Device-modification bei HF Transistoren

Hallo,

in dem Buch "Desing of rf and microwave amplifiers and oscillators" von Pieter L.D. Abrie habe ich von der Möglichkeit der s.g. device modification gelesen. Es geht daum die S-Parameter durch äußere Beschaltung so zu ändern, dass sich bestimmte Parameter(z.B. Stabilität oder Gewinn) positiv ändern. Leider ist in dem Buch nicht beschrieben wie man es nun genau macht sondern es sind nur ein paar Beispiele gezeigt. Den Versuch es analytisch zu rechnen habe ich jetzt erst mal aufgegeben weil die Gleichungssysteme alles andere als trivial werden. Als Quelle sind in dem Buch ein Artikel aus dem IEEE MTT-S Digest 1990 sowie eine Website von einem Progamm

formatting link
welches diese device modification beherscht, angegeben. Das IEEE Paper beschreibt mehr oder weniger den Algorithmus von dem Progamm aber bietet keine analytische Lösung.

Kann mir jemand Literatur o.ä. nennen wo diese Thema etwas umfassender behandelt wird?

Danke Martin L.

Reply to
Martin Laabs
Loading thread data ...

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.