Transistorkarakteristik

Nu er det ikke så svært at regne ud hvordan kurven vil se ud: Vandret over ca. 1 Volt. ved Ic. 1 mA. hvis Ib er 5 uA. Strømforstærkningen ser ud til at være 200. Tilsvarende ved 20 uA blot med Ic. på ca. 4 mA. Men den kan selvfølgelig også måles.

Ove

Ove skrev:

Hej igen.

Okay, så kan jeg vist godt selv tegne nogle kurver selv, men jeg har lige et enkelt spørgsmål: Hvordan kan det overhovedet lade sig gøre for transistoren at lede hvis Vce er mindre end 0.6V? For det gælder vel at basis skal ligge på 0.6V, og at kollektor skal være højere end basis?

Venlig hilsen, Anders.

De 0.6 volt er en cirka værdi, transistoren begynder at lede før, men det er kun for små strømme. C-E kan sagtens være 0.1 til 0.2 volt for en åben transistor med rigelig basisstrøm.

HKJ skrev:

Okay :)

Jeg har lige endnu et spørgsmål til transistorkarakteristikken. Hvis transistoren har en VCE(sat) på max. 600mV, hvordan kan det så være at fx kurven for iB = 400uA bliver ved med at stige selvom VCE bliver højere end VCE(sat) ? Hvis VCE overstiger den maximale VCE(sat)-værdi, har transistoren så ikke forladt mætnings-området, og burde kurven derfor ikke flade ud? Eller gælder der nogle andre regler når man opererer med strømme på over

Databladet ligger her:

På forhånd tak.

Venlig hilsen, Anders.