Preparando un esame per l'università mi è venuto questo dubbio (proababilmente un po' banale ma non sono riuscito a trovare conferme in merito):
In sistemi CMOS digitali i dispositivi a canale p vengono realizzati tutti nella stessa well e lo stesso si può dire per i dispositivi a canale n (supponiamo un processo dual-well ma la sostanza del problema non cambia). Le well vengono poi connesse all'opportuno rail di alimentazione in modo da evitare la polarizzazione diretta del diodo body-source e quindi fenomeni (es. latch-up) che possono risultare potenzialmente distruttivi. In sostanza il terminale di body è condiviso da tutti i dispositivi della stessa polarità. Per questo motivo i dispositivi che hanno il source connesso all'alimentazione non soffrono di effetto body mentre per gli altri, non essendo possibile cortocircuitare body e source occorre tenere conto della dipendenza della tensione di soglia dalla Vbs.
Nei sistemi analogici ho invece notato che certi dispositivi (tipicamente quelli di ingresso in strutture operazionali) hanno il terminale di source cortocircuitato con quello di body, dal che si deduce che è possibile avere accesso al bulk del singolo dispositivo che non è quindi in comune con gli altri (suppongo..)
Questi dispositivi vengono quindi realizzati in well separate? Nel caso ci avessi visto giusto, con quale criterio si decide quali transistori isolare dagli altri?
Grazie per le risposte e...scusate la lunghezza ;-)
Marco