Rdson di un mosfet, piu' bassa e' meglio e'?

Mi capita spesso di cercare equivalenti di mosfet difficilmente reperibili per la riparazione di alimentatori switching e non so se preferire quelli con Rdson uguale o quelli con Rdson inferiore all'originale. C'e' una regola generale da seguire o dipende dai casi singoli? Consigli? Avvertimenti? Link a tabelle di equivalenza aggiornate? :-)

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Arrangiologo
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Arrangiologo ha scritto:

Di sicuro se schegli Ron piu' basso li paghi di +, pero' fanno diminuire la potenza da questi dissipata.

ciao giorgio

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Giorgio Padoan

Grazie della risposta; il mio problema non e' il costo, ma l'affidabilita' del risultato. Se scalda meno, tanto meglio, dura tutto di piu'.

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Arrangiologo

io ho sotituito i mosfet di un inverter 12-220 , 3 erano andati in fumo per cortocircuiito. ne ho messi 4 con corrente di drain molto superiore , tensione d-s pero piu bassa , quindi con resistenza interna piu bassa . ho notato che scalda molto meno appena tiepido a pieno carico . altre anomalie non ne ho notate per la cronaca ho messo dei IRF1010 che ho pagato meno degli originali che avevano correnti di drain piu basse .

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kfm

(cut)

Scribble, scribble, scribble... (sto annotando...) Grazie.

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Arrangiologo

On Wed, 31 Mar 2010 09:24:20 -0700 (PDT), Arrangiologo wrote: snipped-for-privacy@yahoo.it

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Serg

On Wed, 31 Mar 2010 09:24:20 -0700 (PDT), Arrangiologo wrote: snipped-for-privacy@tiscali.it

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Serg

A parit=E0 di Rdson o comunque per Rdson confrontabili, in un alimentatore switching =E8 bene considerare anche almeno la capacit=E0 Crss; infatti le perdite in un mosfet in un alimentatore switching hanno due contributi principali, uno di tipo resistivo (legato alla Rdson) e uno tipicamente di commutazione (in cui pesano capacit=E0 Crss e frequenza di commutazione). Un buon documento che spiega ci=F2 =E8 il seguente:

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Altre info si trovano nelle application note:

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(mosfet power losses calculation using the data sheet parameters) google digitando mosfet power losses

A seconda della topologia, della Vin, della Iin, della Vout e della Iout cambia percentualmente il peso del contributo resistivo (ovvero rdson del mosfet quando lo stesso =E8 in conduzione) e quello del contributo switching (quando il mosfet commuta) - mi sono capitate situazioni in cui il secondo, sbagliando mosfet, sovrastava il primo.

Andrea

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Andrea

Ecco una cosa che mi ero dimenticato di chiedere, le keywords. Grazie.

In breve, per scegliere un equivalente controllare: Vdss, Id, Pd, Rdson, Crss, Vgs, Vgsth, trr del diodo. In quest'ordine (di priorita'/importanza)? Ho dimenticato qualcosa? (sto leggendo i link, grazie)

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Arrangiologo

On 2 Apr, 09:37, Arrangiologo wrote: Aggiungo i tempi di commutazione:

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Arrangiologo

Di solito io cerco di soddisfare un po' tutto (la Vgs max non rispettata ad esempio =E8 distruttiva, Vgsth invece da conto di quanto "bene" il mosfet venga acceso - prima o dopo il plateau cambia molto il riscaldamento del mosfet stesso). Una volta quantificato quanto scalda il mosfet in conduzione e in commutazione, sommando i due contributi, se si rispetta la potenza del mosfet (e qui si va a vedere la resistenza termica jc e ja, si considera il piano di rame o il dissipatore che possono contribuire a ridurre il riscaldamento - spesso pu=F2 bastare un'aletta metallica con opportuno isolatore a migliorare le cose, una ventolina....dipende dalle possibilit=E0) e le caratteristiche di tensione (Vdss e Vgs) direi che pu=F2 andare. Una considerazione aggiuntiva si pu=F2 fare nel caso di carichi induttivi, aggiungendo al mosfet protezioni (diodo in antiparallelo). Spero di non aver dimenticato qualcosa... Andrea

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Andrea

On 2 Apr, 11:14, Andrea wrote: (cut)

Non preoccuparti, gia' cosi' ho le idee molto piu' chiare di prima. Mi sto leggendo un po' di application notes, non si puo' andare sempre a tentativi... :-)

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Arrangiologo

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