На входе - TTL меандр частотой до, скажем, пары-тройки мегагерц, на выходе надо получить меандр той же частоты размахом от нуля до напряжения питания, которое может составлять 250-400 вольт, причём время нарастания и спада не должно занимать больше 20% периода. Нагрузка - небольшая ёмкость. На какой бы элементной базе это проще сделать, да ещё и чтобы оно потребляло не больше нескольких ватт?
Вал. Дав.
Hello Valentin!
VD> Hа входе - TTL меандр частотой до, скажем, пары-тройки мегагерц, VD> на выходе надо получить меандр той же частоты размахом от нуля до VD> напряжения питания, которое может составлять 250-400 вольт, причём VD> время нарастания и спада не должно занимать больше 20% периода. VD> Hагрузка - небольшая ёмкость. Hа какой бы элементной базе это проще
смотри схемы видеоусилителей от тв всяких на выходе комплементарный эмиттерный повторитель (что бы низкоомные резисторы в нагрузку не ставить)
Sasha
Привет!
Sasha Shost пишет:
Хорошо работает усилитель с ОЭ + повторитель с обратным диодом (между эмиттером повторителя и коллектором усилителя). На отрицательной полуволне заряд с емкости нагрузки быстро стекает через открытый усилительный транзистор. С положительной полуволной и так ясно - заряд емкости через низкое выходное сопротивление повторителя. Использовали такие усилители для управления сегнетокерамическим оптическим модулятором на частотах до нескольких МГц. Фронты достигали не более
3-5% периода.Tue Sep 21 2004 17:49, Valentin Davydov wrote to All:
VD> Hа входе - TTL меандр частотой до, скажем, пары-тройки мегагерц, VD> на выходе надо получить меандр той же частоты размахом от нуля до VD> напряжения питания, которое может составлять 250-400 вольт, причём VD> время нарастания и спада не должно занимать больше 20% периода. VD> Hагрузка - небольшая ёмкость. Hа какой бы элементной базе это проще VD> сделать, да ещё и чтобы оно потребляло не больше нескольких ватт?
Смотря насколько небольшая емкость. Если пара пикофарад - обычный резистивный усилитель (с индутивной коррекцией). Если пикофарад с десяток - то что уже писали, с "верхней" стороны эмиттерный повторитель с диодом. Индуктивная коррекция в любом случае желательна (индуктивность последовательно с резистором), раза полтора выигрыша в дительности фронта "вверх" даст. Или при том же фронте во столько же снизит мощность. Транзисторы - вроде КТ969 (или импортные аналогичные). Или БСИТ КП959А. Только они все 300-вольтовые, но импортные, наверное, можно найти и на 400 вольт.
Aleksei Pogorily 2:5020/1504
Tue Sep 21 2004 19:52, Sasha Shost wrote to Valentin Davydov:
VD>> Hа входе - TTL меандр частотой до, скажем, пары-тройки мегагерц, VD>> на выходе надо получить меандр той же частоты размахом от нуля до VD>> напряжения питания, которое может составлять 250-400 вольт, причём VD>> время нарастания и спада не должно занимать больше 20% периода. VD>> Hагрузка - небольшая ёмкость. Hа какой бы элементной базе это проще
SS> смотри схемы видеоусилителей от тв всяких SS> на выходе комплементарный эмиттерный повторитель (что бы низкоомные SS> резисторы в нагрузку не ставить)
Эмиттерный повторитель "вниз" - это лишнее. Hижний ОЭ-ключ и сам быстрый падающий фронт сделает. А эмиттерный повторитель PNP только удлиняет растущий фронт своей паразитной емкостью. Так что достаточно эмиттерного повтоителя NPN сверху (с диодом, чтобы в обатную сторону нижний ключ тянул). Если что двухтактное и имеет смысл - то двухтактный ОЭ. Верхний PNP ключ может управляться, например, через развязывающую емкость. Тут вообще ни один из фронтов резистором не определяется. Я что-то такое когда-то делал, правда, на десятки, а не сотни вольт, с управлением от ТТЛ. Результат вполне удовлетворительный.
Aleksei Pogorily 2:5020/1504
Пpивет тебе, Aleksei!
Дело было 22 сентябpя 04, Aleksei Pogorily и Valentin Davydov обсуждали тему "Видеоусилитель".
AP> Тpанзистоpы - вpоде КТ969 (или импоpтные аналогичные). Или БСИТ КП959А. AP> Только они все 300-вольтовые, но импоpтные, навеpное, можно найти и на AP> 400 вольт.
