"Qualität" von Spice Modellen?

Am 27.12.20 um 19:14 schrieb Andreas Weber:

Die Transistoren von verschiedenen Herstellern unterscheiden sich auch zum Teil deutlich. Gerade bei hFE ist ein Faktor 2 nicht so

Marcel

Am 27.12.20 um 19:14 schrieb Andreas Weber:

Hallo,

Da gibt es eine ziemliche Streuung der Werte, etwa von 10 bis 50. Die

Spannungen und auch noch von der Temperatur.

aso genaugenommen gar nicht.

von Simulationen.

Bernd Mayer

Hi Bernd,

Am 27.12.20 um 20:17 schrieb Bernd Mayer:

Uuh, peinlich, ich meinte Emitterschaltung. Ich werde morgen mal ein Beispiel mit beiden Transistoren posten, damit es klarer wird.

Der oben gezeigte Unterschied ist gering!

Ich habe die unten gezeigten Unterschiede zwischen zwei Modellen

12/12/2020 18:47 ==================================================================== Wenn zwei oder mehr Modelle zum gleichen BE vorhanden sind, ist es

gleiche Parameter in Menge ungleiche Werte haben, bis hin zum Hundertstel oder dem Hundertfachen: ikf=0.166126 | 5.018 var=142.931 | 10.749 re =0.00047 | 0.0259 rb =26.9 | 0.571 rbm=0.1 | 0.001 itf=0.01 | 0.229 usw.

Modellen zu achten.

====================================================================

Man schaue sich die Basisspannung V(b1)==Vbe(Q1) an.

4V an einer BE-Diode kann nicht sein.

Von einem fehlerhaften Modell ist man halt angeschissen.

--

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von verschiedenen Herstellern, deutlich unterschiedlich sind, ist auch der Nutzen eines realen Aufbaus begrenzt.

Simulation zeigt unterschiedliche Daten. Realer Aufbau zeigt unterschiedliche Daten.

Wenn Simulationsmodelle fehler-frei/arm sind, ist auch eine

--

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Hi Helmut,

Am 27.12.20 um 20:42 schrieb Helmut Schell>> ich wollte die Tage etwas mit LTSpice simulieren und habe ein Modell

Ich habe hier mal beide Modelle eingebunden:

Q1 ist das MODPEX Modell (das funktioniert wie erwartet), Q2 das Modell von centralsemi. Irgendwie funktioniert das so absolut gar nicht wie von mir erwartet.

-- Andy

Am 27.12.20 um 20:37 schrieb Andreas Weber:

Am 27.12.20 um 21:03 schrieb Andreas Weber:

Ich glaube es liegt an TF=70.469E-3

das scheint mir viel, viel zu hoch gegriffen.

besser zu meiner Erwartung.

Am 27.12.20 um 20:17 schrieb Bernd Mayer:

Nachtrag:

BF=100 ist offenbar ein Standardwert.

Hier habe ich noch ein paar Infos gefunden zum Thema:

"Some standard bipolar transistor SPICE models may not include a parameter that allows BF, the hFE parameter, to vary with temperature. If XTB is absent it defaults to zero, e.g. no temperature dependence. If hFE temperature effects are of interest and XTB is not modeled then the following values may be used to provide an estimate or a starting point for further investigation:

Polarity XTB NPN 1.6 PNP 1.9

Bernd Mayer

In einem Modell ist dieser Wert 0.1, im anderen nicht vorhanden. Vorstehend das 19-fache.

ein Modell /reparieren/ will.

VAR=100 | VAR=4.4 usw. Welcher Wert ist korrekt? Und ist das Modell mit dem korrekten VAR-Wert dann in allen anderen Werten ebenso korrekt?

'Schalten' scheint mir recht geeignet zu sein.

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Am 27.12.2020 um 22:41 schrieb Helmut Schellong:

Du willst ein Modell mit *VIELEN* Parametern mit *EINER* *EINFACHEN* Testschaltung testen?

Am 27.12.2020 um 19:14 schrieb Andreas Weber:

Die Mehrzahl ist schlampig bis grob falsch zusammengestellt.

In dem Modell von CS sind mehrere grobe Fehler drin.

Der lustigste ist BF=100, aber BR=499.50.

Immer wenn zu viele Mantissenstellen angegeben werden, greift die

Bei einem Umschaltvorgang hat man Dynamik und Statik , also da bin ich mit Helmut sogar konform, dass man Abweichungen vom Modell zum realen Aufbau anhand einer solchen Testschaltung gut erkennen kann....

......Er testet jedoch ja gar nicht, er hat zwar ein Scope, aber wo die Abweichungen im Detail stecken wird nicht gezeigt. Es werden hier lediglich Modelle von Transistoren untereinander verglichen. Eine "Spice Blase" vom Feinsten also.

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mit freundlichen Gruessen/ best regards Joerg Niggemeyer Dipl.Physiker 
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IE/IB = BN + 1

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Falsch.

gleichzeitig durchfahren werden. Mindestens, wer ergiebige Entwicklungserfahrung hat, kann so ein /faules/ Modell erkennen. Im Vergleich, wie im Kontext, wird das noch leichter.

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Das ist nicht der Kontext.

um herauszufinden, welches Modell /kaputt/ ist, oder ob beide Modelle /kaputt/ sind.

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Hersteller deren eigenen Kennlinien im Datenblatt nachbilden lassen ;-O

Das elementare Transistormodell hat ideale Dioden und eine ideale

als Null an.

nur tauglich ist, bzw. die Modellparameter mit einer uns unbekannten Beschaltung in Verbindung angepasst wurden. Eventuell eben mit

RB Central 0R63 mit Default BF ca 100 RB Onsemi 21R !!!! mit BF 256

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Warum sollte ich mir wiederholt diese Arbeit antun? Also zu _jeder_ Simulation einen realen Aufbau herstellen und diesen in allen Details durchmessen! Und fast jedesmal Bauelemente bestellen und bezahlen!

Ich bin doch keine Firma, mit dieser Profession! Und falls ich das jedesmal getan haben sollte, blickte ich

von Simulationen zu Null. Unter diesem Eindruck kann man ja Simulationen komplett abschaffen!

Ich widerspreche hier. Abweichungen im Detail fallen potentiell in jedem Fall anders aus. Nicht vorhersagbar.

Und dies, bevor man reale Aufbauten hergestellt hat.

real aufgebaut (mit sieben PCB, etc.)!

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Keins der Modelle ist "kaputt", oder hast du eine Fehlermeldung