volendo controllare elettronicamente (livelli TTL) l'accensione di un carico di cui non si conosce a priori la corrente assorbita, o meglio si sa che può variare tra un min (anche 0 mA) e un massimo (qualche centinaio di mA), quale configurazione conviene usare ? la solita con carico sul collettore verso Vcc (npn) o verso massa (pnp) non mi sembrano indicate poichè la polarizzazione va dimensionata in base alla corrente di collettore, che è anche quella assorbita dal carico. in questo caso come si fa ?
"Marco Trapanese" ha scritto nel messaggio news:HQALb.238858$ snipped-for-privacy@twister1.libero.it...
carico
può
Se non ci sono particolari necessita' come tempi di commutazione, io procederei con lo schema classico calcolando la polarizzazione Ib in funzione della massima corrente di collettore Ic. Con la minima corrente assorbita il transistore e' ipersaturo e quindi impieghera' molto tempo a spegnersi.
Saluti
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GG
Ogni giorno, ogni ora ti cambia: ma mentre negli altri la rapina del tempo
e' piu' evidente, in te invece non e' manifesta poiche' non avviene sotto i
tuoi occhi - Seneca
In un circuito ON-OFF non c'è bisogno di una polarizzazione. Devi solo collegare una resistenza tra l'uscita logica e la base del transistor, dimensionata in modo che riesca a saturare il transistor con il carico che assorbe la maggior corrente. Se poi il carico è minore la corrente di collettore sarà anch'essa minore. Sprecherai solo qualche microampere in più sulla giunzione base-emittore. (Sempre se ho capito il problema.)
Ciao. Giuliano
Marco Trapanese ha scritto:
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Non mi è molto chiaro dove è il problema: non puoi usare un banale darlington? Se no, perché? A naso, per mantenere un beta alto e allo stesso tempo una VceSat bassa, proverei una cosa del genere:
[FIDOCAD ] MC 120 30 1 0 080 MC 90 60 0 0 300 MC 105 75 0 0 300 LI 120 40 120 65 LI 105 70 105 75 LI 105 30 105 25 LI 105 25 120 25 LI 120 25 120 30 MC 120 90 0 0 040 LI 120 25 120 20 MC 120 20 3 0 010 LI 120 85 120 95 LI 85 60 90 60 TY 125 35 5 3 0 0 0 * Rcarico TY 20 55 5 3 0 0 0 * Da uscita TTL LI 105 40 105 25 LI 105 25 105 30 MC 100 45 0 0 030 MC 85 45 0 0 200 MC 70 60 0 0 080 MC 65 60 0 1 000 LI 65 60 70 60 TY 70 50 5 3 0 0 0 * Rb LI 85 60 85 45 LI 80 60 90 60 LI 105 50 105 35 LI 110 45 120 45
Se non ti piacciono invece i bipolari credo che ormai i MOS "logic level" si sprechino...
Ciao! Piercarlo
PS - Forse non ho capito niente; in questo caso, come non detto! :-)
in realtà volevo solo vedere se c'era qualcosa di meno "grezzo" rispetto al sovradimensionamento della corrente di base necessaria per saturare il BJT quando il carico assorbe la massima corrente. questa soluzione l'avevo già montata e funziona, ma cercavo di capire se c'era un trucco per far in modo che il transistor non si preoccupi proprio di come funziona il carico (una specie di relè insomma). ad ogni modo, grazie lo stesso per le idee e per lo schemino con il darlington.
ehm.. ehm... anche se ho dato un esame sui MOS dico la verità: non sono in grado di usarli con facilità... chiedo troppo se ti domando di postarmi uno schemetto con un MOS che faccia questa funzione ? :)
thx! Marco
no, no, anzi! sono io che sono stato forse un po' criptico!
Non posso, purtroppo. Dei MOS diffido profondamente in quanto a "tradirti" non ci mettono potenzialmente ne uno ne due. Ne parlano tanto bene ma non mi fido lo stesso! :-(
Se usi un bipolare, fai come dice GG: consideri la corrente massima e il beta minimo del transistore. Negli altri casi sara` in saturazione profonda. Se vuoi uno spegnimento non in tempi bibilici, puoi mettere un condensatore di accelerazione in parallelo alla resistenza di base.
Oppure usi un mos logic level, e ti dimentichi di (quasi) tutti i problemi.
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Franco
Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
(L. Wittgenstein)
Il componente in sè è affidabile ma richiede, imho, troppo "occhio" nel progetto del layout per evitare che si incasini e autoscilli e quindi, sempre imho, lo ritengo inadatto ai lavori più o meno "pasticcioni" che faccio come dilettante. I MOS rappresentano, credo, la combinazione peggiore di fattori rispetto al rischio di autoscillazioni: alta transconduttanza e alta impedenza di comando, quindi alta amplificazione di potenza. Aggiungici pure una banda passante di svariate decine di Megahertz (almeno) e hai un quadro della situazione non precisamente invitante: basta una pista un po' più lunga o "contorta" e sei fatto.
