Cari amici, scusate la domanda forse banale, ma sono un autodidatta, non ho libri universitari e non trovo sufficienti chiarimenti in rete. Per quanto riguarda i transistor ad effetto di campo (FET), sappiamo che le condizioni che delimitano le tre regioni di funzionamento sono le seguenti:
-regione di interdizione V_GS < V_soglia dove V_GS è la tensione tra gate e source (con il source cortocircuitato al blocchetto di semiconduttore dove si crea il canale)
-regione lineare V_GS > V_soglia V_DS < (V_GS - V_soglia) dove V_DS è la tensione tra drain e source
-regione di saturazione V_GS > V_soglia V_DS > (V_GS - V_soglia)
Quali sono le analoghe tre condizioni (disuguaglinze) per delimitare le tre regioni di funzionamento dei transistor a giunzione bipolari (BJT)? Sento dire che solo nella regione lineare la dissipazione di potenza è importante dato che, in interdizione quasi non c'è corrente, in saturazione la tensione è piccola ed è quasi un corto circuito con resistenza piccola, ma vorrei capire meglio come funziona la cosa matematicamente e come faccio a capire quando ci si trova in tali condizioni. Grazie per le vostre risposte. Saluti e auguri di buon 2012 a tutti.