Non sono mai riuscito a capire bene come funziona il transistor; la spiegazione dell'Horowitz =E8 una non-spiegazione, finalizzata a "fare" e rimango sempre con uno spiacevole senso di mancanza delle basi. Purtroppo tutte le mie ricerche con google con "funzionamento transistor" o varianti, mi conducono o a programmi scolastici o a paginette eccessivamente semplificate, oppure ancora a spiegazioni che si vede benissimo essere il risultato di concetti assimiliati poco e male (non sto dicendo che le persone siano tutte stupide, sar=E0 il modo di funzionare di google e la mia incapacit=E0 a cercare). Esiste qualcosa in cui il funzionamento viene spiegato veramente a fondo, passo per passo? Magari in PDF?
grazie di ogni dritta
Apx.
--=20 Il dottore al paziente: "Lei ha un testicolo di legno e uno di ferro... ha mai avuto problemi?" "No, ho due figli fantastici: Pinocchio va a scuola, Mazinga all'asilo!"
Sono d'accordo, per=F2 le spiegazioni 'con le mani' lasciano un po' il tempo che trovano. Sarebbe bene che l'OT a questo punto ci precisi:
-di quali competenze di matematica/fisica dispone.
-dove vuole arrivare esattamente
-quanto sudore e sangue vuole lasciare sul campo di battaglia
I libri che ho indicato io, sostanzialmente partono dalle equazioni di base della fisica dei semiconduttori per arrivare al modello di Ebers- Moll (per esempio, parlando dei transistor bipolari), oppure al modello a controllo di carica per i transistor ad effetto di campo. Digerirsi tutto bene prende quasi tutto un corso universitario.
Ribadisco comunque che sono d'accordo con le alternative suggerite.
Purtroppo il difetto delle Sze e' che nasce proprio con questo intento. Se non ricordo male lo specifica l'autore stesso nell'introduzione. Di fatto, didatticamente e' qualcosa di terribile. Il suo valore immenso e' nel compendio di dati e informazioni, anche se, essendo un po' vecchio, alcune affrmazioni sono da prendere con cautela (io ho trovato parecchie imprecisioni quando parla di ossidi sottili - non per colpa di Sze, ma perche' ultimamamente la ricerca in quel senso ha fatto molti progressi).
Oh, my God :))))) OT? Vabb=E8, in parte =E8 vero ma sarebbe del tutto OT solo se fossi interessato ai dettagli della fisica dei solidi, il che non =E8.
Le potrei definire sufficienti? Sono ingegnere civile e l'interesse per la matematica e la fisica non si =E8 mai spento; potrei definirmi leggermente pi=F9 informato della media dei colleghi (che per=F2 sono molto pi=F9 smanicati di me su tante cose, s'intende).
A capire il necessario senza essere soffocato dai formalismi degli operatori della MQ, per dirne una. La mia domanda nasceva dal fatto che trovo insoddisfacente la maggior parte delle spiegazioni che ho trovato. Ad esempio, quando si drogano Ge e Si le varie vulgate dicono che si ha un elettrone "in pi=F9" (o un buco, a seconda). Fin qui ci sono, ma poi, quando N e P vengono messi a contatto, perch=E9 avviene la migrazione di elettroni e buchi da una parte all'altra? Entrambi i cristalli sono elettricamente neutri. Posso chiamare in causa fluttuazioni dovute alla temperatura ma qui inizio a perdermi e gi=E0 non mi spiego i fenomeni successivi.
Ecco, se =E8 necessaria qualche formula, qualche distribuzione o qualche operatore va bene, ma vorrei che questo non soffocasse la percezione qualitativa e nel contempo dettagliata del fenomeno, come fosse un film. La ragione del mio approccio low profile =E8 che per rispondere alla domanda successiva,
=2E.. non troppo. Purtroppo sono infognato da mille cose ma siccome smanetto (idealmente) con circuiti, semiconduttori e altro, sento sempre di edificare qualcosa sulla sabbia e un po' di tempo per rimediare ce lo dedico. Vorrei solo potermi dire "OK, ho capito cosa succede", senza entrare a quel livello di dettaglio che mi faccia perdere la percezione d'insieme.
Grazie a tutti dei vostri consigli, gi=E0 quelli arrivati saranno utili alla mia prossima visita alla libreria dell'uni.
ciao!
Apx.
--=20 Il dottore al paziente: "Lei ha un testicolo di legno e uno di ferro... ha mai avuto problemi?" "No, ho due figli fantastici: Pinocchio va a scuola, Mazinga all'asilo!"
In genere tutti i testi di dispositivi adottano un approccio semi-classico: si utilizza quanto basta della meccanica quantistica per giustificare la struttura a bande e la relazione di dispersione per elettroni e lacune; si introducono il teorema di Bloch ed il teorema della massa efficace e poco altro (se si escludono i casi in cui entra in gioco l'effetto tunnel).
Per rispondere alla domanda specifica: differenze di concentrazione. Nella regione N la concentrazione di elettroni è molto più alta che nella regione P; quando le due regioni vengono poste in contatto il moto casuale di agitazione termica da origine ad un trasferimento netto di portatori. E' una classica situazione di diffusione, regolata dalla legge di Fick. Nel limite in cui è possibile descrivere il comportamento della popolazione di portatori con la statistica di Boltzmann, quest'ultima si comporta effettivamente come un gas di particelle aventi massa pari alla massa efficace; da qui in poi si possono applicare le leggi della meccanica statistica classica. Lo stesso fenomeno avviene per le lacune.
In questo caso il movimento dei portatori non dipende dalla loro carica, il moto per diffusione avviene anche in assenza di campi elettrici, è essenzialmente l'evoluzione spontanea del sistema verso uno stato a più alta entropia (e quindi più stabile). Evidentemente la presenza di un campo elettrico ha influenza sul moto dei portatori ma solo in quanto induce un moto di deriva (diretto in senso opposto a quello di diffusione) i cui effetti possono essere studiati separatamente.
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Purtroppo si tratta di fenomeni che ritengo sia difficile visualizzare in maniera intuitiva senza una solida conoscenza di quello che c'è dietro. Io riesco abbastanza bene a tradurre in termini qualitativi quello che succede, ma perchè ho ben chiaro (credo...) la fisica che c'è dietro, le approssimazioni che si sono fatte. Diversamente si rischia di formarsi delle idee sbagliate.
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