Witam,
jest pamięć flash AT45DB021.
Chciałbym bezpośrednio do pamięci (bufory jako mirrory) przerzucać pojedyncze bajty danych. Jednak teraz wczytałem się w dok. i tam stoi, że przed każdym rozkazem "Main Memory Page Program through Buffer" cała strona jest kasowana (tak więc i dane w niej wcześniej zapisane).
Tak więc plan jest taki że najpierw całą pamięć wymazać a potem te kilka bajtów zapisywać (pośrednio przez bufor) do pamięci komendą: "Buffer to Main Memory Page Program without Built-in Erase". I niby wszystko cacy, ale... Atmel w dokumentacji pamięci pisze:
"Successive page programming operations without doing a page erase are not recommended. In other words, changing bytes within a page from a “1” to a “0” during multiple page programming operations without erasing that page is not recommended."
I co? dlaczego nie jest zalecane to już nie napisał. Grozi mi utrata danych czy co??
Pozdrawiam