Imam jedno pitanje, a ne znam koliko uopæe ima smisla. Mo¾ete li mi iz svakodnevnog iskustva, onako - iz rukava, reæi koje su prednosti i/ili mane FET-a u odnosu na BJT - u svim podruèjima njihove primjene. Koji npr podnosi veæa optereæenja, za koja je pojaèala koji bolji, visoke frekvencije, ovi ili oni sklopovi. Unaprijed zahvalan!
Ja bih mo¾da jo¹ dodao: (P-prednost, N-nedostatak) FET
- visoki ulazni otpor (jako mala struja upravljaèke elektrode G - zanemariva). P
- naponski upravljivi element - djeluje kao naponski upravljivi promijenjivi otpornik. P/N
- nizak otpor vodljivog kanala (mo¾e iznositi i ispod mOhm, ¹to znaèi da æe na njemu biti mali gubici - veæa korisnost). P
- veliki iznosi struja voðenja izmeði S i D. P
- temperaturno stabilni (poveæanjem temperature, pada vodljivost - samoza¹tita). P
- nizak napon optereæenja. N
- slabiji odziv na jako visokim frekvencijama. N
- relativno visok napon za potpuno otvoreni kanal (reda 15V). N
BJT
- strujno upravljivi element. P/N
- veliko strujno pojaèanje. P
- brz odziv na visokim frekvencijama. P
- veæe naponsko optereæenja. P
- postojano pojaèanje na niskim naponima (npr. 3V). P
- veæa disipacija snage. N
- temperaturno nestabilni (proboj). N
- relativno fiksni naponi Uce i Ube kada vodi. N
Spoj BJT i FET-a = IGBT
- naponi do kV. P
- struje do kA. P
- radi na ni¾im i srednjim frekvencijama. N
Svaki od velike skupine tranzistora (bipolarni i unipolarni) na¹ao je svoje mjesto u elektronici. BJT se najèe¹æe koriste u spoju raznih pojaèala, ali i kao brze sklopke na vi¹im frekvencijama. Recimo da su u kompjuterskim procesorima BJT tranzistori (njih nekoliko desetaka milijuna). FET-ovi se isto tako koriste u raznim spojevima pojaèala, a svoju (uvjetno reèeno) sporost na jako visokim frekvencijama, nadoknaðuju velikom strujom optereæenja koju podnose, a pri tome manje disipiraju snage nego BJT. Dakle, FET æe za isto optereæenje disipirati manje snage, tj. trebat æe mu manji hladnjak. Nedostatak mu je relativno niska gornja granica naponskog optereæenja. FETovi koji vode veliku struju (recimo 100A), obièno su za napone do 100njak V. BJT mo¾e izdr¾ati veæe napone, ali ne i struje. FETovi se koriste kao brze sklopke na ni¾im naponima (ali veæim strujama) i do recimo vrijednosti velièine MHz. Njihovim spojem nastao je IGBT (bipolarni tranzistor s izoliranom upravljaèkom elektrodom) koji se odlikuje velikim optereæenjima (kV i kA) i naponski je upravljiv.
Nadam se da æe se u raspravu prikljuèiti i ostatak ekipe s grupe i dopuniti me ili ispraviti ako sam ne¹to zabrljao. Ima dosta materijala oko tranzistora. Preporuèujem knjigu od profesora P. Biljanoviæa "Poluvodièki elektronièki elementi", pa mo¾da i "Elektronièki sklopovi" istog autora. Pozz!
E ovo me ba¹ sad zanima: u knjizi koju èitam (Sapoval, Physics of Semiconductors) stoji da se BJT zbog dugog vremena difuzije (oko 1 ns) manjinskih nosilaca kroz bazu lo¹e pona¹a na visokim frekvencijama (reda GHz), ¹to se posebno odnosi na silicijeve tranzistore - GaAs je zbog veæe mobilnosti ipak ne¹to bolji pa se i koristi u brzim tranzistorima.
Ovo je tocno samo za spore signale (do nekoliko desetaka kHz). Na visim frekvencijama (recimo MHz i vise) FET-ovi imaju VRLO MALI ulazni otpor gata, redovito manji od bipolarnog tanzistora! Na 20 MHz tipicni ulazni otpor gata je dva-tri oma.
Medjutim, na nekim frekvencijama (za brze IRF-ove tipa IRF830) ulazni otpor postaje CISTI OMSKI jer se izjednaci kapacitivna impedancija barijere i induktivitet dolaznih vodova. Na prvi pogled cudno, ali kad krenes mjeriti uvjeris se :)) Tipicna frekvencija za to je 20MHz.
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.