Per conto mio posso raccontarti un'esperienza curiosa. La mobo del mio PC incorporava, come stabilizzatore lineare in continua, un MOS CET703 (bassa RdsOn ma soprattutto bassa Vgs - 0,7 Volt) utilizzato come riduttore di tensione da 5 a 3,3 volt per alimentare le memorie DIMM (la mobo consente sia l'uso di SIMM che di DIMM). La mobo l'ho montata in vari case prima di trovare quello definitivo e "giusto (come ingombri). Ebbene, in alcuni case il MOS scaldava da pazzi mentre in altri funzionava a temperature più ragionevoli. L'unica variante fisica erano probabilmente solo le differenti capacità parassite esistenti tra mobo e base metallica sottostante. E in ogni caso, qualunque fosse il contenitore, spesso il PC si bloccava per problemi di memoria "inspiegabili".
Alla fine mi sono stufato, ho sostituito il mos con un bipolare D44H parallelandolo con una resistenza di potenza (qualche Ohm) che fornisse sufficiente corrente alle DIM: non solo ora il tutto scalda in modo molto più "umano" ma sono pure spariti i blocchi del PC (almeno quelli generati da problemi di accesso alla memoria RAM; per altri problemi, connessi al fatto che il chipset ALI-AGP è un po' una "primadonna", qualche blocco si fa vivo tutt'ora ma con una periodicità ragionevole - una volta ogni 8-9 sessioni, prima era due ogni tre...).
"Piercarlo" ha scritto nel messaggio news:1g7cfwl.lrgm2p1ag6y00N% snipped-for-privacy@tiscali.it...
... snip...
Oltre ai problemi segnalati c'e' anche da dire che i MOS di segnale hanno la tendenza a distruggersi per scariche elettrostatiche... Ho perso il conto dei MOS danneggiati senza apparente ragione.
Saluti
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GG
Ogni giorno, ogni ora ti cambia: ma mentre negli altri la rapina del tempo
e' piu' evidente, in te invece non e' manifesta poiche' non avviene sotto i
tuoi occhi - Seneca
così ho fatto, mi sembrava però un po' brutto sovradimensionare tutto quanto perchè non riuscivo a svincolare l'alimentazione del carico da quella del transistor.
problemi.
ah! ora che hai detto sta cosa ti arriva la domanda di rito.... :) hai voglia di indicarmi uno schemino che usi un mos come interruttore ? e quali problemi dovrei considerare ?
Se il tuo carico e` "intrinsecamente lento" va benissimo anche il bipolare, eventualmente con un condensatore di accelerazione in parallelo alla R di base.
Al posto dell'npn metti un mos a canale n, con una resistenza in serie al gate di un centinaio di ohm, e devi solo garantire che il pilotaggio del mos arrivi fino a 10V per mos normali o a 5V se usi un mos di tipo logic level. Schema: source a 0V, gate con la resistenza in serie al pilotaggio, carico collegato fra tensione positiva e drain.
Riscaldamento del mos (se e` troppo piccolo) e quansi nient'altro. Il tutto pero` dipende anche dal tipo di carico che vuoi pilotare, tensioni/correnti, velocita` e frequenza...
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Franco
Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
(L. Wittgenstein)
uso spesso pilotare da micro piccoli carichi, dove la frequenza di accensione/spegnimento si può considerare nulla. come potenza diciamo che non supero mai i 5V - 300 mA. In generale, quali sono i criteri progettuali per cui in situazioni del genere si preferisce usare un mos piuttosto che un bipolae ?
La ragione molto semplice e` che un mos a bassa tensione si comporta meglio di un bjt. Quando accendi un bjt hai sempre una caduta di tensione in saturazione (centinaia di millivolt), mentre con un mos, che ha un comportamento resistivo, puoi avere cadute di tensione molto piu` basse.
Inoltre se vuoi usare un bipolare ben saturo, con 300 mA di corrente di collettore, dovresti dargli qualche decina di mA di base, e non e` detto che il micro ce la faccia ad erogare tutta quella corrente. Se metti un darlington hai lo svantaggio che questo non puo` saturare, e la caduta di tensione sullo switch chiuso e` decisamente elevata (dell'ordine del volt o giu` di li`).
AL di sotto di 100-200V i mos sono transistori migliori dei bjt. Il solo motivo per cui potrebbe preferirsi un bjt e` che questo a pari corrente costa un po' di meno e si accende con meno di un volt (importante per apparecchiature alimentate da una pila a 1.5V).
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Franco
Um diesen Satz zu verstehen, muß man der deutschen Sprache mächtig sein.
"Franco" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@hotmail.com...
... snip...
