Komórka pamięci SRAM

Jan 10, 2016 1 Replies

Taka komórka to dwa inwertery naprzeciw siebie. Taki inwerter ma dwa tranzystory, więc komórka to 4 tranzystory a jest 6. Natomiast cztery ma układ z rezystorami, ale rezystory jest trudno uzyskać duże rezystancje przy małych rozmiarach (czy mogły by być wykonywane z materiału o bardzo dużej rezystancji?) Czy te sześć tranzystorów jest na każdy bit, czy też jeśli mamy b bitów to potrzeba 4*n+2 tranzystorów czy też 6*n ?


Dnia Sun, 10 Jan 2016 15:48:39 +0100, Ignacy napisał(a):

Jesli nie wiecej. Trzeba to przeciez zapisywac i odczytywac.

Ale nie mamy roznych materialow - mamy jeden krzem do dyspozycji.

To akurat na kazdy bit.

J.

Join the Discussion

Have something to add? Share your thoughts — no account required.

Didn't find your answer?

Ask the community — no account required