Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren

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http://www.schellong.de/htm/schaltungen.htm#schalten

http://www.schellong.de/htm/schaltungen.htm#regler_tlc


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Helmut Schellong   snipped-for-privacy@schellong.biz
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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
snipped-for-privacy@schellong.biz (Helmut Schellong)  am 10.12.20 um 16:59:
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stellen?

Rainer

--  
Allerdings sparen die Firmen dann doch lieber an Klopapier

(Jakob Krieger in dchm)

Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
On 12/10/2020 22:22, Rainer Knaepper wrote:
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Der MOSFET braucht im Schaltbild eine Sonderbehandlung


**************************************
*      Model Generated by MODPEX     *
*Copyright(c) Symmetry Design Systems*
*         All Rights Reserved        *
*    UNPUBLISHED LICENSED SOFTWARE   *
*   Contains Proprietary Information *
*      Which is The Property of      *
*     SYMMETRY OR ITS LICENSORS      *
*    Modeling services provided by   *
* Interface Technologies www.i-t.com *
**************************************
.MODEL BD139 npn
+IS=1e-09 BF22%2.664 NF=0.85 VAF36%.4079
+IKF=0.166126 ISE=5.03418e-09 NE=1.45313 BR=1.35467
+NR=1.33751 VAR14%2.931 IKR=1.66126 ISC=5.02557e-09
+NC=3.10227 RB26%.9143 IRB=0.1 RBM=0.1
+RE=0.000472454 RC=1.04109 XTB=0.727762 XTI=1.04311
+EG=1.05 CJE=1e-11 VJE=0.75 MJE=0.33
+TF=1e-09 XTF=1 VTF10% ITF=0.01
+CJC=1e-11 VJC=0.75 MJC=0.33 XCJC=0.9
+FC=0.5 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.5
+TR=1e-07 PTF=0 KF=0 AF=1
* Model generated on Feb 14, 2004
* Model format: PSpice


.MODEL BD441 npn
+IS=5.88116e-16 BF17%0.099 NF=1.06909 VAF10%
+IKF10% ISE=7.88418e-13 NE=3.75971 BR=5.75219
+NR=0.921627 VAR19%.2793 IKR=3.52292 ISC=1.99855e-16
+NC=1.37118 RB=0.1 IRB=0.1 RBM=0.1
+RE=0.0001 RC=0.001 XTB=2.17555 XTI=4
+EG=1.206 CJE=7.49526e-09 VJE=0.419046 MJE=0.700845
+TF=9.94714e-09 XTF=1.77701 VTF=1.03023 ITF=0.486929
+CJC=3.17547e-10 VJC=0.600304 MJC=0.409492 XCJC=0.799462
+FC=0.756638 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.5
+TR=1e-07 PTF=0 KF=0 AF=1
* Model generated on Feb 22, 2004
* Model format: PSpice


* ST mosfet
* MODELLING FOR STD12NF06LT4
.SUBCKT STD12NF06LT4 1 2 3
LG 2 4  7.5E-09
LS 12 3 7.5E-09
LD 6 1  4.5E-09
RG 4 5  4.995
RS 9 12 0.101E-02
RD 7 6  0.351E-01
RJ 8 7  0.101E-02
CGS 5 9   0.564E-09
CGD 7 10  0.743E-09
CK  11 7  0.308E-10
DGD 11 7 DGD
DBS 12 6 DBS
DBD  9 7 DBD
MOS  13 5 9 9 MOS L=1u W=1u
E1  10 5 101 0 1
E2  11 5 102 0 1
E3  8 13 POLY(2) 6 8 6 12 0 0 0 0  0.691
G1  0 100 7 5 1u
D1  100 101  DID
D2  102 100  DID
R1  101 0  1MEG
R2  102 0  1MEG

.MODEL MOS NMOS
+ LEVEL = 3
+ VTO   = 1.922
+ PHI   = 0.933
+ IS    = 0.1E-12
+ JS    = 0
+ THETA = 0.101E-01
+ KP    = 16.247

