Naprawiam pewne urzadzenia, niestety nie majac do nich schematu :-( Standardowo ulegaja uszkodzeniu elementy skladajace sie na przetwornice obnizajaca napiecie. Przewaznie leci MOSFET (przegrzany), tranzystor pnp (nawet w dzialajacym ukladzie sie grzeje), dioda Shotky'ego(zwarcie) oraz kombinacje powyzszych. Wymieniam te elementy jednak czesto urzadzenia wracaja do mnie ponownie. Z ukladu udalo mi sie rozszyfrowac taki oto fragment schematu:
formatting link
- 3.58kB Zastanawiam sie czy nie ma tu jakiego malego bledu lub czy nie mozna jakos udoskonalic tego ukladu. Bede bardzo wdzieczny za wszelkie sugestie.
Adam
Didn't find your answer? Ask the community — no account required.
T
T.M.F.
Nie jestem specem, elektronika to moje hobby, ale na oko wydaje mi sie, ze sterowanie tego MOSFETa jest OKDR. Czasami jednoczesnie beda przewodzic oba tranzystory i w efekcie poplynie znaczny prad. Ja bym zmienil sterowanie tego mosfeta na odpowiedni scalony driver, korzysc bedzie z tego tez taka, ze bedzie sie szybciej i w pelni otwieral co powinno zmniejszyc na nim straty. A dioda skoro sie pali to wymien ja na wieksza, ew. daj jakis radiator.
A
Adam
dlaczego maja przewodzic oba tranzystory w tym samym czasie ?
mozesz podac jakis przykladowy?
daje wieksza i pozniej sie nie przepala
U
Ukaniu
U¿ytkownik "Adam" snipped-for-privacy@friko5.onet.pl> napisa³ w wiadomo¶ci news:c1n4pc$9g6$ snipped-for-privacy@news.onet.pl...
Witam, Trzeba rozwa¿yæ w jakiej kolejno¶ci uszkadzaj± siê dane elementy. Dioda szotkiego mo¿e siê zewrzeæ je¶li przekroczone zostanie maksymalne napiêcie wsteczne lub moc strat. Stawiam na napiêcie które niczym nie ograniczone po padzie MOSA mo¿e j± przebiæ. wiêæ przyda³o by siê wstawiæ mimo istniej±cej strukturalnej jeszcze jedn± diodê równolegle z mosem, jaka¶ szybko± diodkê szotkiego, ograniczy to moc wydzielan± na diodzie strukt. Dalej przyda³o by siê zastosowaæ lepszy drajwer, bo wysysany jest do¶æ du¿y pr±d Pozatym nie wiadomo czy pr±d nie idzie na przestrza³, ale jak siê nie grzej± oba do¶æ mocno to pewnie nie. Pozatym trzeba mieæ na uwadze szybko¶ci tranziaków drajwera bo 150 KHz to nie taki piku¶, a ¿eby by³y ma³e straty na mosie to trzeba maksymalnie szybko go prze³±czaæ a ten uk³ad jest jakis ¶rednio optymalny,
Pozdrawiam £ukasz
A
Adam
rownolegle? chyba chciales napisac szeregowo? Testowalem diode na 30V i nie pada, chyba ze jakies wyzsze napiecie od indukcyjnosci. Wstawiam 1N5822 (40V wstecznego, 3A). Moc na wyjsciu jest chyba nizsza niz podalem (75W ma trafo). Ale gl.problem to z tym MOSem...
grzeja sie oba, ale ten pnp chyba mocniej. O jakim drajwerze myslisz? A jak sie uchronic przed tym pradem "na przestrzal"?
jak powinien wygladac uklad zmodyfikowany? Jestem ograniczony miejscem, bo na plytce za duzo miejsca nie wygospodaruje.
R
Roman
S³aby punkt uk³adu to pierwszy tranzystor za Si9145 pracuj±cy w uk³adzie OE (wolny). Mo¿na to ³atwo zmieniæ na uk³ad OB: baza na +5V, emiter przez szeregowy opornik 220Ohm prze³±czyæ z masy do wyj¶cia 9145. Bolek w tym jest taki, ¿e odwróci siê faza sygna³u PWM!. Nie wiem jak masz pod³±czon± resztê uk³adu Si9145, ale mo¿na odwróciæ tê fazê niekiedy prosto przez zamianê wej¶æ NI <-> FB , albo drugi sposób - daj±c ten opornik 220 ohm miêdzy wyj¶cie OUTPUT a masê uk³adu, a nó¿kê Vs wykorzystaæ wtedy jako wyj¶cie do emitera tranzystora (ju¿ bez opornika 220) ...
