1. Home
  2. Electronics (Dutch)
  3. N-JFET met lage ruis?

N-JFET met lage ruis?

Hoi,

Ik ben een schakeling aan het bouwen voor het meten van ruis van weerstanden en halfgeleiders. De bronweerstanden liggen tussen 0,2 Ohm en 20 MegaOhm.

Maar voornamelijk halfgeleiders moeten worden gemeten met een basisweerstand van 500 tot 2500 Ohm. Hiervoor moet eea geoptimaliseerd zijn.

Het te meten frequentiebereik is van 0 to 10 Hz and 0 tot 1 MHz. De te meten ruis is laag, maximaal geven de halfgeleiders 10 dB ruis tov de weerstand van 500 tot 2500 Ohm.

Ik ben op zoek naar N-JFET voor de ingang, met zeer lage ruis. Deze FET wordt gevolgd door een opamp als de AD797 of LT1028. De drainstroom zal wel iets als 10 mA worden.

Mijn vragen: Welke N-JFETs zijn werkelijk low-noise? Kan iemand advies geven over de ingangstrap, zou een FET ingang met opamp erachter een goede manier zijn, of zijn er betere manieren die bijvoorbeeld ook een lagere inganscapaciteit geven?

Alle commentaar is welkom.

Pieter

Reply to
Pieter
Loading thread data ...

Pieter wrote: > Hoi, >

2SK170

Source follower

formatting link

Robert

Reply to
Bob Woodward

BFW11

Hans

Reply to
JT van Es

BFW11 -> En = 75 nV Sqrt/Hz

2SK170 -> En = 0,95 nV Sqrt/Hz NE5532 -> En = 8 nV Sqrt/Hz

Robert

Reply to
Bob Woodward

Is de stroomruis niet interessant?

Hans

Reply to
JT van Es

Dag Pieter/Bob,

Ik denk niet dat dit met =E9=E9n circuit gaat lukken. Voor het hoogimpedantie gebied zullen de door anderen genoemde JFETS aardig voldoen, maar voor bronimpedanties in het Ohms en lager gebied kom je met de voltage noise in de knoei. In dat geval zal je met BJT's aan de gang moeten (veel stuks parallel). Fets met lage spanningsruis (groot die oppervlak) hebben eveneens hoge stroomruis.

Misschien zou je aan kunnen geven welk frequentiegebied bij welke impedantie hoort. Ik kan mij niet voorstellen dat je 20 MOhm bij 1 MHz wil gaan meten.

Ik denk zo op het eerste gezicht dat je in situaties terecht kunt komen waarbij de ruis van je versterker (helaas) dominant is en je nauwkeurig relatieve ruisniveaus moet kunnen meten (dus heel lang RMS integreren om je sigma laag te krijgen).

Voor het weerstandniveau 500 .. 100K Ohm denk ik dat je met relatief goedkope BJT's aan de gang kunt (BC860, BC850, die hebben een ruisgetal

Reply to
Wimpie

De hoge weerstanden zijn inderdaad minder interessant. Ik verwacht dat het voornamelijk van 500 tot 2000 Ohm gaat worden.

Parallel schakelen geeft helaas weer een hogere ingangscapaciteit.

Voor de BJT is 3 dB is trouwens nog best veel ruisbijdrage?

Ik zit eraan te denken eea te simuleren. Maar dan zijn goede transistor/fet modellen wel belangrijk.

Groeten, Pieter

Reply to
Pieter

Ohm

erd

te

de

Dag Pieter,

Ik heb ook "

Reply to
Wimpie

Reply to
Pieter

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.