BUZ11 - czy mo?na pu?ci? pr?d przez pod?o?e?

Jesteś pewny, że nie z D?

W dniu piątek, 15 maja 2015 12:01:54 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Ups... fakt, widać najpierw przeczytałem, że jest to z "czymś" podłączone, a potem z góry uznałem, że no z czymżeby innym, jak nie z elektrodą w 90% aplikacji łączoną z masą :) Znaczy, w zasadzie nie było pytania. Ale, czysto teoretycznie (bo załóżmy, że gdzieś, kiedyś będzie to przydatne): jest takie połączenie dopuszczalne, czy nie?

Są w ogóle takie MOSFETy? Znane mi trójkońcówkowe zawsze mają dren na blaszce, a czterokońcówkowe (z osobnym pinem dla podłoża) to rzadkość i tam nie pamiętam, jak było.

W MOSFETach SMD to jest jedyny dostępny sposób wykonania tego połaczenia, więc co miałoby się zmienić w przypadku THT, skoro sam datasheet informuje o tym połączeniu? Problem może być z samym połączeniem, bo jak zagwarantujesz pewny styk? Tzn. ja wiem, że śrubką, ale czy będzie dostatecznie pewny?

Pozdrawiam, Piotr

Sorry, ale jedynie 90% stabilizatorów 78xx ma taba łączonego z masą. Chyba 100% MOSFETów ma łączonego z drenem. Źródło to niekoniecznie masa.

Oczywiście, że jest dopuszczalne. Na przykład w przetwornicach dużej mocy, gdy łączysz dreny bezpośrednio do wyprowadzeń transformatora toroidalnego, lepiej łączyć przez końcówkę lutowniczą do taba niż przez cienką miedź na PCB. Wyprowadzenia na PCB stosujesz wtedy tylko dołączenia snubbera.

W dniu piątek, 15 maja 2015 12:23:20 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Dobra, wyszła moja ignorancja w temacie MOSFETów, trudno :)

Z rozpędu następne pytanie: do wykonania jest ośmiokanałowy driver PWM do sterowania LEDowym obciążeniem 12V, jakieś 3A na kanał. Jak najlepiej zrobić drivery do tych MOSFETów? Sterowane to ma być z procesora z logiką 5V. Podłączania żywcem do procesora przez oporniki trochę się obawiam, z kolei budowania pod każdym mosfetem typowego drivera z tranzystorów bipolarnych (po dwa-trzy tranzystory pod każdym mosfetem) wolałbym uniknąć. Czy da się do tego wykorzystać coś scalonego? Choćby coś w stylu ULN2803? A może są jakieś rozwiązania od razu wspierające sprzętowo PWMa?

Najlepiej, to kupić MOSFETy logic-level i sterować nimi z tych 5V, co masz bezpośrednio. Wymaganą obciążalność prądową policzysz sobie z pojemności bramki i wymaganego czasu włączania/wyłączania. Jak są nieduże, to sobie nie zawracaj głowy.

"Dla bajeru" możesz kupić VND14NV04, to Ci sam sciągając bramkę do masy powie, czy działa w trybie awaryjnym (temperatura/przeciążenie), czy wszystko gra. :-)

Pozdrawiam, Piotr

Z jaką częstotliwością chcesz sterować tymi MOSFETami? Jeśli niewielką, to bez żadnych driverów, bezpośrednio z wyjść CMOS. Oczywiście MOSFETu LogicLevel.

Swoją drogą, przy tak niskim prądzie i napięciu aż się prosi o SO-8. Na przykład Si4800BDY - dostępne w TME w cenie śmiesznej. Przy 3A dla najgorszego przypadku wydzieli się w nich mniej niż 200mW.

W dniu piątek, 15 maja 2015 15:44:58 UTC+2 użytkownik Piotr Wyderski napisał:

Sęk w tym, że mam w szufladzie trochę BUZ11 i myślałem, żeby je zużyć, stąd moje kombinacje. Częstotliwość - nie za duża, tak, żeby mi LEDy oświetleniowe nie mrugały, czyli jakieś kiloherce zapewne.

Takie maleństwo jak to proponowane przez RoMana naprawdę by tu wystarczyło? Tak, wiem, że ze statycznych wyliczeń, biorąc pod uwagę prąd i rezystancję dren-źródło wychodzą śmieszne moce, ale czy przy PWM nie przeważą straty w powstające w czasie przełączania? Na "znanym forum elektronicznym" czytałem, że różnie z tym bywa właśnie.

Podany przeze mnie MOSFET kosztuje w sklepie AVT 7 zł, więc dla ośmiu kanałów wychodzi 56 zł., a w zamian dostajesz końcówkę zabezpieczoną przed zwarciem i przegrzaniem. Dalej chce Ci się kombinować?

