Czy źródło prądowe może uszkodzić półprzewodnik

Użytkownik "Leszek" <leszek snipped-for-privacy@poczta.onet.pl> napisał w wiadomości news:cpik83$kub$ snipped-for-privacy@nemesis.news.tpi.pl

Jeżeli to będzie przebicie lawinowe w złączu p-n to ma szanse być nieniszczące. O ile nie przekroczy się rozsądnej mocy strat. W przypadku bramki MOS-a spodziewałbym się raczej trwałego uszkodzenia. Ale odpowiadam intuicyjnie, bo mechanizmy przebicia w tlenku bramkowym ćwiczyłem ...naście lat temu i mało co z tego pamiętam.

Leszek <leszek snipped-for-privacy@poczta.onet.pl> napisał(a):

Przebicie złącz P-N będzie raczej nieniszczące, chyba, że mowa o np. złączach p- JFETów wejściowych w opampie (raczej maciupcie dopuszczalne moce strat). Przebicie bramki MOS będzie IMO trwale niszczące.

Użytkownik Leszek napisał:

1. Prąd będzie płynął tak długo aż naładuje się pojemność MOS-a.
2. Po przekroczeniu napięcia przebicia bramka tranzystora MOS zostanie trwale uszkodzona. Wniosek: nawet nie zdążysz powiedzieć "o ..." .

eL eS

O ile bramka nie jest zabezpieczona wbudowanymi diodami - co nie jest rzadkim zjawiskiem we współczesnych MOSFETach.

Użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Ale wróżka grupowa ma wolne i nie wie jaki to tranzystor...

:)

eL eS