Hallo Gruppe,
es gibt ein Gate, aber Source und Drain sind eigentlich nur per
MOSFETs haben diese Symmetrie Source/Drain aber m.W.n. nicht. Jetzt habe
schematisch sind auch MOSFETs im Aufbau jeweils symmetrisch dargestellt.
falsch verstanden?
Johannes
-- >> Wo hattest Du das Beben nochmal GENAU vorhergesagt? Kosmologen: Die Geheim-Vorhersage.
Am 30.07.2016 um 19:23 schrieb Johannes Bauer:
-- ---hdw---
Am 30.07.2016 um 19:23 schrieb Johannes Bauer:
Die meisten JFETs sind symmetrisch, aber nicht alle. BF862 ist es, BF512 glaub' ich nicht.
In unserer 3.3V-Welt braucht das eh keiner.
Sind viele. Daher kann man sie auch gut als elektronischen Schalter, Sample Gate und so weiter verwenden.
MOSFETs haben bis auf Spezial-ICs die fuer solche Anwendungen unangenehme Eigenschaft, eine parasitaere Substradiode zu besitzen. Diese beginnt bei etwa 600mV in umgekehrter Richtung zu leiten.
Hier wird das ein wenig erklaert:
Es gab frueher Funkgeraete, die zwecks Sende/Empfangsumschaltung FETs im Rueckwaerstgang" benutzten.
Im HF Bereich ist man laengst unterhalb 3.3V gelandet. Ein BFP840 wuerde da z.B. bereits abfackeln. Ich hatte mal was aehnliches als Pulser fuer ein Experiment genommen und dachte, 4-5V muss der doch ganz kurz abkoennen, nur ein paar Minuten, aber ... pfufff ... kaputt.
-- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
e
aber
.Dann hast du nicht genau genug hin geschaut.
Ein MOSFET ist so lange symmetrisch, bis ein Ende des Kanals mit dem Substrat verbunden wird. Dieses Ende des Kanals ist ab jetzt Source, das andere Ende des Kanals wird Drain des MOSFETs.
Diskrete MOSFETs haben alle [1] diese Verbindung zwischen Source und Substrat. MOSFET in integrierten Schaltungen aber oft nicht.
war
XL
Gab? Gibt:
Die gibt es auch als Array und in Designs habe ich meist SO-Viererpacks benutzt. Wenn alle vier von der gleichen Stelle des Wafers sind, hat man sehr nahe aneinanderliegende Bahnwiderstaende und Thresholds.
-- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
Aber auch nur so lange es sich um planare MOSFETs handelt. Vertikale Power MOSFETs sind auch ohne die Substratverbindung nicht ganz symmetrisch. Offensichtliches Beispiel: Vdg kann deutlich groesser als die typischen Vgs von +/-20V.
Gibt's immer noch, z.B. von Calogic, aber sind teuer und nicht einfach beschaffbar.
Gruss Klaus
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-- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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