generator cmos na szybko

Użytkownik identifikator: 20040501 napisał:

Po pierwsze to gdyby bramki były cały czas w "stanie aktywnym" (cudzysłów celowy ale domyślam się o co Koledze chodzi) to nie byłby to generator. Po drugie co rozumie Kolega pod pojęciem "zwarcie zasilania" ?

Pozdrawiam Grzegorz

i jeszcze jedno - napiêcie na wyj¶ciu takiego generatorka to w jakim¶ stopniu sinus - jak przerobiæ to na ³adny prostok±t?

U¿ytkownik "Grzegorz Kurczyk" snipped-for-privacy@antispam.control.slupsk.pl> napisa³ w wiadomo¶ci news:hml97h$8nl$ snipped-for-privacy@atlantis.news.neostrada.pl...

Jest ryzyko ze oba tranzystory w takim CMOS beda otwarte. Oni co prawda cos pisza ze projektowane sa niby odwrotnie, i powinny sie oba zamknac przy napieciu z zakresu posredniego..

J.

U¿ytkownik "identifikator: 20040501" snipped-for-privacy@go2.pl napisa³ w wiadomo¶ci news:hml95r$jjb$ snipped-for-privacy@nemesis.news.neostrada.pl...

Wydajno¶æ wyj¶æ CMOS jest ograniczona. Nawet jak oba w³±czone to takie zwarcie da co¶ rzêdu 20mA. P.G.

Użytkownik J.F. napisał:

W klasycznym wzmacniaczu z parą komplementarną też oba tranzystory przewodzą jak nie ma sygnału, ale trudno to jeszcze nazwać zwarciem ;-)

Pozdrawiam Grzegorz

Użytkownik identifikator: 20040501 napisał:

Sinusem to bym tego nie nazwał :-) Ale do "ucyfryzowania" przebiegu służy przerzutnik Shmitta. W większości przypadków wystarczy przepuścić taki sygnał przez pozostałe bramki w scalaku, na którym zrobiłeś generator.

Pozdrawiam Grzegorz

Użytkownik Grzegorz Kurczyk napisał:

Fachowo nazywa się to "przebiciem prądowym" - typowy problem bramek w technologii CMOS. W układzie generatora bramki nie pracują stale w warunkach przebicia prądowego ale jednak w znacznie większym procencie czasu niż w normalnej cyfrówce. Porządnie skonstruowana bramka CMOS powinna być odporna na pracę ciągłą w stanie aktywnym - jedynym niekorzystnym zjawiskiem jest spora konsumpcja prądu. Póki całkowity prąd pobierany przez układ bondingu nie upala (a pojedyncze ampery bonding wytrzyma) i póki całkowita moc tracona w chipie nie grzeje go ponad wytrzymałość to nie ma problemu - zje więcej prądu i na zdrowie!

Użytkownik J.F. napisał:

Sądzę że oszukują. Jak bramka CMOS ma być szybka to musi mieć przejście przez stan aktywny - bramki z przejściem przez stan wysokiej rezystancji są zauważalnie wolniejsze. W jednym układzie nie ma za bardzo możliwości mieszania rodzajów bramek - wymagało by to dodatkowych procesów technologicznych różnych dla różnych typów bramek - raczej mało opłacalna zabawa. W efekcie układy z przejściem przez stan wysokiej impedancji to zupełny margines produkcji - jakieś niezbyt szybkie do pracy z zasilaniem bateryjnym albo i słabszym. A że normalne układy CMOS mają przejście przez stan aktywny najlepiej świadczy spory plik patentów likwidujących układowo (rozsuwanie sterowania tranzystorów w czasie) ten problem - część z nich miałem przyjemność analizować, naruszenia jednego kilkukrotnie dowodziłem, najśmieszniejsze jest to że sam wcześniej naruszyłem ten patent...

Użytkownik "Dariusz K. Ładziak" napisał:

Właśnie stąd wzięło się moje pytanie co autor wątku rozumie jako zwarcie ? Czy prąd 10mA jest już zwarciowym ? Czy 1A czy dopiero 100A ? ;-) Bo to, że oba tranzystory przewodzą, ale moc wydzielająca się na nich nie jest jeszcze daleka od niszczącej raczej zwarciem nie jest. Tym bardziej, że te "zwarcia" są tylko chwilowe.

Pozdrawiam Grzegorz