durata informazioni su scheda di memoria

Il giorno Thu, 08 Feb 2007 23:01:25 GMT, "Maurizio Bonfanti" ha scritto:

Usa una tecnologia flash, quindi i dati sono memorizzati sullo stato di singole celle. Una singola cella è composta da un filp-flop fatto con tecnologia al silicio.

La ritenzione dati di questa teconologia è sull'ordine dei 10-20 anni, ho letto che anche i raggi cosmici potrebbero a lungo termina danneggiare le celle, ergo se sei a livello del mare dovrebbero durare di più, e probabilmente anche l'energia cinetica (quindi la temperatura) influisce sulla ritenzione dati.

L'hard disk usa una tecnologia differenre, i dati vendono memorizzati su supporto magnetico e in teoria dovrebbero durare di più. Ad esempio i backup di grandi sistemi vengono fatti su supporto magnetico.

C'è da dire che i dischi per aumentare la capacità usano zone magnetiche sempre più piccole per singolo bit, quindi questo potrebbe pregiudicare la durata a lungo termine, anche se naturalmente dipende da altri fattori.

-- ciao Stefano

On 9 Feb, 09:15, SB wrote:

una

ingole

licio.

Probabilmente ti stai confondendo, xche' se stiamo parlando di memorie FLASH, non si puo' dire che una singola cella e' costituita da un flip flop, anzi se cosi' fosse non si riuscirebbe ad avere delle memorie di tipo SD cosi' piccole e con capacita' che tranquillamente superano i 2 Gb. Tecnicamente, il transistor usato per memorizzare il dato logico (1 o

0) e' di fatto un mosfet strutturalmente simile al mosfet di una EEPROM, la differenza sta nel fenomeno fisico che permette la memorizzazione del dato. Un mosfet "classico" e' composto da un drain un source un gate che altro non e' che un elettrodo particolare xche' separato dal canale p(considerando un n-mos) da uno strato di ossido che lo isola elettricamente; il mosfet della flash(ed anche della eeprom) ha la particolarita' che tra gate (che viene collegto all esterno nel circuito) e il canale viene interposto un altro gate completamente isolato (tramite da ossido di silicio) sia dal canale che che sta sotto che dal gate che sta sopra (nn per niente viene chiamato gate flottante). Il processo di scrittura provvede ad "intrappolare" delle cariche nel gate flottante che essendo isolato tramite l'ossido riesce a trattenere le cariche x molto tempo (dell ordine degli anni, comunque difficile da stabilire anche xche' ci sono flash progettate x essere di consumo e flash(tipo quelle dei microcontrollori) che sarebbe simpatico durassero di + di un paio d'anni).La cancellazione avviene polarizzando il source positivamente il che ha dei risvolti tecnologici importanti xche' ci deve essere un apposito rispositivo all'interno della memoria che provveda a polarizzare positivamente il drain o il source a seconda che si debba memorizzare o cancellare il dato, x questo motivo vengono collegati i source di + transistor( centinaio o +) a un solo di questi dispositivi(detti source switch),e questo di fatto costituisce un blocco della flash.La cancellezione avviene quindi a blocchi: intere righe di transistor vengono cancellate in un colpo solo. Ah, e' da notare che il processo di scrittura e' dannoso(come lo era per le eprom che si cancellavano con gli uv circa una ventina di volte) xche' quando vado a memorizzare un dato nel transistor inietto degli elettroni ad alta energia che a lungo andare(ma dopotutto neanche tanto lungo) danneggiano l'ossido, dendendo impossibile la memorizzazione dei dati: tipicamente il ciclo di scrittura di memorie flash e' dell' ordine (al massimo) delle centinaia di migliaia di volte soltanto se vi e' la garanzia che i dati vengano scritti in modo casuale: esistono apposite circuiterie non banali(nelle memorie costose) che provvedono ad assicurare che questo avvenga.Se la memoria non e' provvista di questa circuiteria "intelligente" il numero di scritture massimo si abbassa notevolmente (anche di un fattore 100 o +): cio e' valido ad esempio anche x mp3 portatili pendrive ecc.. non di rado accade che dopo un costante utilizzo capiti che la memoria si corrompa causando errori, sarebbe una buona idea x allungare la vita di questi dispositivi cercare di cancellare la memoria il meno possibile. Per curiosita', le memorie dinamiche (ram dei pc) usano un mosfet ed una capacita' x memorizzare il dato, mentre una cella di memoria statica(ad esempio quelle integrate nei microcontrollori o anche nelle chache) usano 6 mosfet. Ciao, Enrico

Il giorno 9 Feb 2007 10:46:03 -0800, snipped-for-privacy@gmail.com ha scritto:

singole

Era solo una semplificazione per dare una spiegazione comprensibile, lo so anch'io che è una carica isolata sul gate, ma non volevo fare un trattato sulla fisica dei semiconduttori quanto cercare di dare una risposta semplice che l'OP potesse facilmente comprendere.

Se avessi scritto un post come il tuo probabilmente avrebbe letto le prime 10 righe e si sarebbe fermato con le idee confuse.

Ciò non toglie naturalmente che quello che hai scritto è corretto, ma non era il mio obiettivo scrivere un postr del genere.

-- ciao Stefano

pio una

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silicio.

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e l'OP

e 10

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Effettivamente avrei potuto limitarmi a scrivere che la cella base della flash non e' un filp-flop ma bensi' un mosfet; e c'e' una bella differenza, anche xche' i flip flop che mi risuti, al giorno d'oggi , vengono usati si come memoria, ma dei registri dei micro in genere. Ho pensato che qualcuno un po + curioso degli altri, potrebbe essere stato interessato a saperne un po di piu delle solite cose. Ciao, Enrico