Почему 300? Есть и более высоковольтные БСИТы, вот UmкэR/Umкэ0: КП946А - 500/400В, КП948А - 800/400В, КП953А - 800/450В, КП955А - 700/450В, КП956А - 450/350В, КП957А - 800/400В, КП971А - 900/600В, КП973А - 700/400В.
Пpичем 946 наиболее интеpесны, ибо самые быстpые из мощных.
Удачи! Александp Лушников.
Wed Sep 22 2004 22:29, Alexander V. Lushnikov wrote to Aleksei Pogorily:
AP>> Тpанзистоpы - вpоде КТ969 (или импоpтные аналогичные). Или БСИТ КП959А. AP>> Только они все 300-вольтовые, но импоpтные, навеpное, можно найти и на AP>> 400 вольт.
AVL> Почему 300? Есть и более высоковольтные БСИТы, вот UmкэR/Umкэ0: AVL> КП946А - 500/400В, AVL> КП948А - 800/400В, AVL> КП953А - 800/450В, AVL> КП955А - 700/450В, AVL> КП956А - 450/350В, AVL> КП957А - 800/400В, AVL> КП971А - 900/600В, AVL> КП973А - 700/400В.
AVL> Пpичем 946 наиболее интеpесны, ибо самые быстpые из мощных.
Я не про силовые БСИТ, а про те биполяры и БСИТ, что для видеоусилителей - КТ940, КТ969, pnp КТ3157, КП959 n-канальный и КП960 p-канальный. С коллекторной/стоковой емкостью немногие единицы пикофарад. Они все
300-вольтовые.Aleksei Pogorily 2:5020/1504
К примеру, PZTA42, да? А как с насыщением бороться? Кстати, в даташитах на подобные транзисторы параметры рассасывания вообще не приводятся...
Вал. Дав.
Hello, Valentin! VD> К примеру, PZTA42, да? А как с насыщением бороться? Кстати, в VD> даташитах на подобные транзисторы параметры рассасывания вообще не VD> приводятся...
Безотносительно к данному транзистору. Встретил как-то остроумную схемку - база запитывается через диод, второй диод подключен к коллектору. Т.е. напряжение на коллекторе не может упасть ниже, чем на базе (примерно). По напряжению, разумеется, хуже, чем с ДШ - на эти самые 0.4в, но...
With best regards, Alexander Derazhne
Пpивет тебе, Aleksei!
Дело было 23 сентябpя 04, Aleksei Pogorily и Alexander V. Lushnikov обсуждали тему "Видеоусилитель".
AP>>> Тpанзистоpы - вpоде КТ969 (или импоpтные аналогичные). Или БСИТ AP>>> КП959А. Только они все 300-вольтовые,
AVL>> Почему 300? Есть и более высоковольтные БСИТы, вот UmкэR/Umкэ0:
AP> Я не пpо силовые БСИТ, а пpо те биполяpы и БСИТ, что для видеоусилителей AP> - КТ940, КТ969, pnp КТ3157, КП959 n-канальный и КП960 p-канальный. AP> С коллектоpной/стоковой емкостью немногие единицы пикофаpад. Они все AP> 300-вольтовые.
человеку нужно фоpмиpовать меандp - так на кой ему тpанзистоpы для _линейной_ pаботы? Тут именно ключевой нужен, с достаточно большим импульсом тока.
Hагpузка задана неконкpетно, но пpимем ~100пФ, амплитуда 400В, вpемя установления tнаp=tсп 20% от пеpиода 3МГц, т.е. 66нс, тогда импульс тока должен быть минимум Im = 2,2 x Cн x Uвых / tуст = ~1,5А, так что мелочевка типа КП959/960 с их максимальными 0,2А уже идет лесом. Впpочем, и остальные БСИТы тоже не вписываются - велико вpемя включения и спада. Разве что пpи некотоpом послаблении к ТЗ может пойти КП946 (80/55нс тип), и то вpядли...
Удачи! Александp Лушников.
А резисторы какой величины были - десятки киллом?
Вал. Дав.
В оригинале там три диода, и схема имеет собственное имя (забыл, чьё)
..нужен высоковольтный сверхбыстрый диод, ёмкость которого не сильно ухудшала бы емкостные характеристики транзистора.
Вал. Дав.
Привет!
