W dniu 05.05.2019 o 05:51, Queequeg pisze:
Z ruchliwości nośników, elektrony w ubszarze N poruszają się szybciej od dziur w obszarze P.
- Vote on answer
- posted
4 years ago
Takie tam pytanie filozoficzne ;)
Loading thread data ...
- Vote on answer
- posted
4 years ago
Ni cholery nie pamiętam. Ale na pewno z różnic prędkości przemieszczania się dziur/elektronów.
- Vote on answer
- posted
4 years ago
Dnia Sun, 5 May 2019 21:04:59 +0200, RoMan Mandziejewicz napisał(a):
To sie w mosfetach nie powinno objawiac ?
Chodzi mi po glowie, ze te pnp komplementarne byly naprawde komplementarne czestotliwosci mialy te same.
Ale nie wszedzie byly takie pnp dostepne. Dawniej to chyba te "do odchylania" nie mialy konkurencji, teraz chyba mikrofalowe.
J.
- Vote on answer
- posted
4 years ago
W dniu 2019-05-05 o 21:04, RoMan Mandziejewicz pisze:
Ja tam nie wiem, mnie uczono że to npn są minimalnie szybsze i wynika to właśnie z różnicy w szybkości nośników. W n nośnikami są elektrony, rzeczywiste nośniki. Generalnie producenci się starają żeby elementy które mają być komplementarne takimi były, ale wystarczy poszukać szybkich tranzystorów pnp.
Pozdrawiam
DD