Hallo,
hier am Lehrstuhl wird gerade die Zuverlässigkeit von SRAM basierten FPGA im Vergleich zu Flash basierten diskutiert.
Ein Flash Hersteller preist seine Flash-FPGAs als viel zuverlässiger als "herkömmliche" SRAM FPGAs an. Und zwar sollen schnelle Neutronen, die das Silizium treffen, Ladungsträger generieren. Diese Ladungsträger bewegen sich durch das Si. Treffen diese auf einen pn-Übergang kann dies einen Impuls auslösen, der z.B. ein FlipFlop umklappen läßt. Trifft das Neutron auf die Oxidschicht im Flash so rekombinieren die Ladungsträger ohne sich auszubreiten. Soweit sogut, allerdings habe ich dieses Szenario in dieser Form nur auf Veröffentlichungen eben jenes Flash-FPGA-Herstellers gefunden.
Ich kann mir allerdings nicht so richtig vorstellen, das ein paar wabernde Elektronen in einem Floating-Gate einen Zustand zuverlässiger halten können als eine SRAM-Zelle. Soweit ich das beurteilen kann, gibt es keinen wirklichen physikalischen Unterschied zwischen der Ladungsspeicherung in EPROM, EEPROM und Flash. Und beim EPROM reichen ja schon ein paar UV-Strahlen um die im Floating-Gate gespeicherten Ladungen durchs Oxid zurücktunneln zu lassen.
Daher meine Fragen:
- Hat jemand firmeninteressenunabhängige Informationen/Quellen zu diesem Thema?
- Beeinflussen Beta-, Gamma- oder Röntgen-Strahlen das Gate-Oxid ähnlich wie UV-Strahlen?
Vielen Dank für Eure Antworten Michael Schlegel
PS: FollowUp auf de.sci.electronics gesetzt