quesito su Mosfet per carico elettronico

Il 03/02/2021 16:41, emilio ha scritto:

Spero questa mia info possa esserti utile. L'anno scorso mi ero messo a costruire un carico elettronico sulla scia di quello di Nuova Elettronica. Avevo anche fatto una specie di Basetta e acquistato alcuni componenti compresi i Mosfet. Poi ho visto in Cina due carichi e li ho acquistati con il costo di quello che stavo per costruire. Vanno benissimo tutti e due. Non vale la pena costruirlo. Se vuoi maggiori info riguardo quelli che ho acquistato dimmelo e cerco i link. Ciao Gab

Il 03/02/21 16:41, emilio ha scritto:

in parallelo sul chip

a differenza di quelli di una ventina di anni fa hanno una resistenza

inferiore rispetto all'aumento di transconduttanza

la retroazione positiva che si stabilisce porta uno dei tanti mosfet a

Gab ha scritto:

si ,li ho visti su Aliexpress a pochi euro e ci ho fatto un pensierino,ma

dove voglio piazzalo...avevo pensato di disassemblarne uno e poi farlo delle dimensioni volute, ma a questo punto preferisco farmelo esattamente come mi serve...grazie 1000

not1xor1 ha scritto:

nza in

l chip

erito ad un solo mosfet oppure a piu mosfet ma ognuno con la sua retrazione in corrente con un opamp.

Forse voleva dire che un MOSFET prodotto con la tecnologia

un primo livello di dispositivi in parallelo nello stesso contenitore e un secondo parallelo a livello circuitale.

Non credo che quei MOSFET "multipli" possano avere

Archaeopteryx ha scritto:

tutti i mosfet di potenza sono costruiti con molti mosfet messi in

sui suoi Hexfet (di cui ho comperato ed ho tuttora diversi esemplari)

essendo costruiti sullo stesso die e vicini pochi nm uno agli altri sono chiaramente tutti simili tra loro, poi magari uno costruito qualche cm piu in la puo essere diverso...forse

Prova a vedere se questa spiegazione ti convince:

Sostanzialmente sembra essere dovuto al fatto che i MOSFET comuni sono ottimizzati per lavorare in saturazione, e tendono ad andare in thermal runaway quando lavorano in zona lineare. Invece esistono famiglie (come la

un pezzo) e credo nemmeno ne parli. O forse ha adottato un'esposizione classica per ovvii motivi.

Mi sembra un argomento convicente anche se tutto si potrebbe nascondere con un generoso derating :D

dalai lamah ha scritto:

la

uindi

letta...ma se non ho capito male si parla sempre di mosfet in parallelo :

(vedi la frase evidenziata con ** ) anche se poi sperimenta con uno solo

In fact, many of the power MOSFETs such as the popular IRFP150N do not include DC operation characteristics in its FBSOA(Forward Bias Safe Operating Area, or simply SOA) specifications. While operating in current-saturated region the drain to source on-resistance (Rdson) exhibits temperature coefficient which allows easy current sharing among **many paralleled devices**, when operating in linear region however, Ids (drain-to-source current) tends to increase due to the negative tempco of the gate threshold voltage below the zero temperature coefficient point. This in turn further increases the die temperature and without negative feedback, this leads to hot-spotting or current focusing (thermal runaway) and eventually the destruction of the device.

threshold voltage

% del suo valore

e ancora in

e ai umosfet interni,posti in parallelo al interno del mosfet, non hanno delle caratteristiche cosi diverse uno dagli altri, visto che costruttivamente sono posti a pochi nm tra loro quindi questo articolo non mi ha fatto chiarezza...o non l'ho capito io! :-)

Il 03/02/21 18:21, emilio ha scritto:

rito

Inside a MOSFET package, there is a silicon die that contains an array of MOSFET cells with their gates, drains and sources connected in parallel. As some cells become hotter than others, their threshold voltages decrease relative to the cooler cells, causing the hotter cells to conduct more current. If the competing factors cited above reach an unstable condition, certain cells may thermally run away, drawing more and more current until they self-destruct.

per approfondire cerca "spirito effect"

conclusioni :

Il 03/02/21 16:41, emilio ha scritto: