Zwykły MOSFET

Użytkownik "slawek" snipped-for-privacy@fakeemail.com napisał w wiadomości news: snipped-for-privacy@news.v.pl...

Głowy nie dam, ale wydaje mi się, że definicją pracy w nasyceniu jest Vce<=Vbe. Vbe oczywiście jest rzędu 0,6...0,7V. Jak tranzystor jest wysterowany jakimś prądem bazy i stopniowo zwiększamy mu prąd kolektora to Vce stopniowo rośnie i cały czas się nazywa Vce(Sat) aż do momentu, gdy przekroczy Vbe. Czyli maksymalną wartością Vce(Sat) jest Vbe.

Przy Ic/Ib=20 i dla Ic rzędu 10..50mA nie spodziewałbym się większego Vce niż 0,15...0,2V. Jako klucze stosowało się kiedyś tranzystory w układzie inwersyjnym (kolektor zamieniony z emiterem). Wtedy daje się osiągnąć spadki napięcia rzędu pojedynczych mV, ale dotyczy to mniejszych prądów kolektora (emiter pełni funkcję kolektora) i wysterowania bazy prądem większym od prądu kolektora.

Albo rybka, albo akwarium. Albo znikome prądy upływu, albo znikome Rds. Prawie na pewno prądy upływu będą Cię bardziej interesowały. Nie mam pojęcia jak to jest w praktyce. Karty katalogowe mogą podawać wartości max bardzo asekuracyjnie. Porób sobie eksperymenty. Nie wiem, czy rozrzuty między sztukami (np. z różnych serii) nie są duże. Jakbym miał mierzyć, domowym sposobem, znikome prądy to pewnie bym kombinował z dużym rezystorem + wtórnik na wzmacniaczu FET, albo z układem całkującym też na FET. Pamiętając o tym tranzystorze co ktoś tu podał warto pomiary zrobić też po podgrzaniu układu (nie wiadomo, czy w czasie pracy nie znajdzie się w ciepłym środowisku (np. czarna obudowa na słońcu)). P.G.