Spróbuj! - dobrze by³oby przy tym zaobserwowaæ na skopie czy poprawia siê stromo¶æ sterowania MOSFETa
Roman
L
LFC
Układ drivera na tych dwóch tranzystorach jest trochę dupiasty, ale generalnie powinien działać. Jest jeden hint, który może źle skutkować, a mianowicie przy wiekszych poborach prądu, ale nie tylko, opóźnienie wyłączania kanału tranzystora. W układzie tradycyjnym, gdy źródło idzie w masę wystarczy dla poprawienia dodać w szereg z bramką mały rezystor połączony równolegle z odpowiednio dobrana pojemnością. Przy podaniu zera na bramkę ładunek wsteczny z kondensatora przyśpiszy zamknięcie kanału. Tutaj jest sprawa bardziej złożona bo na źródle teoretycznie jest potencjał kondzioła wyjściowego, co samo w sobie przy podaniu bramki na masę jest wsteczną polaryzacją, ale nie do końca, bo przez indukcyjność... Trzebaby sprawdzić Oscyloskopem, czy driver nie daje zbyt łagodnych zboczy, a jeżeli nie, to ja bym spróbował dołożyć równolegle do diody rezystor parę kilo i w bramkę w szereg rezystor + równoległy do niego kondzioł...
LFC
A
Adam
Zrobilem 1 sposobem. Niestety uklad nie wystartowal i przepalil sie bezpiecznik SMD w dalszej czesci ukladu. Po wymianie bezp. to samo. Na wyjsciu Si9145 byl stan +5V wiec MOSEFT nie przewodzil. Wrocielem do pierwotnego stanu i dalej nie chodzi (ale nie przepala bezp.). Na Si jest teraz 0V wiec MOS tez nie przewodzi. Generalnie wydaje mi sie ze uklad jest OK, ale z nieznanych powodow generowanie sygnalu sterowania MOSFETem zanika - jakby Si sie wieszal lub ten drajwer z 2 tranzystorow zawodzil. Czasami jest tak ze MOS jest tylko do wymiany. W czasie normalnej pracy MOS jest ledwo cieply.
A
Adam
dlaczego potencjal kondziola wyj?
nie sa one idealnym prostokatem, maja takie szarpniecie na zboczu narastajacym w polowie.
Po co ten R do Shotkyego? O jakiej wartosci ten rezystor i C do bramki?
T
T.M.F.
Bo szybkosc narastania impulsu na bazach tych tranzystorow jest ograniczona, chociazby faktem, ze przy zablokowaniu pierwszego tranzystora przy przetwornicy ladunek plynie przez ten pull-up rezystor. Zreszta skoro sie grzeja to zapewne sa chwile kiedy przewodza jednoczesnie. Od samego przeladowywania pojemnosci bramki by sie nie grzaly. To tez moze powodowac zbyt wolne otwieranie i zamykanie mosfeta i w efekcie jego grzanie sie i uszkodzenie.
Zobacz na stronie maxima, jest kilka milych driverow do sterowania mosfetami.
A nie jest tak, ze pali sie najpierw ten mosfet, a potem dioda ? Jakie jest jej max. napiecie wsteczne ?
G
GrzesieG
"Adam" napisa³:
A czy przypadkiem nie za du¿e jest Ugs dla przewodz±cego pnp?
A
Adam
przewaznie MOS i shotky, ale sa przypadki ze tylko shotky. Napiecie 40V
U
Ukaniu
U¿ytkownik "Adam" snipped-for-privacy@friko5.onet.pl> napisa³ w wiadomo¶ci news:c1psqh$su8$ snipped-for-privacy@news.onet.pl...
Witam Zgodnie z kalkulatorem bêdzie 9.8, teoretycznie w tym uk³adzie
Pozdrawiam £ukasz
A
Adam
tez tak sadzilem, jednak amplituda p-p Ugs jest rzedu 10V
A
Adam
moze zwiekszyc ta wartosc do 15V? Jaki R zamiast 220 wychodzi ci w kalkulatorze ? :-)
U
Ukaniu
U¿ytkownik "Adam" snipped-for-privacy@friko5.onet.pl> napisa³ w wiadomo¶ci news:c1pu98$1e9$ snipped-for-privacy@news.onet.pl...
Witam emiterowy ok 130ohm, je¶li pozostawiæ taki sam w kolektorze. pr±d szczyt. statycznie ok 34mA.
Poozdrawiam £ukasz
A
Adam
Dalem 110ohm. Amplituda wzrosla az do ok.20V. Tranzystor pnp jeszcze b.sie grzeje. Sygnal na bramce:
- zbocze narasta gwaltownie, opada duzo wolniej !
J
J.F.
Generalnie nie. Ja bym sie zastanowil czy nie za male .. i zmniejszyl te 220 ohm do powiedzmy 150.
Ale skoro tam leci szczotka to moze poszukac innego uszkodzenia ..
J.
J
J.F.
Narasta to znaczy idzie w dol czy w gore wzgledem masy? [S podlaczone do +31, to "narastanie na bramce" od strony masy wyglada odwrotnie].
Ale tu jest problem - bedzie za wolny, to sie mosfet spali. Swoja droga nie powinien byc taki wolny..
J.
A
Adam
wzgledem masy
napiecie na bramce nie wyglada super, ale na wyjsciu MOS to juz prawie idealny prostokat (sygnal na G rozni sie od tego na D)
Co zrobic by pnp nie grzal sie i nie stracic na stromosci na bramce?
Join the Discussion
Have something to add? Share your thoughts — no account required.
Didn't find your answer?
Ask the community — no account required
Report Content
You are reporting this content to the moderators. They will look at it
ASAP.