Tranzystory polowe MOSFET, pytanie z teorii

Witam,

Jak wiadomo jeden z podzialow MOSFET-ow jest na:

- z kanalem wzbogacanym

- z kanalem zubazanym

Formalnie jedyna roznica miedzy nimi to wartosc napiecia progowego oznaczana jako Ut lub Ugs(th)

Moje pytanie brzmi: Od czego zalezy wartosc tego parametru?

Czy jest to zwiazane z technologia wytwarzania i definiowane w tym procesie czy moze dany fizyczny tranzystor moze pracowac w zaleznosci od czegos i z kanalem wzbogacanym i zubazanym?

Pozdrawiam, Raf

Raf napisał(a):

Formalnie to:

1. Nie tylko formalna różnica
2. Nie tylko wartości, ale interpretacji tego parametru

Zależy to od procesu technologicznego, po prostu robi się:

1. Albo tranzystor z kanałem zubażanym (inna nazwa - wbudowanym) (kanał z nośnikami powstaje i jest na "dzień dobry" - należy użyć napięcia Ugs, aby go zmniejszać, wypychać nośniki, "zubażać").
2. Wzbogacanym (inna nazwa - indukowanym) - na "dzień dobry" kanału nie ma i należy używać napięcia Ugs aby go stworzyć, zaprosić, wepchnąć nośniki do niego, "wzbogacić", "wyindukować".

No tak, tylko teraz pojawia sie pytanie czy np. tranzystor z kanalem wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania? Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie ;)

Hehe, no tak, dzieki za bardzo obrazowe przedstawienie tematu,