Hallo NG,
eine Frage an die MOSFET-Spezialisten:
Im Datenblatt zum IRF9Z34N (P-Channel, 55V, 17A, 0,1Rdson) gibt's folgende 3 Angaben: Qg Total Gate Charge, 35nC Qgs Gate-to-Source Charge, 7,9nC Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge, 16nC
Gate Charge und dessen Bedeutung ist mir bekannt, aber was ist der Unterschied zwischen den drei o.g. Varianten? Hängt das mit dem Ein- und Ausschaltverhalten zusammen?
Welcher dieser Werte ist maßgeblich, wenn ich den Gatestrom zur gewünschten Schaltgeschwindigkeit berechnen will?
Wer klärt mich auf ;-)
Vielen Dank im Voraus
Gruß Klaus
-- Holtermann Elektronik