.MODEL DGD D
+ IS    = 0.1E-12
+ CJO   = 0.104E-10
+ VJ    = 0.718
+ M     = 0.357
.MODEL DBD D
+ IS    = 0.1E-12
+ CJO   = 0.232E-10
+ VJ    = 0.742
+ M     = 0.327
.MODEL DBS D
+ IS    = 0.1E-12
+ BV    = 69
+ N     = 1
+ TT    = 0.501E-07
+ RS    = 0.349E-02
.MODEL DID D
+ IS    = 0.01E-12
+ RS    = 0
+ BV    = 79
.ENDS STD12NF06LT4


Version 4
SHEET 1 1324 680
WIRE -208 -64 -208 -80
WIRE -48 -64 -48 -80
WIRE 144 0 96 0
WIRE 336 0 144 0
WIRE 512 0 336 0
WIRE 144 16 144 0
WIRE 336 16 336 0
WIRE 512 16 512 0
WIRE -208 32 -208 16
WIRE -48 32 -48 16
WIRE 208 96 144 96
WIRE 384 96 336 96
WIRE 560 96 512 96
WIRE 144 112 144 96
WIRE 336 112 336 96
WIRE 512 112 512 96
WIRE 48 160 0 160
WIRE 80 160 48 160
WIRE 240 160 192 160
WIRE 272 160 240 160
WIRE 0 192 0 160
WIRE 48 192 48 160
WIRE 192 192 192 160
WIRE 240 192 240 160
WIRE 464 192 432 192
WIRE 144 224 144 208
WIRE 336 224 336 208
WIRE 512 224 512 208
WIRE 0 272 0 256
WIRE 48 272 0 272
WIRE 192 272 192 256
WIRE 240 272 192 272
WIRE 48 288 48 272
WIRE 240 288 240 272
WIRE 48 368 16 368
WIRE 240 368 48 368
WIRE 432 368 432 272
WIRE 432 368 240 368
FLAG -48 32 0
FLAG -208 32 0
FLAG 144 224 0
FLAG 336 224 0
FLAG 512 224 0
FLAG -48 -80 20V
FLAG -208 -80 IN
FLAG 16 368 IN
FLAG 96 0 20V
FLAG 208 96 O139
FLAG 384 96 O441
FLAG 560 96 Ofet
FLAG 0 160 B1
SYMBOL npn2 80 112 R0
SYMATTR InstName Q1
SYMATTR Value BD139
SYMBOL npn2 272 112 R0
SYMATTR InstName Q2
SYMATTR Value BD441
SYMBOL nmos 464 112 R0
SYMATTR InstName M1
SYMATTR Value STD12NF06LT4
SYMATTR Prefix X
SYMBOL voltage -48 -80 R0
WINDOW 123 0 0 Left 0
WINDOW 39 24 44 Left 2
SYMATTR InstName V1
SYMATTR Value 20
SYMBOL voltage -208 -80 R0
WINDOW 3 -31 155 Left 2
WINDOW 123 0 0 Left 0
WINDOW 39 0 0 Left 0
SYMATTR Value PULSE(0 10 0 1n 1n 5u 10u)
SYMATTR InstName V2
SYMBOL res 128 0 R0
SYMATTR InstName R1
SYMATTR Value 20
SYMBOL res 320 0 R0
SYMATTR InstName R2
SYMATTR Value 20
SYMBOL res 496 0 R0
SYMATTR InstName R3
SYMATTR Value 20
SYMBOL res 32 176 R0
SYMATTR InstName R4
SYMATTR Value 110
SYMBOL res 224 176 R0
SYMATTR InstName R5
SYMATTR Value 62
SYMBOL res 416 176 R0
WINDOW 0 36 44 Left 2
SYMATTR InstName R6
SYMATTR Value 22
SYMBOL cap 16 192 M0
SYMATTR InstName C1
SYMATTR Value 1n
SYMBOL cap 208 192 M0
WINDOW 3 24 63 Left 2
SYMATTR InstName C2
SYMATTR Value 100n
SYMBOL res 32 272 R0
SYMATTR InstName R7
SYMATTR Value 43
SYMBOL res 224 272 R0
SYMATTR InstName R8
SYMATTR Value 20
TEXT 664 -8 Left 2 !.include regler65/regler_tlc.lib
TEXT 664 -40 Left 2 !.tran 0 212u 200u startup
TEXT 504 288 Left 2 !.meas TRAN p139 RMS V(O139)*Ic(Q1)+V(N001)*Ib(Q1)\n.meas  
TRAN p441 RMS V(O441)*Ic(Q2)+V(N002)*Ib(Q2)\n.meas TRAN pfet RMS  
V(Ofet)*Ix(M1:D)+V(N003)*Ix(M1:G)
TEXT 1248 288 Left 2 ;0.73W\n0.54W\n0.22W



