Nogen som har fundet nogle "How Dual Gate FET's work" guides på nettet eller har ti minutter til at forklare præcis hvad de gør og hvordan man evt. regner på dem ?
f.eks.
Signal 20mVpp ind på G1 og regulerbar DC på G2 så kan man styre forstærkningen ?
Hvordan sætter man f.eks et regne stykke op for sådan en hvis man ønsker
10gg forstærkning af et HF signal på eks. 433,92MHz ?
Mine "gamle" skolebøger omtaler ikke denne slags fet :(
Jeg har hørt at GaAs dual gate er "bedre" end andre til HF hvorfor egentligt det ? hvad skal man kigge efter hvis man skal fuske med HF modtagere når man kigger på transistorere... det eneste jeg kender til er at Ft skal være så høj som muligt :-D
Google på "dual gate mosfet" giver en del at se på. Men at forklare hvordan den PRÆCIST virker kan ikke lade sig søre på 10 minutter. Fra ex Telefunken / Vishey kan man finde gode application notes.
At man kan styre forstærkningen i transistoren, betyder ikke at man umiddelbart kan opstille regnestykket for en forstærker med tilhørende afstemning og forsyningskredsløb. Ofte bruges dualgate mosfet'en i mixer og AGC kredsløb. Dertil kommer at tilbagevirkningen fra indre kapaciteter er lille, hvorfor det ofte ikke er nødvendigt med stabiliseringskredsløb. I den sammenhæng minder den lidt om en cascode kobling.
Det bliver nok svært, at lave en præcis G(VG2) beregning over det. Og da denne styrespænding gerne anvendes i forbindelse med modkoblingssløjfer, så er det også temmelig ligegyldigt, blot at G kan varieres indenfor et nødvendigt, rimligt (og tilgængeligt) spændingsområde fra fejlforstærkeren. Ønsker man sig en specifik forstærkning, så kan man jo modkoble sig ud af missæren, dvs. have nogle uafkoblede drain og source modstande.
Ja, undskyld, er de for "gamle" til at illustrere princippet i et flergitter-rør? Se f.eks. hvordan man blander i et flergitterrør vs. blandingen i en dual gate MOSFET.
egentligt
man
Støjtallet! Hvad nytter det at smække en super-høj Ft transistor i et HF-indgangstrin, hvis dens egenstøj er spedt spektrum? :-)
Udviklingen indenfor HF - faktisk SHF, UHF og evt. VHF - har gået rigtigt stærkt indenfor de sidste 30 år.
Både MOSFET (incl. dobbelgates) og bipolare transistorer er blevet væsentligt bedre og det kan betale sig, at se sig godt for, hvis ønsket er en rimelig god superheterodynmodtager.
Kravet til HF-trinet/forstærkeren er, at det kan tåle et stærkt signal uden nævneværdig forvrængning/krydsmodulation og samtidig have lav støj.
Forstærkningen skal netop være så stærk at HF-trinets lave støjtal dominerer over resten af superheterodynmodtageren. Dog skal forstærkningen sænkes hvis det primære krav er storsignalhåndteringen - dette gælder især på kortbølgebåndet.
Et modstridende - især i batteridrevet udstyr - er ønsket om lav spænding og lavt strømforbrug.
Styring med AGC på HF-trinet skal gøres med omtanke, da både dobbel-gate FET og bipolare transistorer ændrer arbejdspunkt og dermed belastningsimpedans overfor evt. afstemte resonanskredse.
Specielt enkel/dobbel gate (MOS)FET kan med fordel, for frekvenser højere end ca. 1MHz, AGC kontrolleres med PIN-dioder på drain-udgangen. FETs er lineare på gaten. Storsignalhåndteringen stiger med stigende drain-dæmpning. Bipolare transistores forvrængning kan ikke med samme succes dæmpes på kollektor, da forvrængning også kommer fra basis.
Dette var kravene til HF-trinnet.
**Ældre transistorer** Nu til lidt historisk om mere eller mindre kendte transistorer:
40673 (Kredsløbsstøjtal 3,0 dB@145MHz Kilde: OZ november 1988, side
625-630 - rigtig god kort artikel om optimering af en antenneforstærker til 2 meter båndet).
3N204 (Kredsløbsstøjtal 2,5 dB@145MHz Kilde: OZ november 1988, side 625-630) BF960 (Databladsstøjtal 2,8 dB@800MHz) BF981 (Kredsløbsstøjtal 1,0 dB@145MHz Kilde: OZ november 1988, side 625-630) MPF122
Fælles for mange af ovenstående transistorer er, at dér hvor støjtallet er lavest er storsignalhåndteringen ikke optimal.
Storsignalhåndteringen i bipolare transistorer afhænger af kollektorstrømmen og (mest)kilde og (mindre)belastningsimpedansen.
Storsignalhåndteringen i MOSFET,FET transistorer afhænger af source-strømmen og kilde(noget) og belastningsimpedansen(meget).
Søg efter databladsinformation på nettet og kig især på graferne.
**Nyere transistorer**
Her er det muligt at finde nyere dobbel-gate (MOS)FET:
formatting link
F.eks. 3SK183 (ca.= BF966S, CF300(GaAs)) (Databladsstøjtal 1,8 dB@800MHz):
formatting link
-
Enkelt-gate FET:
CFY30 (GaAs) (Databladsstøjtal 1,4 dB@4GHz):
formatting link
-
Schottky junction FET: ATF-34143; SHF MESFET transistor med et teoretisk Fmin støjtal på
0,1dB@1GHz og et reelt støjtal på 0,5dB@5GHz.
Datablad:
formatting link
formatting link
-
SiGe halvlederlegeringen giver transistorer med lav støj, storsignalhåndtering, konkurrencedygtig lav pris og lavt strømforbrug. Ideelt til mobiltelefoner og trådløse netkort til computere. Mange SiGe transistorer har gode storsignalegenskaber, samtidig med lav støj og gode impedans-tilpasningsmuligheder:
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.