wie oft kann man NOR Flash lesen?

Frank Buss schrieb:

Ein Blick in die prinzipielle Schaltung (auch in dem oben verlinkten Wikipedia-Artikel) zeigt schon, warum der Effekt nur bei NAND-Flash

benachbarten Transistoren durchgeschaltet werden, was sie auf Dauer umprogrammieren kann. Bei NOR-Flash ist das nicht der Fall.

Christian

Am 30.03.2019 um 11:23 schrieb Christian Zietz:

Allerdings werden auch bei NOR-Flashes die Zellen immer kleiner, dass es da zu ungeplanten Effekten kommen kann. Ich hatte schon einen Typen in

intern bereits einen Hamming-Code generieren, sofern die Schreibmuster das zulassen.

Stefan

Hersteller anzufragen. Aber vermute ist schwer bei sowas eine definitive Aussage zu bekommen.

Ja, ECC ist eine gute Idee. Irgendein Bitfehler oder ein kauputtes Bit kann ja immer mal passieren. Verwenden das Microcontroller mit dem internen NOR Flash auch?

Frank Buss schrieb:

Eine Mikrocontrollerfamilie, mit der ich beruflich viel zu tun habe,

auftritt, sondern um anderweitige Bitfehler zu erkennen bzw. zu korrigieren.

Christian

Christian Zietz :

ein (autom. neu Flashen). Ich glaube, dieser Effekt dominiert bei NOR. Zumindest ist in den

M.

Application Note, die dringendst empfahl, nicht byteweise zu schreiben (wie man das ja bei NOR-Flash normalerweise kann), sondern blockweise.

blockweise geschrieben, aber dann ganz zum Schluss noch mal einzeln das

Stefan

Ich habe mal ein paar Tests gemacht:

Millionen mal die ersten paar Pages (1 page = 256 Bytes) lesen, einmal einen Fehler, und das wird wohl wegen meinem Breadboardaufbau gewesen sein. Nach Neustart, ohne neu Schreiben, lief es wieder problemlos millionenfach.

Ich habe dann auch einen Schreibtest gemacht, immer auf die erste Page

mindestens 100.000). Nach Neustart dann 5 Millionen Zyklen. Nicht