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Helmut Schellong   snipped-for-privacy@schellong.biz
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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren

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Wo hast Du das Model her und warum benutzt du nicht die Modelle
der Hersteller ?:

*****************************************************************
******STMicroelectronics MOSFET, IGBT and Bipolar Library *******
*****************************************************************
*                *
* Models provided by STMicroelectronics are not guaranteed to   *
* fully represent all the specifications and operating   *
* characteristics of the product behavior that they reproduce.  *
* The model describes the characteristics of a typical device.  *
* In all cases, the current product data sheet contains all     *
* information to be used like final design guidelines and the   *
* only actual performance specification.                        *
* Altough models can be a useful tool in evaluating device      *
* performance, they cannot model exact device performance under *
* all conditions.            *
* STMicroelectronics therefore does not assume any              *
* responsibility arising from their use.                        *
* STMicroelectronics reserves the right to change models        *
* without prior notice.                                         *
*                                                               *
*****************************************************************

.SUBCKT BD139 1 2 3

RB 2 5 1E-06
RC 1 4 1E-06
RE 3 6 1E-06

Q1 4 5 6 Q

.MODEL Q NPN
+Is    = 0.271E-16
+Bf    = 204.072
+Vaf   = 158.022
+Ikf   = 5.018
+Ise   = 0.137E-17
+Ne    = 1.712
+Br    = 1.127
+Var   = 10.749
+Ikr   = 0.435
+Isc   = 0.128E-17
+Nc    = 1.046
+Nk    = 0.207
+Rb    = 0.571
+Rbm   = 0.101E-02
+Nf    = 0.982
+Re    = 0.259E-01
+Rc    = 0.413E-01
+Qco   = 0.873E-10
+Rco   = 4.999
+Vo    = 6.291
+Gamma = 0.704E-10
+Cjc   = 0.361E-10
+Vjc   = 0.776
+Mjc   = 0.409
+Cje   = 0.102E-10
+Vje   = 0.745
+Mje   = 0.404
+Fc    = 0.503
+Tr    = 0.118E-06
+Tf    = 0.296E-08
+Itf   = 0.229
+Vtf   = 23.728
+Xtf   = 0.569

.ENDS BD139

* END OF MODELLING



--  
mit freundlichen Gruessen/ best regards Joerg Niggemeyer Dipl.Physiker
WEB: http://www.nucon.de https://www.led-temperature-protection.com
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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
On 12/11/2020 16:25, Joerg Niggemeyer wrote:
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[...]
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 >
 > *****************************************************************
 > ******STMicroelectronics MOSFET, IGBT and Bipolar Library *******
 > *****************************************************************

Die Modelle sind von den Herstellern ON (Fairchild) und STM (mosfet).
BD139 wird von vielen Herstellern hergestellt.


--  

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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren


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aus dem Jahre 2004 und nicht von ST oder ON, steht ja in deinem eigene
Text, du solltest das was du liest und schreibst schon auch so  
wahrnehmen;-)

Ich habe heute von ST.com das Model von 2016 heruntergeladen und
in PSPICE laufen lassen, das Ergebnis ist dann doch leicht unterschiedlich
zu deiner Simulation ;-O

schaust Du da:
http://www.nucon.de/infos/bibtest1.png

Hier ist der Transistor schnecken langsam also kein SMPS geeigneter.


realen HW vergleichen............



--  

Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
On 12/11/2020 17:33, Joerg Niggemeyer wrote:
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i-t.com ist eine Service-Firma:
    Training and Spice Modeling Services
    MODPEX software and support

Die Modelle sind bei ON neben dem Datenblatt-Link.
Wer die hergestellt hat, ist mir egal.
Bei TI sind Modelle ebenso positioniert.


Das Alter von Modellen ist egal.

Das Alter der Modelle richtet sich i.d.R. nach dem Zeitpunkt
des Erscheinens der Bauelemente auf dem Markt.

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Ich werde sehen...


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Das habe ich ja auch nicht gesagt:


Das ist auch der Fall, nach meiner konkreten Erfahrung.

