1.63983e-011 device_current Is(J1): -0.00360184 device_current I(R1): 0.00360184 device_current I(V1): -0.00360184 device_current
Questo è il modello:
.MODEL 2N5484/PLP NJF
Già sarebbe normale probabilmente su un circuito reale (i jfet hanno una bella dispersione delle caratteristiche), poi tutto dipende dal modello che hai usato nella simulazione. Sicuro che corrisponda ai datasheet?
AleX
La mia simulazione e' identica alla prima che hai postato tu, cioe' con il modello di default di SwCad III.
In realta' sul datasheet il valore da 1 a 5mA era valido con Vds = 15 e Vgs = 0, ma nonostante abbia riprovato con questi valori, e cioe' mettendo a 22 la Vcc il risultato e' sempre scorretto, mi da una Idss adesso di 7.044mA
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Francesco wrote in news:zL4Wc.50465$ snipped-for-privacy@twister2.libero.it:
Quando scrivi "da 1 a 5" intendi come dispersione delle caratteristiche (min/typ/max)?
Beh, direi che evidentemente che il primo modello non corrisponde ai datasheet, mentre il secondo è più aderente (almeno sulla Idss, poi bisognerebbe vedere gli altri parametri). Potrebbe trattarsi di produttori diversi, anche se comunque questo aspetto della dispersione delle caratteristiche andrebbe tenuto in considerazione quando si fa una simulazione.
BTW, se anziche chiudere il gate a massa, inserisci un generatore Vgs e fai la DC Sweep variando i due generatori ti viene fuori la caratteristica d'uscita, eventualmente la puoi confrontare con i datasheet (se riportata)
AleX
AleX wrote: ...cut...
esatto!
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Francesco wrote in news:ML7Wc.50665$ snipped-for-privacy@twister2.libero.it:
Ho cercato un po' in giro, guarda questi tre diversi datasheet:
Concordano sul 1-5mA.
Però ci sono un paio di cose che mi danno da pensare: sul terzo link che ti ho indicato si vede chiaramente come absolute ratings ID=30mA.
Seconda cosa: hai vistola nota accanto a IDSS? Si sta parlando di funzionamento ON/OFF (quindi commutazione) e la nota stabilisce la modalità di misura della IDSS: "Pulse Test: Pulse Width
Ho guardato i link che mi hai proposto, ed in effetti le tue considerazioni sono giuste, specialmente considerando come variano le caratteristiche di uscita, penso si possa considerare accettabile la risposta che ricevo dal simulatore!
Fra l'altro, attraverso il materiale che mi hai dato, mi rendo conto ancora meglio di cosa si intenda per dispersione delle caratteristiche :-).
Toglimi un ultima curiosita': Per il circuito in oggetto, ho fatto riferimento al data sheet per stabilire la corrente Id, ma la formula per calcolarla Id= K( Vgs - Vt )^2 , dove lo trovo quel K?
Grazie mille per l'aiuto che mi stai dando!
Francesco.
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Francesco wrote in news:DSfWc.54945$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it:
Certamente!
Tra l'altro i risultati delle simulazioni vanno sempre presi con le molle (ovvero con il dovuto scetticismo), perchè quello che esiste è il circuito reale, non il suo modello.
Il modello, per definizione, è una rappresentazione della realtà, ma non è la realtà stessa. Bisogna tenere conto del grado di approssimazione usato e di quali sono i limiti di applicabilità del modello. E in ogni caso per quanto possa essere dettagliato un modello (cosa non sempre auspicabile se porta all'aumento dei tempi di calcolo e della sensibilità del modello) ci saranno comunque parametri aleatori.
Ad esempio si è visto che tra i due modelli il secondo restituisce una Id più prossima al valore dei datasheet, ma non ci garantisce che sia in assoluto il modello migliore: magari nella simulazione in regime dinamico, ai piccoli segnali, la risposta in frequenza è diversa perchè le capacità parassiti sono state modellizzata (o modellate? boh) diversamente.
Questo vale per qualunque tipo di simulatore.
Già. :-) I jfet tra l'altro sono esemplari in dispersioni di caratteristiche. Ho un vecchio manuale dove sono caratterizzati per "processo realizzativo" invece che per sigla del componente ;-)
Penso per via sperimentale (oppure dai data sheet), visto che le relazioni a livello di elettroni e lacune sono un po' diverse. Guarda il primo grafico in alto a sinistra (pag.4) sui datasheet della vishay.
AleX
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