Il tempo di recovery inverso di un diodo e' influenzato dalla tensione?

Salve, Avrei un mosfet con diodo integrato con 1000ns di Trr (da datasheet), per simularlo metto un diodo con stesso Trr (ottenuto visualizzandolo polarizzandolo a 5V) in parallelo a un mosfet noto. Quando sul Drain compare la 350V sul simulatore mi appare un tempo di recupero di soli 200ns.

E' giusto cosi'? O il tempo di recupero non va' misurato a una tensione qualsiasi?

Grazie a chi mi rispondera'.

mandi

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zio bapu
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