Frage zu PSPICE-Modell Mosfet

Hallo,

kann mir bitte jemand erklären, welche Rolle bei diesem Modell der 2. Fet MOST2 spielt? (Die Diode habe ich mal abgekürzt...) Pin 4 wird wohl das Substrat sein. Dann ist MOST1 der "normale" Fet. Mir ist aber die Verschaltung von M2: 4 2 1 3 nicht ganz klar. Was soll damit modelliert werden? Die VTO sind ja vollkommen verschieden.

.SUBCKT BS170/PLP 1 2 3

  • 1=drain 2=gate 3=source Cgs 2 3 12.3E-12 Cgd1 2 4 27.4E-12 Cgd2 1 4 6E-12 M1 1 2 3 3 MOST1 M2 4 2 1 3 MOST2 D1 3 1 Dbody .MODEL MOST1 NMOS(Level=3 Kp=20.78u W=9.7m L=2u Rs=20m Vto=2 Rd=1.186) .MODEL MOST2 NMOS(VTO=-4.73 Kp=20.78u W=9.7m L=2u Rs=20m) .MODEL Dbody D(Is=125f N=1.023 Rs=1.281 ......) .ENDS

Vielen Dank.

MfG Uwe

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Uwe Berger
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mfG Leo

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Leo Baumann

Uwe Berger schrieb:

sieht nach einer ungewöhnlichen Methode aus, die Unlinearität der D-G-Kapazität zu modellieren.

Die m.W. bei Leistungs-MOSFETs übliche Methode ist ein JFET in Kaskodenschaltung, Wienfield Hill meinte in s.e.c einmal "Pioneered and promoted by a few engineers at Harris", z.B. beschrieben in AN-7506.

Servus

Oliver

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Oliver Betz, Muenchen http://oliverbetz.de/
Reply to
Oliver Betz

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