Hallo,
also beim pn-Übergang trifft eine p-dotierte auf eine n-dotierte Halbleiterschicht. Im Berührungsgebiet diffundieren die Elektronen aus dem n in das p-Gebiet. Anfang bis Ende dieses Diffusionsbereiches werden nun als Raumladungszone bezeichnet. Ausserhalb dieser Zone befindet sich die elektrisch neutralen p und n-Gebiete [1]. Dort wo die Elektronen bzw. Löcher wegdiffundiert sind bleiben ortsfeste ionisierte Störstellen zurück. Dadurch kommt es zur Entstehung der Diffusionsspannung [2] (von einem zum anderen Ende der RLZ) die bei Si bekanntermaßen ca. 0,7V beträgt. Bekanntestes Bsp. aus der Praxis dürfte ja eine Si-Diode sein.
Nun meine Fragen: [1] wieso kann man ein p bzw. n-Gebiet als elektrisch neutral bezeichnen? Weil es innerhalb des Gebietes zu keiner weiteren Spannungsänderung mehr kommt?
[2] Normalerweise liegt an einer unbeschalteten Diode doch keine Spannung an, wohin verschwinden also die 0,7V Diffusionsspannung?
Ralf