Mam takie pytanie: Czy źródło prądowe o wydajności np. 10mA A tak dokładnie to napięcie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA może uszkodzić element półprzewodnikowy, np. bramkę tranzystora MOS. Jeżeli nastąpi przebicie (przy 10mA) to będzie chyba nieniszczące przebicie. Tak mi się wydaje, ale może wypowie się ktoś bardziej doświadczony w tej kwestiiLeszek
Użytkownik "Leszek" <leszek snipped-for-privacy@poczta.onet.pl> napisał w wiadomości news:cpik83$kub$ snipped-for-privacy@nemesis.news.tpi.pl
Jeżeli to będzie przebicie lawinowe w złączu p-n to ma szanse być nieniszczące. O ile nie przekroczy się rozsądnej mocy strat. W przypadku bramki MOS-a spodziewałbym się raczej trwałego uszkodzenia. Ale odpowiadam intuicyjnie, bo mechanizmy przebicia w tlenku bramkowym ćwiczyłem ...naście lat temu i mało co z tego pamiętam.
Leszek <leszek snipped-for-privacy@poczta.onet.pl> napisał(a):
Przebicie złącz P-N będzie raczej nieniszczące, chyba, że mowa o np. złączach p- JFETów wejściowych w opampie (raczej maciupcie dopuszczalne moce strat). Przebicie bramki MOS będzie IMO trwale niszczące.
Użytkownik Leszek napisał:
eL eS
O ile bramka nie jest zabezpieczona wbudowanymi diodami - co nie jest rzadkim zjawiskiem we współczesnych MOSFETach.
Użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
Ale wróżka grupowa ma wolne i nie wie jaki to tranzystor...
:)
eL eS
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.