Valentin Davydov пишет:
Сейчас, конечно, схем под рукой нет, но по памяти - что-то порядка 20 кОм. Нагрузка около 3000 пФ. Транзисторы использовали какие-то НИР-овские, Uк-э 700 В, импульсный ток до 50 А. То, что помню. Лет 10-12 назад было.
Thu Sep 23 2004 20:38, Valentin Davydov wrote to Aleksei Pogorily:
VD> К примеру, PZTA42, да?
Hу да, это то же самое.
VD> А как с насыщением бороться? Кстати, в даташитах VD> на подобные транзисторы параметры рассасывания вообще не приводятся...
Я просто подбирал значение тока (статического) в открытом состоянии поменьше, толко чтобы открыт был. А форсирующую емкость - тоже экспериментально, по минимуму, уменьшал пока это на фронтах не начнет негативно сказываться. Да, я понимаю, в широком диапазоне температур не лучшее решение ... Еще можно поставить каскодную схему ОЭ-ОБ. Hижний транзистор низковольтный быстрый. А по разрыву эмиттера и высоковольтные довольно быстро выключаются. Только базовая цепь высоковольного нужна не совсем тривиальная. К низковольтному питанию базу подключить через параллельно соединенные резистор (обеспечивает нужное значение базового тока в статике), конденсатор (форсирует включение) и обратный диод (создает низкомную цепь для обратного базового тока при выключении - этот диод необходим не только для ускорения выключения, но и против вторичного пробоя при выключении).
У верхнего эмиттерного повтоителя (если делать схему с верхним эмиттерным повтоителем и диодом на коллектор нижнего ключа) проблем с насыщением нет.
Aleksei Pogorily 2:5020/1504
Thu Sep 23 2004 21:44, Alexander Derazhne wrote to Valentin Davydov:
VD>> К примеру, PZTA42, да? А как с насыщением бороться? Кстати, в VD>> даташитах на подобные транзисторы параметры рассасывания вообще не VD>> приводятся...
AD> Безотносительно к данному транзистору. Встретил как-то остроумную AD> схемку - база запитывается через диод, второй диод подключен к AD> коллектору. AD> Т.е. напряжение на коллекторе не может упасть ниже, чем на базе AD> (примерно). AD> По напряжению, разумеется, хуже, чем с ДШ - на эти самые 0.4в, но...
Эта схема широко известна как связь Бейкера. В высоковольтных ключах у нее главная проблема - найти быстрый высоковольтный диод с малой емкостью.
Aleksei Pogorily 2:5020/1504
Hello, Valentin! You wrote to Alexander Derazhne on Fri, 24 Sep 2004 06:25:02 +0000 (UTC):
VD> ..нужен высоковольтный сверхбыстрый диод, ёмкость которого не сильно VD> ухудшала бы емкостные характеристики транзистора.
А если использовать коллекторный переход такого-же триода?
Alexander,Derazhne@adic,kiev,ua (replace commas with dots) Alexander Derazhne
Много делал таких для передатчиков сонаров на 2..10мгц@3000пф Бсит лучше, чем БТ, но мосфеты еще лучше - вне конкуренции. Наиболее экономная схема - однокаскадный пушпул с общим истоком в верхнем и нижнем плече, с емкостной развязкой и драйвером типа MC3415x и диодно-резистивные цепочки для затягивания включения(против сквозного тока). Но,
У рекомендованной ранее схемы ОЭ-ОК с диодом проблемы выхода на режим нет, но она менее экономична ( у меня получалась хорошая скорость при R=0.3..1ком), и при использовании мосфетов очень коварная - верхний ОС, совместно с емкостью нагрузки и Сзи образует автогенератор на сотни мгц, вспышки генерации которого приходятся на фронты переключения верхнего транзистора, и на обычном (100мгц) осциллографе видны как коммутационные помехи , неустранимые ничем. ( с последующим фейрверком). Лечится последовательным резистором, ценой скорости переключения.
Рядом лежат очень многоканальные драйверы плазменных панелей и драйвера полумостов, похожих на HIP2500, хотя в последних я подробно не разбирался.
Есть еще много разных вариантов, но для них недостаточно входных данных.
Valentin Davydov snipped-for-privacy@sqdp.trc-net.co.jp> пишет в сообщении:cipbhm$2os5$ snipped-for-privacy@ddt.demos.su...
То вернёмся откуда начали. Насыщение биполярного транзистора - это когда открыт коллекторный переход. По определению.
Вал. Дав.
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.