Tensioni di soglia

In data Mon, 30 Aug 2004 10:09:58 GMT, InuY4sha ha scritto:

Veramente mi sembra che per i BJT non si parli di tensione di soglia...ma sono parecchi anni che non mastico "dispositivi"...Si dovrebbe chiamare tensione termica, KT/q, vale circa 25mV a T ambiente. O forse la chiami di soglia perchè per tensioni ai capi >> Vt, l'equazione del diodo è quella che conosciamo, ovvero la corrente di saturazione inversa (o corrente di scala) è trascurabile (rispetto a quella totale che attraversa il diodazzo).

In prima battuta ti direi che comunque la Vt che compare nei BJT è la stessa che nei diodi, ma fai attenzione che c'è sempre in agguato, a moltiplicare la Vt, un famoso "n", compreso tra 1 e 2.

In sostanza, la fisica dei semiconduttori ti può rendere conto di una serie di parametri, dipendenti dai livelli di drogaggio, dai materiali, dall'area...Poi tu "impacchi" tutti questi dati in "costanti", ed ecco la tua bella equazioncina di Shockeley :)

PS com'è andata poi con Spice e i MOS?

Probabilmente nella mia mente si era radicata l'idea che Vth dell'equazione nel BJT avesse il pedice "th" che indicava la parola threshold invece indica probabilmente thermic o quache altra parola con uguale radice... la forza dell'abitudine ...

La "n" negli esercizi è uno se non diversamente specificato per cui x quello appost..e utilizzo proprio il potenziale termico anche x i BJT (i conti cosi vengono!)

Mha.. mi sono arreso momentaneamente... non ho tempo in questi gg di redarre un pdf.. mi arrangio su carta con gli esercizi e tengo spice solo x le cose toste ... cmq riguardo al vecchio problema dell'indicare a spice un certo potenziale ai nodi... quello che non mi quadrava era che quando io imponevo con un Vcc un certo potenziale ad un nodo mi succedeva che questo Vcc assorbiva corrente... provo a spiegarmi (senza pdf ;) ) : ho il mio bel BJT polarizzato con le 4 classiche resistenze R1, R2 ( --

In data Mon, 30 Aug 2004 13:12:41 GMT, InuY4sha ha scritto:

Ho controllato un librazzo di elettronica, la chiama tensione termica. Purtroppo non ho con me alcun libro di dispositivi...

Si si, questo è ovvio. Pensavo la tua domanda fosse un pochino più "profonda"...Ovvio che negli esercizi, visto che sono "esercizi", puoi mettere quello che vuoi.

Ok, ma prima di qualsiasi spiegazione: medita attentamente sul fatto che un generatore di tensione *non* impone la corrente ai suoi capi. Te l'ho detto anche nell'altro post. E' il resto della rete, che si "conforma" alle grandezze imposte dai generatori. Questo è un punto importante, un "concetto" che - prima assimilerai - prima ti chiarirà tanti dubbi.

Non hai scritto male niente, è giusto così :)

Mmmh, non ho l'ardire di capire l'ultimo pezzettino, anche perché il problema è abbastanza chiaro. Tu, nel dimensionare la tua rete di polarizzazione, NON devi aggiungere alcun generatore di tensione al nodo Rc. Ne in fase di "test", né tantomeno a circuito dimensionato. Quello che devi fare, è prenderti i tuoi vincoli di progetto, il beta del transistor, e dimensionare la rete. I tuoi vincoli di progetto sono: Vc, Vcc, Ic. Ricavi immediatamente la Rc, poi col beta, se vuoi fare il fine, ti calcoli bene il partitore di base. Guarda bene che il sistema è "sovrabbondante"...Infatti tu hai delle scelte da fare (questo è il succo del progettare, IMO). Quanto la metti questa Re? E perché? Quanto le fai grosse R1 e R2, e perché?

Da una analisi statica, con un BJT, non ti accorgi di nessuna differenza. Ma se percaso cominciassi a fare variare il beta del transistor, vedresti che le varie resistenze giocano un ruolo nel "reagire" alle variazioni di beta. Si chiama reazione, questo giochino, e spunta dappertutto come il prezzemolo :DD

In sostanza: il tuo obiettivo è portare il BJT dove vuoi tu, alla coppia (Ic, Vc). Lì è il posto in cui deve stare, che il beta sia 70 o 110, che la temperatura sia 25 o 100 C. Questo è il compito di quella rete di polarizzazione sovrabbondante.

Spero di esser stato spiegato ;)

PS Comunque queste cose, nei testi, ci sono eh!

Quanto la metti questa Re? E perché? Perchè come mi ha insegnato la mamma (^_^) se non voglio che per uno sbalzo di temperatura Vbe aumenti, aumenti Ic e il transistor faccia fumo bianco, devo mettere una resistenza Re che faccia aumentare il potenziale Ve e diminuire quindi Vbe e quindi riportare Ic a regime .

Queste giocano un ruolo importante per rendere indifferenti le variazioni del Beta se non ricordo male ... IR1 = 10*Ib è un buon compromesso Si ottiene cosi una Rbb Da una analisi statica, con un BJT, non ti accorgi di nessuna differenza.

la

Si, molto chiaro... purtroppo le postate nn sono ancora finite.... CFR ultima postata ...

Purtroppo non tutto è spiegato.. almeno non nel mio testo ... CFR ultima postata ...(che sto per fare)

In data Mon, 30 Aug 2004 14:50:45 GMT, InuY4sha ha scritto:

Insomma...Non è che l'abbia detta proprio bene bene, ma te la passo :P Io però non ti ho chiesto solo *perché* la metti, la domanda era (ed è):

...Mmm, diciamo che vuoi rendere il partitore R1, R2 il più ideale possibile, per cui la tensione che esso impone dev'essere poco dipendente dalla corrente spillata, ossia la Ib. Allora è giusto il criterio che hai ricordato: I_partitore = 10*Ib. A spanne, ovviamente. Ma la domanda che ti faccio è: quanto le fai R1 e R2? A parte la questione della tensione di base, che ti lega solo il rapporto tra le due, perché non le fai piccole piccole? C'è qualche "controindicazione"?

Ho presente la tua situazione...se sei uno studente di Elettronica, e magari ti piace pure, ci sono 856000 cose che vorresti capire/sapere...Per quel che può valere, ti consiglio di focalizzarti su un "tema" alla volta, anche se so che non è facile.

L'andamento della capacità di giunzione è ben conosciuto e documentato, non ti preoccupare. Sia per l'aspetto fisico che per quello più prettamente ingegneristico, nel qual caso le cose possono anche cambiare un po'...Ma questa è una questione di "curve fitting"...per ora non ti interessa :)