1N400x

Il giorno Tue, 9 Feb 2010 17:42:23 +0100, "F. Bertolazzi" ha scritto:

Si, è garantita la tensione minima inversa, ma probabilmente molti 1

-- ciao Stefano

Il giorno Tue, 9 Feb 2010 17:42:23 +0100, "F. Bertolazzi" ha scritto:

Si, è garantita la tensione minima inversa, ma probabilmente molti 1N4004 terranno 1000V anche loro, è solo una selezione fatta sulla produzione dei diodi

Mi era partito il msg prima che finissi la risposta, sorry.

-- ciao Stefano

A giudicare da queste pagine qualche differenza sembrerebbe esserci:

Devo dire che pero', tra tutte le versioni di datasheet 400x in rete, non ne ho trovata alcuna col grafico denominato "FIGURE 10" del primo link. Ho il sospetto che qualche decennio fa ci fossero effettivamente delle differenze che forse ora non ci sono piu', ad esempio nello spessore del layer I della struttura PIN: all'aumentare dello spessore aumenta la tensione di breakdown inversa, pero' aumentano anche la carica immagazzinata in diretta e la tensione di soglia. Ho anche dei seri dubbi che i diodi vengano selezionati in fase di produzione, perche' in tal caso solo pochissimi esemplari risulterebbero inferiori al 4007 e sarebbe piu' semplice eliminarli. Ma magari mi sbaglio...

Ciao,

RoV:

Interessantissimo, anche per altri motivi.

Anche.

Penso sia qui il punto che mi sfuggiva: per avere una tensione inversa maggiore la zona di deplezione deve essere più spessa. Ma questa zona si forma solo in presenza di tensione inversa, ed è di spessore proporzionale alla tensione effettivamente applicata, quindi, a 30 V, avrà lo stesso spessore sia in un 1N4007 che in un 4001.

Credo che siano tutt'ora prodotti col metodo "antico", ovvero "in verticale", insomma non epitassiale e che quindi la tensione massima di breakdown sia proporzionale al tempo di esposizione al drogante "opposto" a quello già presente nel wafer.

No, caduta diretta e tempo di recupero inverso cambiano.

No, lo spessore della regione svuotata dipende dal drogaggio. Per salire di tensione bisogna drogare di meno e fare la zona svuotabile piu` spessa. Entrambi i fattori contribuiscono ad aumentare la caduta diretta.

Non credo che ti sbagli in questo caso degli 1N400x. Pero' nei casi di memorie, pld, transistor, ecc. dove vengono vendute varie versiono dello stesso componente piu' o meno veloci, con piu' o meno guadagno, perdite, ecc. vengono selezionati in base ai test, marchiati di conseguenza e messi in commercio con prezzi diversi. Spesso pero' succede che la produzione vada meglio del previsto e cosi' non si ottengono abbastanza componenti di classe inferiore rispetto alle richieste del mercato. In questo caso, per motivi commerciali, si marchiano componenti di classe superiore come classe inferiore e tutti sono contenti.

Franco:

Grazie. In effetti aspettavo la tua risposta.

Una domanda, però: i diodi varicap come funzionano, allora?

Il giorno Tue, 09 Feb 2010 22:31:27 GMT, "RoV" ha scritto:

Può darsi che i diodi non siano tutti uguali all'inizio, il mio discorso veniva dalle prove fatte quando, non avendo a disposizione diodi 1N4007 ma solo 4004 in una situazione dove veniva rettificata la 380, ho provato a mettere i 4004 collegati con una resistenza in serie ad una tensione di circa 700VDC per vedere se andavano in breakdown.

Su una decina di diodi provati nessuno ha ceduto a quella tensione, per cui ho pensato che potessero essere dei 4007, comunque erano molto al di sopra della soglia minima.

E' vero che variando il drogaggio e la depleted zone si possono ottenere caratteristiche diverse, secondo me con 1N400x non lo fanno.

Però magari usando quelli di un altro produttore questo non è più vero.

-- ciao Stefano

Il 10/02/2010 13.41, SB ha scritto:

Proprio quello a cui stavo pensando: chissa' quale e' la differenza di costi indistriali tra 7 produzioni diverse e una sola con 7 marchiature differenti (ovviamente considerato il campo di applicazione dei diodi in oggetto).