Hi,
die in Darlingtons/Mosfets integrierten Freilaufdioden sind ja als Schutz gegen Spannungsspitzen beim Abschalten induktiver Lasten gedacht. Zur Dauerbelastbarkeit dieser Dioden habe ich allerdings bisher keine Angaben gefunden. Kann mir jemand von Euch Experten eine Literaturstelle nennen, an der ich etwas zu dieser Thematik finde?
Reinhard
Reinhard Zwirner :
Meistens sind diese "Dioden" einfach Resultat des FET-Aufbaus und nicht extra
oft im Datenblatt des FET's. Bei Darlingtons mit eingebauten Dioden sieht das aber anders aus, da sind die dann wohl extra mit drin.
teilen sich Diode und Tranistor die Verlustleistung...
Matthias
Reinhard Zwirner schrieb:
Rolf Bombach schrieb:
gleichen Parameter wie der Transistor.
DoDi
Hi Reinhard,
Bei Darlingtontransistoren vielleicht, bei MOSFETs eigentlich nie! Das
Verwendung als Freilaufdioden nur bei niedrigen Frequenzen oder
schnarchlangsam sind.
Literatur nicht, aber verbal von einem Entwicklungsingenieur von IXYS.
und Strom kennt, sondern die Schaltzeit bei SNTs nicht unwesentliche Anteile an der Diodenverlustleistung mit sich bringt, sollte sich herumgesprochen haben.
Marte
Hans-Peter Diettrich schrieb:
Durchaus, das ist dann aber die Diode eines andern Transistors, also eben eine "externe".
Rolf Bombach schrieb:
Du unterscheidest also zwischen "intern integriert" und "extern integriert"? ;-)
DoDi
Hans-Peter Diettrich schrieb:
Am 16.12.2016 um 22:28 schrieb Rolf Bombach:
leben".
Am Sat, 17 Dec 2016 12:53:18 +0100 schrieb horst-d.winzler:
Da hast du aber noch einige vergessen, und zwar: 'die, die noch nicht hier sind'.
Wir packen das!
Lutz
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