Die Daten meines Regler_tlc wurden verglichen: Simulation

Die Daten von der Simulation sind fast gleich.
Das Entwicklungs-Verhalten der Schaltung ist identisch.

http://www.schellong.de/htm/schaltungen.htm#regler_tlc
http://www.schellong.de/htm/schaltungen.htm#schalten

Warum habe ich den letzten Absatz bei 'schalten' geschrieben?





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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
Am 11.12.2020 um 19:24 schrieb Helmut Schellong:






Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
On 12/12/2020 11:45, Sebastin Wolf wrote:
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Ich kenne deren Bedeutung bei BJT nicht, weil ich bisher nur





Vorstehendes schrieb ich im Artikel-Text.
Diese Art der Erkennung ist mir wichtiger.



Eine Erscheinung, als sei die BE-Diode gar nicht da, sondern
stattdessen ein Widerstand 22k.


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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
Am 12.12.2020 um 13:38 schrieb Helmut Schellong:
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RB ist ja unglaublich krypisch...




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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
On 12/12/2020 14:23, Sebastin Wolf wrote:
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das nichts, denn dessen Wert kenne ich nicht.
Es sind noch viele weitere Parameter vorhanden, deren Werte
ich ebenfalls nicht kenne und auch nicht erarbeiten will.
Ich lade halt ein Modell.
Falls das ein untypisches Verhalten generierte, so




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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
Am 12.12.2020 um 15:14 schrieb Helmut Schellong:
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Schon klar....

Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
On 12/12/2020 16:40, Sebastin Wolf wrote:
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Ich kreiere Modelle nur selbst, wenn es gar nicht anders geht.

Modelle laden ist vielleicht 1000-fach schneller und einfacher.
Das finde ich intelligenter, als Modelle selbst zu kreieren,
wenn welche zum Laden vorhanden sind.




Wenn zwei oder mehr Modelle zum gleichen BE vorhanden sind, ist es



gleiche Parameter in Menge ungleiche Werte haben, bis hin zum
Hundertstel oder dem Hundertfachen:
ikf=0.166126 | 5.018
var14%2.931  | 10.749
re =0.00047  | 0.0259
rb 26%.9     | 0.571
rbm=0.1      | 0.001
itf=0.01     | 0.229
usw.


Modellen zu achten.





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Ich habe einen solchen Fall vor einem Tag erkannt.
Darum geht es ja im Kontext.


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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
Am 12.12.2020 um 18:47 schrieb Helmut Schellong:
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Ich hab einen anderen Fall schon sehr lange erkannt.


Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
On 12/12/2020 18:53, Sebastin Wolf wrote:
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Das ist wirklich gut - erfreut mich - die Dinge gehen voran!


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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
snipped-for-privacy@nucon.de (Joerg Niggemeyer)  am 11.12.20 um 18:33:

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Rainer

--  

einen mit enger Taktfolge. Und einen, bei dem man nicht 3 Semester
Tarifwissenschaften studieren muss, bevor man ins Fahrzeug steigen kann.
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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
On 12/12/2020 00:42, Rainer Knaepper wrote:
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Default, kein Eintrag.

http://www.schellong.de/htm/schaltungen.htm#schalten

Siehe Schaltung mit dem BD139-Modell von Dir.


da etwas ganz falsch ist.
Am Ausgang sind klassische Kondensatorladungen 5 Tau.
Minimale Spannung 17V, dabei sollte es 0V sein.

Angesichts der Schaltung ist das nicht zu verstehen.



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Helmut Schellong   snipped-for-privacy@schellong.biz
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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren



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Beim Importieren von reinen SIM Modellen nach PSPICE muss ich
ein vorhandenes Bauteil einer OLB Bibliothek dem Model zuordnen,

names, das Symbol richtig angeschhlossen zu haben. Aber so ist das wohl  
immer, wenn man zu schnell was raushauen will ;-(



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mit freundlichen Gruessen/ best regards Joerg Niggemeyer Dipl.Physiker
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Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
Joerg Niggemeyer schrieb:
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Bei st.com finde ich zwar ein File zum 2N2222 bis zum 2N5551,


geht.

--  
mfg Rolf Bombach

Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren

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Probier mal auf der HP von ST.com direkt zu suchen

"spice bd139" ein





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Joerg Niggemeyer on RISCOS 5.24 Raspberry Pi3+
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