Wystarczy nieduże kilkaset Hz.

Starty w MOSFEcie pochodzą z trzech źródeł: rezystancji źródło-kanał tranzystora w pełni otwartego, przeładowania "kondensatora bramkowego", którego ładunek w nanokulombach jest podany w datasheecie i strat podczas przełączania, gdy tranzystor znajduje się w obszarze liniowym. Na pierwsze nic nie poradzisz, na drugie owszem, ale przełączanie rezonansowe to zupełnie nie ta liga, a na trzecie radą jest wydajny prądowo driver.

Bez dedykowanego drivera tranzystor będzie się znajdował dłużej w obszarze liniowym, niż by mógł, ale i tak będzie to drobny ułamek okresu PWM. Możesz sobie to policzyć dokładnie znając wydajność prądową pinów MCU, można tez "bezmyślnie" wymodelować to w LTSpice -- zobaczysz wszystko na wykresie.

Nie idź absurdalnie wysoko z częstotliwością. Stawiam, że 200Hz wystarczy.

Natomiast Twój prawdziwy problem jest inny: masz 8 kanałów po 3A każdy, więc zasilacz może dać 24A. To jest sporo prądu -- pomyślałeś o dobrym zabezpieczeniu przeciwzwarciowym? Bo otwarcie się niezabezpieczonego MOSFETu na świat wcale nie jest najgorsze, skończyć się może na melodię "płonie ognisko w lesie"...

Pozdrawiam, Piotr

Użytkownik "Piotr Wyderski" snipped-for-privacy@neverland.mil napisał w wiadomości news:mj56r1$788$ snipped-for-privacy@node1.news.atman.pl...

Wczytywałem się kiedyś w karty katalogowe (+ robiłem eksperymenty) z OmniFET i nie zdecydowałem się sterować go z procesora pracującego na 3V3. Sądzę, że większość sztuk zadziała dobrze, ale gwarancji nie ma. Na wszelki wypadek przechodzę przez bufor zasilany z 5V. P.G.

W dniu piątek, 15 maja 2015 18:28:18 UTC+2 użytkownik Piotr Wyderski napisał:

No jest to argument trudny do odparcia. Z drugiej strony są to też dodatkowe, kolejne zakupy i kolejne 56zł do wydania. Przemyślę to jeszcze.

Całość jest zasilana z zasilacza od PC, natomiast każdy kanał planowałem zabezpieczyć zwykłym bezpiecznikiem topikowym 3,15A.

Przecież przełączasz mikroskopijne moce. Poza tym - Si4800 ma Rdson=18.5mΩ i ma napięcie progowe ok. 2.7V. BUZ11 ma 40mΩ i napięcie progowe ok. 7V - przy 5V nawet się dobrze nie otworzy.

W dniu piątek, 15 maja 2015 21:04:27 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Stąd moje pytanie o driver. Ale ok, przekonaliście mnie, poszukam czegoś logic level. Jakieś inne jeszcze propozycje może odnośnie konkretnych typów tranzystorów?

W dniu 2015-05-15 o 20:20, Jarek P. pisze:

A co Ci się nie podoba w Si4800?

W dniu piątek, 15 maja 2015 23:00:19 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Wszystko mi się podoba, a najbardziej cena :) (w TME, bo u konkurencji ku swemu zdumieniu znalazłem po 20zł), rozglądam się jednak jeszcze za czymś przewlekanym, z racji charakteru reszty płytki bardziej mi taki pasuje.

SO8 to obudowa dająca się lutować nawet transformatorówką - nie przesadzaj.

Z THT podobne parametry ma dopiero IRLZ44 ale on ma próg przełączania ponad 4V :(

W dniu piątek, 15 maja 2015 23:41:29 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Źle mnie zrozumiałeś, ja nie boję się montażu SMD, bardziej chodzi mi o rozkład elementów na płytce w tym konkretnym przypadku. Będą na niej złącza AKZ, co wymusza ścieżki od strony przeciwnej, niż elementy, więc te tranzystory musiałyby być tamże, co mocno komplikowałoby sytuację w razie, gdyby jednak trzeba było im jakiś kawałek radiatora zapewnić, musiałbym wtedy płytkę w obudowie montować inaczej, niż mam to zaplanowane. A płytek dwustronnych nie lubię (ponieważ amatorsko jest to spore utrudnienie, a przelotek po prostu nie da się zrobić sensownie), stąd bronię się przed nimi jak tylko mogę.

Po co radiator? Chcesz LEDami sterować a nie silnikami. Nie będziesz miał istotnych strat na przełączaniu. SO8 daje radę do 2W, u Ciebie wydzieli się 1/10 tego.