hFE

Am 25.10.19 um 11:03 schrieb Hans-Peter Diettrich:

Hallo,

das ist ein H-Parameter für Transistoren aus einem Transistormodell für das Kleinsignalverhalten, ein theoretischer Wert. Die Eigenschaften werden da vereinfacht als linear angenommen. Dieser Wert wird für Rechnungen oder Simulationen benötigt.

E ist ein Hinweis auf den Emitter F steht für Forward current gain.

Bernd Mayer

Am 25.10.19 um 11:03 schrieb Hans-Peter Diettrich:

Hallo,

das Kleinsignalverhalten, ein theoretischer Wert. Die Eigenschaften

E ist ein Hinweis auf den Emitter.

Bernd Mayer

Das ist der Wert, den der Transistortester beim Multimeter anzeigt. Im Primzip die Stromverstärkung. Allerdings sind dabei Ib und Ic willkürlich gewählt und passen nicht zu jedem Exemplar.

MfG hjs

chlich angibt?

mein Metex ME-22 hat auch so einen Sockel. Ich habe da noch nie einen Transistor reingefummelt. Ansonsten Danke.

en Ausschalter reingemacht. Immer ist die Batterie leer.

Am 25.10.2019 um 11:03 schrieb Hans-Peter Diettrich:

Stromverstärkung für f=0, genau genommen.

Am 25.10.2019 um 11:03 schrieb Hans-Peter Diettrich:

hFE = Beta = (beta für f=0)

Am 25.10.2019 um 11:57 schrieb Bernd Mayer:

Aha, theoretisch.

Wie weichen die Eigenschaften praktisch ab, d.h. nach welcher Systematik? Ich bin mir weder sicher, daß das Verhältnis linear ist, noch daß die vereinfachte Gerade durch den Nullpunkt geht.

DoDi

Am 25.10.19 um 16:42 schrieb Hans-Peter Diettrich:

Hallo,

die Transistorkennlinien haben ja eine Kurvenform über den Großsignalbereich. Und für kleine Signale kann man die Kurve im Arbeitspunkt als linear annähern.

Bernd Mayer

Am 25.10.2019 um 18:06 schrieb Bernd Mayer:

Für die praktische Anwendung bei der Schaltungsentwicklung. Bei Leistungstransistoren werden ehrlicherweise die Werte für verschiedene Arbeitspunkte angegeben, wobei sie z.B. von 10-50 variieren können.

Früher wurde die dynamische Verstärkung ß angegeben, auch für die Verstärkungsklassen, und eine statische Verstärkung B war in den Datenblättern kaum zu finden. Und bei der Umstellung wurde AFAIR eben die dynamische Verstärkung ß in hFE umbenannt.

Bei MOSFETs kann man eine brauchbare Kennlinie aus der Threshold-Spannung und der Steilheit konstruieren, wobei nur die Threshold-Spannung von Exemplar zu Exemplar leider sehr unterschiedlich sein kann. Geht sowas nicht auch für bipolare Transistoren?

DoDi

In Datenblättern steht stets hFE für B. hfe steht für ß.

"Hans-Peter Diettrich" snipped-for-privacy@aol.com schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@mid.individual.net...

Stromverstärkung des Transistors im verhungernden Linearbetrieb, wie viel Basisstrom nötig ist um den Emitterstrom durchzulassen, mit signifikanter Restspannung zwischen C und E, meist 5V,

und NICHT die Stromverstärkung im sättigenden Schaltbetrieb bei dem die Restspannung zwsche C und E so niedrig sein soll, damit der im Datenblatt angegebenen maximale geschalteter Strom erreicht werden kann ohne für das Gehäuse zu viel Verlustleistung zu erzeugen.