Aggiungerei solo che per un progetto hobbystico sia meglio evitare i MOS per la nota antipatia alle scariche elettrostatiche (a meno di non utilizzare MOS protetti, per esempio con un clamp di diodi zener).
[MODE OT: on]
E' evidente che per capire la frase bisogna sapere il tedesco ;-). Mi piaceva di piu' l'altra.
[MODE OT: off]
Saluti
-- GG
Ogni giorno, ogni ora ti cambia: ma mentre negli altri la rapina del tempo e' piu' evidente, in te invece non e' manifesta poiche' non avviene sotto i tuoi occhi - Seneca
scusate se mi intrometto ma io avrei un problema simile a quello di Marco. Dovrei poter cortocircuitare a comando una resistenza (di valore variabile) messa in serie ad una seconda resistenza di valore molto minore Utilizzando un Mos posso arrivare al mio scopo. A grandi linee dovrebbe essere come nello schema che allego
[FIDOCAD] MC 120 50 1 0 080 MC 120 75 1 0 080 MC 80 55 0 0 410 LI 95 45 95 30 LI 95 30 120 30 LI 120 30 120 50 LI 120 60 120 75 LI 120 85 120 115 LI 95 115 120 115 LI 95 70 120 70 LI 95 65 95 70 MC 80 55 2 0 000 TY 65 45 5 3 0 0 0 * Vcom LI 95 30 50 30 LI 95 115 55 115 MC 50 70 0 0 460 LI 50 70 50 30 LI 50 90 50 115 LI 50 115 55 115 TY 125 80 5 3 0 0 0 * R2 TY 125 55 5 3 0 0 0 * R1 TY 30 75 5 3 0 0 0 * Vin
Grazie
"Franco" ha scritto nel messaggio news:btsh1t$9ihnk$ snipped-for-privacy@ID-60973.news.uni-berlin.de...
"sasha" ha scritto nel messaggio news:btuuhc$mum$ snipped-for-privacy@lacerta.tiscalinet.it...
variabile)
E' possibile fare cio' che desideri con un mosfet P con source collegato a Vin. Il MOS si accende quando Vcom e' collegato a massa. In parallelo al gate ed al source inserisci un diodo zener e fra gate e Vcom una resistenza in serie. Hai particolari esigenze di commutazione?
Saluti
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GG
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"GG" ha scritto nel messaggio news:PTRMb.105152$ snipped-for-privacy@news4.tin.it...
resistenza
No, non ho particolari esigenze. Un ulteriore domanda: ma se come tensioni di comando utilizzassi un partitore RC riuscirei ad avere una specie di parzializzazione dal valore massimo a 0? In poche parole dovrei creare un interruttore che dopo un secondo (+ o - non ho problemi di precisione) passa dalla saturazione all'interdizione (se per un po' di tempo è nella zona attiva non interessa). Il MOS mi interessa perchè devo avere piccole perdite nel momento iniziale per avere la corrente massima. Grazie
segue schema
[FIDOCAD] MC 125 50 1 0 080 MC 125 75 1 0 080 LI 100 45 100 30 LI 100 30 125 30 LI 125 30 125 50 LI 125 60 125 75 LI 125 85 125 115 LI 100 115 125 115 LI 100 70 125 70 LI 100 65 100 70 LI 100 30 55 30 LI 100 115 60 115 LI 55 115 60 115 TY 130 80 5 3 0 0 0 * R2 TY 130 55 5 3 0 0 0 * R1 MC 15 70 0 0 460 TY 0 70 5 3 0 0 0 * Vin LI 15 70 15 30 LI 15 90 15 115 LI 55 40 55 30 LI 55 50 55 70 LI 55 80 55 115 LI 55 115 15 115 LI 15 30 55 30 LI 85 55 75 55 LI 75 55 75 65 LI 75 65 55 65 TY 60 80 5 3 0 0 0 * Rcom TY 60 45 5 3 0 0 0 * Ccom MC 85 55 0 0 420 MC 55 70 1 0 170 MC 55 40 1 0 080
"sasha" ha scritto nel messaggio news:bu1g68$mfp$ snipped-for-privacy@lacerta.tiscalinet.it...
... snip...
Diciamo di si' (almeno dal punto di vista teorico). La realta' e' che risulta difficile rallentare la commutazione di un mos (il MOS commuta "principalmente" quando la tensione VGS e' nei dintorni del valore di soglia indicata nei datasheet con VGSth). Se usi un MOS standard, la tensione di soglia e' dalle parti dei 4V-4.6V. E' chiaro che per ritardare la commutazione dovresti fare in modo di tenere la tensione di comando alla valore di soglia per il tempo di ritardo desiderato. Difficile a farsi con una semplice rete RC. Probabilmente con un paio di operazionali dovrebbe essere possibile.
non
per
corrente
Il MOS che hai indicato e' un N e non un P. Se intendevi usare un P, va cappottato verticalmente.
Saluti
--
GG
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tuoi occhi - Seneca
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