IRG4BC20W ersetzen

Hallo NG,

ich habe ein SNT vor mir liegen (ca 50W, Standardschaltung des 3844N), bei dem sowohl die Gleichrichterdioden als auch der Leistungstransistor Ganz- statt Halbleiter sind. Leider finde ich den IRG4BC20 mit "W" weder bei Reichelt noch Conrad oder Buerklin. Es gibt eine "U"- oder "S"-Variante, die mir mit meinem begrenzten Wissen aber zu unter- schiedlich erscheinen. Beim Conrad gaebe es den IRG4BC40W, der zwar mehr Strom kann, aber auch hoehere Kapazitaeten hat, Strom braucht etc.

Andererseits habe ich an dieser Stelle oft sowas wie IRFBC40 gesehen, sogar auf der Platine scheint ein MOSFET eingeplant gewesen zu sein (S-D-G- Beschriftung). Kann mir jemand einen Ersatztyp nennen oder soll ich die Schaltung nochmal genau anschauen und es mit einem IRFBC40 probieren?

Danke + Gruesse, Michael

--
Michael Hoereth - MCH-RIPE - Munich, Germany
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Michael Hoereth
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Michael Hoereth schrieb:

nicht ohne Grund einen richtig schnellen 'W' verbaut haben.

Dann schon deutlich ehr den IRG4BC20U.

Vorsicht! Das Clampingnetzwerk wird auf die Schaltgeschwindigkeit des IGBT abgestimmt sein, MOSFETs sind da erheblich schneller, der wird dir

nennen.

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Dieter Wiedmann

Denke ich auch. Ich musste schon stutzen, als ich las, dass in einem

50W-NT ein IGBT steckt...
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Stefan Huebner

Stefan Huebner schrieb:

Ich könnte was drauf wetten, dass da ein MOSFET vorgesehen war, das Ding aber zuviel Störungen produziert hat. Als einfaches Hausmittel (aka Murx) setzt man dann halt einen IGBT rein.

Hab ich mittlerweile auch gesehen, die haben offensichtlich in letzter Zeit eine ganze Latte an IRF-Zeug aufgenommen.

Gruß Dieter

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Dieter Wiedmann

"Stefan Schmitt" schrieb im Newsbeitrag news:1141541734.7607.17.camel@alfons...

??

-- Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net homepage:

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MaWin

MaWin schrieb:

[IGBT]

Er meint wohl das Ersatzschaltbild:

|C | |< .--o---| | | |\ | | | ||-+ \| | G ||

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Dieter Wiedmann

Von mir aus auch das, ich meinte aber eher aus halbleiterphysikalischer Sicht. Da werden auch die Gemeinsamkeiten von MOSFET und IGBT deutlicher.

Da fehlt noch die Verbindung zwischen dem Bulk des MOSFET und der Basis des NPN.

Stefan

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Stefan Schmitt

Huch. Das ist ja ein schöner Thyristor. Ich habe mal ein bisschen nachgelesen (bei Semikron). Der NPN ist parasitär und sein BE- Widerstand ist so klein, daß der Latchup-Strom beim 10..15-fachen des erlaubten Stroms liegt.

Für ein *funktionales* Ersatzschaltbild kann man also beide weg- lassen und es bleiben der FET und der PNP übrig.

XL

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Axel Schwenke

Stefan Schmitt schrieb:

Hä?

[Ersatzschaltbild eines IGBT]

Stimmt, hatte ich vergessen.

Gruß Dieter

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Dieter Wiedmann

Axel Schwenke schrieb:

Naja, besser nicht, die nichtidealen Eigenschaften der Bauelemente werden eh viel zu wenig betont.

Gruß Dieter

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Dieter Wiedmann

Beim (vertikalen) MOSFET ist Drain =C3=BCber ein (n+)-Gebiet an ein weites (n-)-Driftgebiet kontaktiert. Beim IGBT ist das wird statt des (n+)- Gebietes ein (p+)-Gebiet angelegt, w=C3=A4hrend die =C3=BCbrige Struktur weitgehend gleich bleibt. Das vorherige Drain arbeitet jetzt als p-Emitter und wird daher Collector genannt. %-)

Stefan

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Stefan Schmitt

Stefan Schmitt schrieb:

Ah, so wars gemeint. Als besonders nützlich kann ich die Sichtweise aber nicht sehen.

Gruß Dieter

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Dieter Wiedmann

Warum hast dann die diversen R's und C's weggelassen?

Mein erster Gedanke beim Anblick deines Ersatzschaltbildes war: "Das kann nicht sein. Da muß er sich verhauen haben." Ich wußte bisher über IGBTs nur, daß die am Eingang ein FET, am Ausgang bipolar sind. Ich habe noch keinen verbaut und habe das auch nicht vor. Immerhin weiß ich jetzt etwas mehr. Interessanter als die Rückkopplung über den NPN ist übrigens die Gegenkopp- lung durch den Widerstand auf das Substrat des FETs. Dadurch bekommt man eine Strombegrenzung, die beim Schaltungsentwurf relevanter sein dürfte als die parasitäre Thyristorstruktur.

XL

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Axel Schwenke

aber

Das kommt auf den Standpunkt an. Aus der Sicht eines Bauelemente-Entwicklers ist diese Sichtweise "nat=C3=BCrlich" die richtige. F=C3=BCr den Bauelemente-Anwender mag es verwirrend sein. Das Chaos ist dan= n perfekt, wenn diese zwei sich =C3=BCber einen IGBT unterhalten: Der eine nennt es einen Emitter (es ist ja auch einer), der andere nennt es Collector (es steht ja so im Datenblatt).

Diese Gewurstel treibt schon seltsame Bl=C3=BCten: International Rectifier zeichnet seine IGBT mit zwei Emittern, andere schreiben auf althergebrachte Art Anode und Kathode und die Bezeichnung Drain habe ich dem dem Zusammenhang auch schon gelesen. Daher w=C3=BCrde ich auf die Bezeichnungen auf genannter Platine nicht wetten...

Stefan

Reply to
Stefan Schmitt

Axel Schwenke schrieb:

Die werden wenigstens im Datenblatt erwähnt.

Mittlerweile ja, die IGBTs der ersten Generation hatten aber üble Probleme mit dem Thyristor, ganz vergessen darf man ihn immer noch nicht.

Gruß Dieter

Reply to
Dieter Wiedmann

pp-

Das ist so nicht ganz richtig. Tats=C3=A4chlich ist der Widerstand zwischen Bulk und Source recht klein, wie bei einem MOSFET auch. Hier ist er jedoch f=C3=BCr eine quantitative Formulierung der Z=C3=BCndbedingung des parasit=C3=A4ren Thyristors relevant. Daher wird er im ESB so herausgestell= t.

Stefan

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Stefan Schmitt

"Axel Schwenke" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@idefix.xl.local...

Ich auch. Wieder was gelernt.

-- Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net homepage:

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MaWin

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