Dioda w MOSFET-cie

Użytkownik Bizon napisał:

Jakie pasożytnicze?! To sa specjalne diody zabezpieczające tranzystor. Są one wytwarzane w tranzystorach przystosowanych do pracy jako klucze.

Czy rezystory na rezystory podciagajace 8k2 wystarczy?

To zalezy od częstotliwosci kluczowania, dla dziesiatek herców MOŻE wystarczy. Jak się OCZYWIŚCIE tranzystory od razu nie spalą, co zalezy od sposobu sterowania mostkiem.

Laczna pojemnosc to ok. 0,5nF.

To są diody powstałe jako skutek uboczny procesu technologicznego i ich parametry nie zawsze są dobre, szczególnie zaś trr. Nazywanie ich posożytniczymi nie jest błędem.

Użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Zwykle są dobre, szybkie i mają dobrze zdefiniowane parammetry.

Tak samo jak z klasycznego CMOSa nie usuniesz pasożytniczego tyrystora. Po prostu trzeba sobie zdawać sprawę z tego, że 'schematy' wewnętrzne układów scalonych oddają ideę układu a nie jego pelny i rzeczywisty wyraz.

Niestety, nie zawsze są to wysokie możliwości. Szczególnie w starszych konstrukcjach.

I tu się mylisz. Indukcyjność doprowadzeń tranzystora nie jest zerowa i zewnętrzna dioda ma szanse zacząć przewodzić szybciej. Na dokładkę bocznikuje ona diodę wewnętrzną i przy umiejętnym prowadzeniu ścieżek na płytce można znacznie poprawić parametry dynamiczne układu dzięki zewnętrznej diodzie.

Ale jedno jest prawdą - w nowszych MOSFETach przykłada się większą wagę do jakości tych diod i w standardowych rozwiązaniach są one zupełnie wystarczające. Problemy zaczynają się dopiero przy dużych częstotliwościach.

AFAIR nie wszystkie. W niektorych mosfetach (np: irf3710) te diody IMHO sa _specjalnie_ a nie pazozytniczo. No i w IGBT to juz te diody sa montowane celowo.